logo
Να στείλετε μήνυμα
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국
Σπίτι
προϊόντα
κατασκευαστών
Περίπου εμείς
πόροι
Στείλετε το RFQ
μεταφορτώστε
Σπίτι>προϊόντα>

epitaxial planar pnp transistor

Φίλτρα
Κατηγορίες
Φίλτρα

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

(2423)

Προγραμματίσημο τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

(148)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος υπολογιστών

(34)

Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών οδηγήσεων

(144)

Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα δύναμης

(1000)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

(41211)

Μονάδα μικροελεγκτή MCU

(535)

Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών επίδειξης

(382)

IGBT Power Module

(153)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών

(358)

ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

(3345)

Ηλεκτρονικά συστατικά

(279)
λέξεις κλειδιά   [ epitaxial planar pnp transistor ]  Αντιστοιχία 26 προϊόντα.
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Η διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 3 (BJT) μια επιφάνεια 50MHz 1 W τοποθετεί δ-Pak
Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB

Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 10 Α 50 W (BJT) μέσω της τρύπας -220
Η επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών 140MHz 625mW FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP τοποθετεί το ΜΈΘΥΣΟ 23 3

Η επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών 140MHz 625mW FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP τοποθετεί το ΜΈΘΥΣΟ 23 3

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP (BJT) - DarliCM GROUPon 100 Β 800 μΑ 140MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επ
Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP

Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 10 Α 50 W (BJT) μέσω της τρύπας -220
Η επιφάνεια καναλιών 60V 300mA (TA) 417mW κρυσταλλολυχνιών Π BSH201,215 NPN PNP (TA) τοποθετεί

Η επιφάνεια καναλιών 60V 300mA (TA) 417mW κρυσταλλολυχνιών Π BSH201,215 NPN PNP (TA) τοποθετεί

P-Channel 60 επιφάνεια Β 300mA (TA) 417mW (TA) τοποθετεί -236AB
2N7002PW η επιφάνεια τοποθετεί το κανάλι 60V 310mA (TA) 260mW κρυσταλλολυχνιών Ν NPN PNP

2N7002PW η επιφάνεια τοποθετεί το κανάλι 60V 310mA (TA) 260mW κρυσταλλολυχνιών Ν NPN PNP

N-Channel 60 υποστήριγμα μέθυσος-323 επιφάνειας Β 315mA (TA) 260mW (TA)
Ενιαία διαμόρφωση τύπων κρυσταλλολυχνιών NPN ΣΥΝΕΧΟΎΣ 0.15A γενικού σκοπού 2SD2227STPW 50V

Ενιαία διαμόρφωση τύπων κρυσταλλολυχνιών NPN ΣΥΝΕΧΟΎΣ 0.15A γενικού σκοπού 2SD2227STPW 50V

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 50 Β 150 μΑ 250MHz (BJT) 300 MW μέσω της τρύπας SPT
PIMN31,115 NPN / PNP Αντίσταση Εξοπλισμένο Τρανζίστορα 500 MA 50V Διπλό Πύλη Τρανζίστορα

PIMN31,115 NPN / PNP Αντίσταση Εξοπλισμένο Τρανζίστορα 500 MA 50V Διπλό Πύλη Τρανζίστορα

Προπροκατευθυνόμενος διπολικός τρανζίστορας (BJT) 2 NPN - Προκατευθυνόμενος (διπλός) 50V 500mA 420mW
BD140 3 ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΕΠΙΠΕΔΗ PNP καρφιτσών ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ κρυσταλλολυχνιών

BD140 3 ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΕΠΙΠΕΔΗ PNP καρφιτσών ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ κρυσταλλολυχνιών

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Τρανζίστορ Power Mosfet Si-Επιταξιακά επίπεδα Τρανζίστορ μεταγωγής

PZT2907A Τρανζίστορ Power Mosfet Si-Επιταξιακά επίπεδα Τρανζίστορ μεταγωγής

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Εικόναμέρος #ΠεριγραφήκατασκευαστήςΑπόθεμαRFQ
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
Η διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 3 (BJT) μια επιφάνεια 50MHz 1 W τοποθετεί δ-Pak
Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB

Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 10 Α 50 W (BJT) μέσω της τρύπας -220
Η επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών 140MHz 625mW FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP τοποθετεί το ΜΈΘΥΣΟ 23 3

Η επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών 140MHz 625mW FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP τοποθετεί το ΜΈΘΥΣΟ 23 3
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP (BJT) - DarliCM GROUPon 100 Β 800 μΑ 140MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επ
Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP

Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 10 Α 50 W (BJT) μέσω της τρύπας -220
Η επιφάνεια καναλιών 60V 300mA (TA) 417mW κρυσταλλολυχνιών Π BSH201,215 NPN PNP (TA) τοποθετεί

