NDT456P Διοδίος διορθωτή P-Διαύλου Μεθόδου Ενίσχυσης Πεδίου Τρανζίστορα
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
NDT456P Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου με λειτουργία ενίσχυσης P-καναλιού
Χαρακτηριστικά
* -7,5 A, -30 V. RDS(ON) = 0,030 W @ VGS = -10 V RDS(ON) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V
* Σχεδιασμός κυψελών υψηλής πυκνότητας για εξαιρετικά χαμηλό RDS ((ON)
* Υψηλή ισχύς και ικανότητα χειρισμού ρεύματος σε ένα ευρέως χρησιμοποιούμενο πακέτο επιφανειακής τοποθέτησης.
Γενική περιγραφή
Τα τρανζίστορα με αποτέλεσμα πεδίου ισχύος Power SOT P-Channel enhancement mode παράγονται χρησιμοποιώντας την ιδιόκτητη τεχνολογία DMOS υψηλής πυκνότητας κυττάρων της Fairchild.Αυτή η διαδικασία πολύ υψηλής πυκνότητας είναι ειδικά σχεδιασμένη για να ελαχιστοποιήσει την αντίσταση σε κατάσταση λειτουργίας και να παρέχει ανώτερη απόδοση εναλλαγήςΟι συσκευές αυτές είναι ιδιαίτερα κατάλληλες για εφαρμογές χαμηλής τάσης, όπως η διαχείριση ισχύος υπολογιστών φορητών υπολογιστών, κυκλώματα που τροφοδοτούνται από μπαταρίες και ο έλεγχος κινητήρων συνεχούς ρεύματος.
| Σύμβολο | Παράμετρος | Απαλλαγή | Μονάδες |
| VΔΕΣ | Η τάση της πηγής αποχέτευσης | - 30 | V |
| VΓΣΣ | Η τάση πύλης πύλης | ±20 | V |
| TJ, TSTG | Πεδίο θερμοκρασίας λειτουργίας και αποθήκευσης | 65 έως 150 | °C |
| Επικαιροποίηση | Θερμική αντοχή, διασύνδεση με το περιβάλλον (σημείωση 1α) | 42 | °C/W |
| RqJC | Θερμική αντοχή, σύνδεση με θήκη (σημείωση 1) | 12 | °C/W |
MT9D131C12STC-DP ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash μνήμη IC ΝΕΟ και πρωτότυπο αποθεματικό
BAT54HT1G Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ
BAT54SLT1G Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων
BAT54A Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων
TIL117M Ηλεκτρονικά εξαρτήματα Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Προγραμματική μνήμη
Δίοδος διορθωτή τύπου γέφυρας 1N4007 50 έως 1000 V 1,0 A
Πυρηνικό γυαλί Παθητικό 1,0 W Zener Diodes Πυρηνικό Παθητικό Σύνδεσμο Silicon Zener Diode 1n4733A
TIP127 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
MT9D131C12STC-DP ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
|
|
|
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash μνήμη IC ΝΕΟ και πρωτότυπο αποθεματικό |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
|
|
|
BAT54HT1G Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
|
|
|
BAT54SLT1G Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
BAT54A Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
|
|
TIL117M Ηλεκτρονικά εξαρτήματα Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Προγραμματική μνήμη |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
|
|
|
|
Δίοδος διορθωτή τύπου γέφυρας 1N4007 50 έως 1000 V 1,0 A |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
|
|
|
|
Πυρηνικό γυαλί Παθητικό 1,0 W Zener Diodes Πυρηνικό Παθητικό Σύνδεσμο Silicon Zener Diode 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
|
|
|
|
TIP127 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|