Δίοδος διορθωτή τύπου γέφυρας 1N4007 50 έως 1000 V 1,0 A
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Δίοδος διορθωτή τύπου γέφυρας 1N4007 50 έως 1000 V 1,0 A
Ειδικότητα
Κατασκευή χαμηλής επιφάνειας
Χαμηλή πτώση τάσης προς τα εμπρός
Χαμηλή ανάποδη διαρροήΥψηλή ικανότητα προωθητικού ρεύματος
Εγγυημένη συγκόλληση υψηλής θερμοκρασίας:
260 °C/10 δευτερόλεπτα/.375 ′′ (9,5mm) οδήγησε leCM GROUPh σε 5 lbs (2,3kg) ένταση
ΕΜΠΙΔΑΜΑΤΑ ΤΗΣ ΜΕΧΑΝΙΚΗΣ
Υπόθεση: Πλαστικό μεταφοράς
poxy: επιβραδύνων φλόγας UL94V-O
Πολικότητα: Χρωματική ζώνη υποδηλώνει το τέλος του καθοδίου
Πρωτεύον: Πλατιωμένο άξιο μολύβι, πώσιμο σύμφωνα με τη μέθοδο MIL-STD-202E 208C
Θέση τοποθέτησης: Οποιαδήποτε
Βάρος: 0.012 ουγγιές, 0.33 γραμμάρια
Μέγιστες ικανότητες και ηλεκτρικά χαρακτηριστικά
· Δυναμίες σε θερμοκρασία περιβάλλοντος 25 oC, εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά · Μία φάση, μισό κύμα, 60 Hz, αντίσταση ή επαγωγικό φορτίο · Για χωρητικό φορτίο με τάση 20%
| Μέγιστη τάση RMS | ΣΥΜΒΟΛΟΙ | 1N4001 | 1N4002 | 1N4003 | 1N4004 | 1N4005 | 1N4006 | 1N4007 | ΕΝΩΡΙΑ |
| Μέγιστη τάση αποκλεισμού συνεχούς ρεύματος |
Βρρμ |
50 | 100 | 200 |
400 |
600 | 800 | 1000 | V |
| Μέγιστο μέσο προωθητικό διορθωμένο ρεύμα 0,375 ̊ (9,5 mm) μόλυβδο leCM GROUPh σε TA= 25°C | Βρμ | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| Σημαντικό ρεύμα προώθησης 8,3mS με ένα μόνο μισό κύμα sinus που επικαλύπτεται με ονομαστικό φορτίο (μέθοδος JEDEC) | VΔ.Σ. | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 100 | V |
| Μέγιστη στιγμιαία προωθητική τάση @ 1,0A | (Av) | 1.0 | Α | ||||||
|
Μέγιστη αντιστροφή συνεχούς ρεύματοςTA = 25°C Τρέχων σε ονομαστική τιμή Συνεχή παρεμπόδισηΔΕ = 100VΠρόταση ανά στοιχείο |
Επικεφαλής | 5.0 | μA | ||||||
| Vf | 50 | μA | |||||||
| Μέγιστο αντίστροφο ρεύμα πλήρους φόρτωσης, μέσος όρος πλήρους κύκλου 0,375 ′′ (9,5 mm) Lead leCM GROUPh σε TL = 75 °C | Επικοινωνία | 30 | μA | ||||||
| Τυπική χωρητικότητα διασταύρωσης (Σημείωση 1) | Γj | 13 | μA | ||||||
| Τυπική θερμική αντίσταση (Σημείωση 2) | RθJA | 50 | °C /w | ||||||
| Πεδίο θερμοκρασίας λειτουργίας διασταύρωσης | Τj | -55 έως +150 | °C | ||||||
| Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης | ΤΕΜΤ | -55 έως +150 | °C | ||||||
Σημειώσεις:
1Μετρώνται σε 1,0MHz και εφαρμόζεται αντίστροφη τάση 4,0V DC.
2Θερμική αντίσταση από τη σύνδεση με τα τερματικά 6.0mm2 χαλκού pads σε κάθε τερματικό.
3Το μέγεθος του τσιπ είναι 40 χιλιοστά.
MT9D131C12STC-DP ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash μνήμη IC ΝΕΟ και πρωτότυπο αποθεματικό
BAT54HT1G Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ
BAT54SLT1G Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων
BAT54A Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων
TIL117M Ηλεκτρονικά εξαρτήματα Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Προγραμματική μνήμη
Πυρηνικό γυαλί Παθητικό 1,0 W Zener Diodes Πυρηνικό Παθητικό Σύνδεσμο Silicon Zener Diode 1n4733A
NDT456P Διοδίος διορθωτή P-Διαύλου Μεθόδου Ενίσχυσης Πεδίου Τρανζίστορα
TIP127 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
MT9D131C12STC-DP ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
|
|
|
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash μνήμη IC ΝΕΟ και πρωτότυπο αποθεματικό |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
|
|
|
BAT54HT1G Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
|
|
|
BAT54SLT1G Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
BAT54A Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
TIL117M Ηλεκτρονικά εξαρτήματα Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Προγραμματική μνήμη |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
|
|
|
|
Πυρηνικό γυαλί Παθητικό 1,0 W Zener Diodes Πυρηνικό Παθητικό Σύνδεσμο Silicon Zener Diode 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
|
|
|
|
NDT456P Διοδίος διορθωτή P-Διαύλου Μεθόδου Ενίσχυσης Πεδίου Τρανζίστορα |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
|
|
|
|
TIP127 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|