Η επιφάνεια καναλιών 60V 300mA (TA) 417mW κρυσταλλολυχνιών Π BSH201,215 NPN PNP (TA) τοποθετεί
P-Channel 60 επιφάνεια Β 300mA (TA) 417mW (TA) τοποθετεί -236AB
2N7002PW η επιφάνεια τοποθετεί το κανάλι 60V 310mA (TA) 260mW κρυσταλλολυχνιών Ν NPN PNP

2N7002PW η επιφάνεια τοποθετεί το κανάλι 60V 310mA (TA) 260mW κρυσταλλολυχνιών Ν NPN PNP
N-Channel 60 υποστήριγμα μέθυσος-323 επιφάνειας Β 315mA (TA) 260mW (TA)
Ενιαία διαμόρφωση τύπων κρυσταλλολυχνιών NPN ΣΥΝΕΧΟΎΣ 0.15A γενικού σκοπού 2SD2227STPW 50V

Ενιαία διαμόρφωση τύπων κρυσταλλολυχνιών NPN ΣΥΝΕΧΟΎΣ 0.15A γενικού σκοπού 2SD2227STPW 50V
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 50 Β 150 μΑ 250MHz (BJT) 300 MW μέσω της τρύπας SPT
PIMN31,115 NPN / PNP Αντίσταση Εξοπλισμένο Τρανζίστορα 500 MA 50V Διπλό Πύλη Τρανζίστορα

PIMN31,115 NPN / PNP Αντίσταση Εξοπλισμένο Τρανζίστορα 500 MA 50V Διπλό Πύλη Τρανζίστορα
Προπροκατευθυνόμενος διπολικός τρανζίστορας (BJT) 2 NPN - Προκατευθυνόμενος (διπλός) 50V 500mA 420mW
BD140 3 ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΕΠΙΠΕΔΗ PNP καρφιτσών ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ κρυσταλλολυχνιών

BD140 3 ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΕΠΙΠΕΔΗ PNP καρφιτσών ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ κρυσταλλολυχνιών
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Τρανζίστορ Power Mosfet Si-Επιταξιακά επίπεδα Τρανζίστορ μεταγωγής

PZT2907A Τρανζίστορ Power Mosfet Si-Επιταξιακά επίπεδα Τρανζίστορ μεταγωγής
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Κρυσταλλικό επίπεδο ακουστικό mosfet 2SB1560, δύναμης πυριτίου PNP

Κρυσταλλικό επίπεδο ακουστικό mosfet 2SB1560, δύναμης πυριτίου PNP
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία πυριτίου PNP, ακουστικό mosfet δύναμης 2SB1560

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία πυριτίου PNP, ακουστικό mosfet δύναμης 2SB1560
Διπολικό τρανζίστορ (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Κρυσταλλικές επίπεδες κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου PNP/NPN 2SC5707 για την υψηλής τάσης μετατροπή

Κρυσταλλικές επίπεδες κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου PNP/NPN 2SC5707 για την υψηλής τάσης μετατροπή
Η διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 50 Β 8 (BJT) μια επιφάνεια 330MHz 1 W τοποθετεί το tp-FA
2SB1219A Mosfet δύναμης κρυσταλλικός επίπεδος τύπος πυριτίου PNP κρυσταλλολυχνιών

2SB1219A Mosfet δύναμης κρυσταλλικός επίπεδος τύπος πυριτίου PNP κρυσταλλολυχνιών
Η διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 50 Β 500 μΑ 200MHz (BJT) επιφάνεια 150 MW τοποθετεί SMini3-G1
Ολοκαίνουργιος αρχικός όρος πυριτίου SANKEN κρυσταλλολυχνιών 2SA1295 PNP κρυσταλλικός επίπεδος

Ολοκαίνουργιος αρχικός όρος πυριτίου SANKEN κρυσταλλολυχνιών 2SA1295 PNP κρυσταλλικός επίπεδος
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 230 Β 17 Α 35MHz 200 W (BJT) μέσω της τρύπας ΑΜ-200
BCP55 ο πίνακας κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών πελεκά την επιφάνεια τοποθετεί κρυσταλλικό επίπεδο Si

BCP55 ο πίνακας κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών πελεκά την επιφάνεια τοποθετεί κρυσταλλικό επίπεδο Si
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 60 Β 1,5 ένα υποστήριγμα μέθυσος-223-4 (BJT) επιφάνειας 1,5 W
Τρανζίστορ μονάδας EMD3T2R Power Mosfet Γενικής χρήσης (Διπλά Ψηφιακά Τρανζίστορ)

Τρανζίστορ μονάδας EMD3T2R Power Mosfet Γενικής χρήσης (Διπλά Ψηφιακά Τρανζίστορ)
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
TIP2955 συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες δύναμης που μεταστρέφουν mosfet δύναμης χαμηλής ισχύος mosfet

