TIL117M Ηλεκτρονικά εξαρτήματα Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Προγραμματική μνήμη
κατασκευαστής:
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
Περιγραφή:
Οπτικοαπομονωτικό τρανζίστορ με βασική έξοδο 7500Vpk 1 κανάλι 6-DIP
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικά συστατικά
Τιμή:
Negotiation
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Πεδίο θερμοκρασίας:
-40 έως +150 °C
Προθεσμία πληρωμής:
T/T, Paypal, Western Union
Τετάρτη:
7V
Τρέχων:
1.5Α
πακέτο:
Εμβύθιση-6
Συσκευασία εργοστασίων:
σωλήνα
Κυριώτερο σημείο:
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
Εισαγωγή
TIL111M, TIL117M, MOC8100M
Οπτικοσύνδεσμοι φωτοδιαμετακομιστών 6 πιν γενικού σκοπού
Χαρακτηριστικά
■ UL αναγνωρισμένη (Φάκελος # E90700)
■ VDE αναγνωρισμένη (Φάκελος # 102497 για λευκή συσκευασία)
∆εν επιτρέπεται η πρόσθετη επιλογή V (π.χ. TIL111VM)
Γενική περιγραφή
Οι οπτικοσύνδεσμοι MOC8100M, TIL111M και TIL117M αποτελούνται από υπέρυθρη διοδή εκπομπής αρσενιδίου γαλλίου που οδηγεί έναν φωτοδιαμετακομιστή πυριτίου σε συσκευασία διπλής ευθείας διασύνδεσης 6 πινών..
Εφαρμογές
■ Ρυθμιστές τροφοδοσίας
■ Ψηφιακές λογικές εισροές
■ Εισόδους μικροεπεξεργαστών
■ Συστήματα αισθητήρων συσκευών
■ Βιομηχανικοί έλεγχοι
| ΑΠΟΛΟΥΤΗΜΕΝΑ ΜΕΓΙΟΤΗΤΑ ΚΑΤΑΣΤΗΣΗΣ ((1) |
|
Θερμοκρασία αποθήκευσης TSTG -40 έως +150 °C
Θερμοκρασία λειτουργίας TOPR -40 έως +100 °C
TSOL Θερμοκρασία συγκόλλησης μολύβδου Όλα τα 260 για 10 δευτερόλεπτα °C
PD Συνολική διάσπαση ισχύος συσκευής @ TA = 25°C
Βάρος άνω των 25°C Όλα τα 250 mW 2,94 mW/°C
ΕΜΙΤΕΡΟΣ ΕΝΩΜΕΝΟΣ/Μέσος προωθητικός ρεύμα εισόδου Όλες οι 60 mA VR αντίστροφη τάση εισόδου
ΤΙΛ111Μ 3 V MOC8100M, ΤΙΛ117Μ 6 IF(pk)
Προηγούμενο ρεύμα ∆ύναμη αιχμής (300μs, 2% κύκλος λειτουργίας) Όλα τα 3 A PD
Διάσπαση ισχύος LED @ TA = 25 °C
Όλα τα 120 mW 1,41 mW/°C
|
Μέρος του αποθέματος
| ΕΡΑ-5SM+ | 78L08 |
| IRG4BC20UD | Μικροκυκλοφόρηση |
| 24LC256-I/SN | ST1S10PHR |
| ΑΝ7812 | MDM9615M |
| OP747ARUZ | 88E111-B2-NDC2I000 |
| ATXMEGA64D3-AU | ADCLK907BCPZ |
| TLP281-4 | ADP1741ACPZ |
| 25LC1024-I/P | WS9221B |
| STK404-130S | LMR62014XMF |
| LM431BCM3X | LM2731XMFX |
| Επικαιροποιημένο | LM2731XMFX |
| ΑΜ28F010Α-90JC | MAX14588ETE+ |
| BTS141 | ΑΤ24C02D-SSHM-T |
| BTS2140-1B | PIC16F877-04/PT |
| 1034SE001 | CX240DS |
| 30023* | DLW21SN900SQ2L |
| 30520* | NLV32T-100J-PF |
| 30536* | AOZ1282CI |
| 30639* | AOZ1282CI |
| Επικαιροποιημένο | TLE4275KVURQ1 |
| VND810SP | TLE4275KVURQ1 |
| L9147P | MBRX160-TP |
| Απαγόρευση της χρήσης | PS21765 |
| FM28V020-SGTR | Αεροπορικές μονάδες |
| M24256-BWDW6TP | £3500 |
| MCP6002T-I/MS | AD7865ASZ-1 |
| MCP6004T-I/ST | Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ. |
| BAS40DW-04-7-F | SNJ54HCT14TK |
| LM317LIPK | Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
| HA16107P | LPC2294HBD144 |
| Άλλες ουσίες | AD620SQ/883B |
| DS26LS31CM | M24128-BWMN3TP/P |
| DS26LS32ACM | LT1354CN8 |
| M5195BFP | AQW254 |
| ΣΥΡΙΖΑ | TP4056 |
| AD8056ARZ | LNK302DG |
| ΣΕ74LV245APWR | LNK302DG |
| ΣΕ74LV244ANSR | FB423226T-Y7 |
| TC4049BF | FM24CL16-G |
| D2SB60 | Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
| DS90CF363BMT | NJM2119M |
| ΣΕ74ΑΣ74ΔΡ | Το TMS320VC5402PGE100 |
| SKN240/12 | MC1350DR2 |
| MPU-6050 | LIS331DLHTR |
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
MT9D131C12STC-DP ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash μνήμη IC ΝΕΟ και πρωτότυπο αποθεματικό
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
BAT54HT1G Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
BAT54SLT1G Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAT54A Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Δίοδος διορθωτή τύπου γέφυρας 1N4007 50 έως 1000 V 1,0 A
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
Πυρηνικό γυαλί Παθητικό 1,0 W Zener Diodes Πυρηνικό Παθητικό Σύνδεσμο Silicon Zener Diode 1n4733A
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
NDT456P Διοδίος διορθωτή P-Διαύλου Μεθόδου Ενίσχυσης Πεδίου Τρανζίστορα
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
TIP127 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
MT9D131C12STC-DP ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
|
|
|
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash μνήμη IC ΝΕΟ και πρωτότυπο αποθεματικό |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
|
|
|
BAT54HT1G Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
|
|
|
BAT54SLT1G Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
BAT54A Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
Δίοδος διορθωτή τύπου γέφυρας 1N4007 50 έως 1000 V 1,0 A |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
|
|
|
|
Πυρηνικό γυαλί Παθητικό 1,0 W Zener Diodes Πυρηνικό Παθητικό Σύνδεσμο Silicon Zener Diode 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
|
|
|
|
NDT456P Διοδίος διορθωτή P-Διαύλου Μεθόδου Ενίσχυσης Πεδίου Τρανζίστορα |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
|
|
|
|
TIP127 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs