Πυρηνικό γυαλί Παθητικό 1,0 W Zener Diodes Πυρηνικό Παθητικό Σύνδεσμο Silicon Zener Diode 1n4733A
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
1N4728A~1N4764A
ΠΑΣΙΒΑΤΗΣ ΚΑΤΑΣΗΣ ΚΑΤΑΣΙΟΝΟΥ ΔΙΟΔΟΥ ZENER
Ειδικά χαρακτηριστικά
• Πακέτο χαμηλού προφίλ
• Ενσωματωμένη ανακούφιση
• Χαμηλή επαγωγικότητα
• Υψηλής θερμοκρασίας συγκόλληση: 260°C / 10 δευτερόλεπτα στα τερματικά
• Η πλαστική συσκευασία έχει την ταξινόμηση εύφλεκτης ικανότητας του εργαστηρίου Underwriters 94V-O
• Διατίθενται τόσο κανονικά όσο και προϊόντα χωρίς Pb:
Συνήθως: 80 έως 95% Sn, 5 έως 20% Pb
Απαλλαγμένο από Pb: 98,5% Sn άνω
ΕΜΠΙΔΑΜΑΤΑ ΤΗΣ ΜΕΧΑΝΙΚΗΣ
• Κουτί: Τυλιγμένο γυαλί DO-41G / Τυλιγμένο πλαστικό DO-41
• Εποξυ: 94V-O ποσοστό επιβραδυντή φλόγας
• Τερματικά: Αξιακές αγωγές, συγκολλητές σύμφωνα με το MIL-STD-202,
• Εγγυημένη μέθοδος 208 • Πολικότητα: Χρωματική ζώνη υποδηλώνει θετικό τέλος
• Θέση τοποθέτησης:
• Βάρος: 0.012 ουγγιές, 0.3 γραμμάρια
• Πληροφορίες για την παραγγελία: Προθεσμία: -Γ για παραγγελία Τυποποιημένη γυάλινη συσκευασία Προθεσμία:
• Πληροφορίες συσκευασίας Β - 1 χλμ. ανά χύδη κουτί Τ/Ρ - 5 χλμ. ανά 13 ιντσών χαρτί Τ/Β - 2,5 χλμ. ανά οριζόντια ταινία & κουτί πυρομαχικών
Μέγιστες ικανότητες και ηλεκτρικά χαρακτηριστικά
Δυνάμεις σε θερμοκρασία περιβάλλοντος 25 °C, εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά.
| Παράμετρος | σύμβολο | Αξία | μονάδα |
| Δύναμη D εξάπλωσης στο TAM b = 25Ο C | ΠΤΟ Τ | 1 | 1 W * |
| Θερμοκρασία διασταύρωσης | TJ | 150 | Ο C |
| Τεχνολογία αποθήκευσης | TSTG | -55 έως + 150 | Ο C |
MT9D131C12STC-DP ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash μνήμη IC ΝΕΟ και πρωτότυπο αποθεματικό
BAT54HT1G Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ
BAT54SLT1G Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων
BAT54A Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων
TIL117M Ηλεκτρονικά εξαρτήματα Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Προγραμματική μνήμη
Δίοδος διορθωτή τύπου γέφυρας 1N4007 50 έως 1000 V 1,0 A
NDT456P Διοδίος διορθωτή P-Διαύλου Μεθόδου Ενίσχυσης Πεδίου Τρανζίστορα
TIP127 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
MT9D131C12STC-DP ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
|
|
|
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash μνήμη IC ΝΕΟ και πρωτότυπο αποθεματικό |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
|
|
|
BAT54HT1G Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
|
|
|
BAT54SLT1G Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
BAT54A Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
TIL117M Ηλεκτρονικά εξαρτήματα Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Προγραμματική μνήμη |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
|
|
|
|
Δίοδος διορθωτή τύπου γέφυρας 1N4007 50 έως 1000 V 1,0 A |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
|
|
|
|
NDT456P Διοδίος διορθωτή P-Διαύλου Μεθόδου Ενίσχυσης Πεδίου Τρανζίστορα |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
|
|
|
|
TIP127 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|