TIP2955 συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες δύναμης που μεταστρέφουν mosfet δύναμης χαμηλής ισχύος mosfet
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
TIP3055 mosfet υψηλής δύναμης κρυσταλλολυχνιών δύναμης πυριτίου NPN κρυσταλλολυχνίες

TIP3055 mosfet υψηλής δύναμης κρυσταλλολυχνιών δύναμης πυριτίου NPN κρυσταλλολυχνίες
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
MMBT3904-7-Φ Η ΠΟΛΥ ΕΚΠΟΜΠΏΝ ΕΠΙΦΆΝΕΙΑ ΣΗΜΆΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ NPN ΜΙΚΡΉ ΤΟΠΟΘΕΤΕΊ ΤΗΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ

MMBT3904-7-Φ Η ΠΟΛΥ ΕΚΠΟΜΠΏΝ ΕΠΙΦΆΝΕΙΑ ΣΗΜΆΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ NPN ΜΙΚΡΉ ΤΟΠΟΘΕΤΕΊ ΤΗΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Ddtc123eca-7-φ προ-PRE-BIASED το NPN ΜΙΚΡΌ ΣΉΜΑ μέθυσος-23 ΕΠΙΦΆΝΕΙΑ ΤΟΠΟΘΕΤΕΊ mosfet δύναμης ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ mosfet δύναμης ενότητας το ολοκληρωμένο κύκλωμα

Ddtc123eca-7-φ προ-PRE-BIASED το NPN ΜΙΚΡΌ ΣΉΜΑ μέθυσος-23 ΕΠΙΦΆΝΕΙΑ ΤΟΠΟΘΕΤΕΊ mosfet δύναμης ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ mosfet δύναμης ενότητας το ολοκληρωμένο κύκλωμα
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
Κρυσταλλική κρυσταλλολυχνία πυριτίου MMBT5401 PNP 3000 PC 2L μέθυσος-23

Κρυσταλλική κρυσταλλολυχνία πυριτίου MMBT5401 PNP 3000 PC 2L μέθυσος-23
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 150 Β 600 μΑ 300MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 350 MW
Mosfet κρυσταλλολυχνιών σκοπού BC856B SMD γενικό (PNP) χαμηλής ισχύος mosfet δύναμης υψηλής τάσης

Mosfet κρυσταλλολυχνιών σκοπού BC856B SMD γενικό (PNP) χαμηλής ισχύος mosfet δύναμης υψηλής τάσης
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 65 Β 100 μΑ 150MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 350 MW
BC858B η ΕΠΙΦΑΝΕΙΑ ΤΟΠΟΘΕΤΕΙ τον ηλεκτρικό πίνακα κυκλωμάτων ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ ΠΥΡΙΤΊΟΥ PNP, προγραμματίσημο ολοκληρωμένο κύκλωμα

BC858B η ΕΠΙΦΑΝΕΙΑ ΤΟΠΟΘΕΤΕΙ τον ηλεκτρικό πίνακα κυκλωμάτων ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ ΠΥΡΙΤΊΟΥ PNP, προγραμματίσημο ολοκληρωμένο κύκλωμα
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 30 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 250 MW (-2
Mmbt2907a-7-φ τσιπ 60V λάμψης μνήμης ολοκληρωμένου κυκλώματος έγχρωμου τηλεοπτικού δέκτη τσιπ προγράμματος ολοκληρωμένο κύκλωμα διόδων διορθωτών

Mmbt2907a-7-φ τσιπ 60V λάμψης μνήμης ολοκληρωμένου κυκλώματος έγχρωμου τηλεοπτικού δέκτη τσιπ προγράμματος ολοκληρωμένο κύκλωμα διόδων διορθωτών
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 600 μΑ 200MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 300 MW
Ddtc143xca-7-φ αρχικό τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος διόδων προμηθευτών της Κίνας διόδων διορθωτών τύπων γεφυρών διόδων διορθωτών

Ddtc143xca-7-φ αρχικό τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος διόδων προμηθευτών της Κίνας διόδων διορθωτών τύπων γεφυρών διόδων διορθωτών
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
1
Επικοινωνήστε μαζί μας
Διεύθυνση: Room 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο: sales@cmhk-ic.com
Τηλέφωνο: 86-755-88367702
προϊόντα

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Προγραμματίσημο τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος υπολογιστών

Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών οδηγήσεων

Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα δύναμης

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Μονάδα μικροελεγκτή MCU

Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών επίδειξης

IGBT Power Module

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών
Περίπου εμείς
Περίπου εμείς Πιστοποιητικό του ISO Ελεγχος ποιότητας Πολιτική μυστικότητας Κέντρο βοήθειας
Πολιτική μυστικότητας | Καλή ποιότητα της Κίνας Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης Προμηθευτής. Πνευματικά δικαιώματα © 2023-2025 icmemorychip.com . Διατηρούνται όλα τα πνευματικά δικαιώματα.