2N7002PW η επιφάνεια τοποθετεί το κανάλι 60V 310mA (TA) 260mW κρυσταλλολυχνιών Ν NPN PNP
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
2N7002PW NPN PNP Τρανζίστορες N-Κανάλι 60V 310mA (Ta) 260mW (Ta) Επιφανειακό στερέωμα SC-70
Περιγραφή
Αυτό το MOSFET έχει σχεδιαστεί για να ελαχιστοποιεί την αντίσταση σε κατάσταση λειτουργίας (RDS ((ON)) και να διατηρεί την ανώτερη απόδοση εναλλαγής, καθιστώντας το ιδανικό για εφαρμογές διαχείρισης ενέργειας υψηλής απόδοσης.
Εφαρμογές
Έλεγχος της κίνησης
Λειτουργίες διαχείρισης ενέργειας
Χαρακτηριστικά
Χαμηλή αντίσταση
Χαμηλή τάση κατώτατης τάσης
Μικρή χωρητικότητα εισόδου
Γρήγορη ταχύτητα αλλαγής
Συσκευή μικρής επιφάνειας
Πλήρως απαλλαγμένη από μόλυβδο και πλήρως συμβατή με το RoHS (Σημειώσεις 1 και 2)
Χωρίς αλογένιο και αντιμόνιο. Πράσινη συσκευή (Σημειώσεις 3 και 4)
Αρμόδια με τα πρότυπα AEC-Q101 για την υψηλή αξιοπιστία
Μηχανικά δεδομένα
Υπόθεση: SOT23
Υλικό θήκης: Σχηματισμένο πλαστικό, Green Συστατικό σχηματισμού. Τεχνική κατάταξη εύφλεκτης ικανότητας UL 94V-0 Ευαισθησία σε υγρασία: Επίπεδο 1 ανά J-STD-020
Τερματικά: Ματ Τίνα Φινίρισμα ζαχαρωμένο πάνω από πλέγμα μολύβδου από κράμα 42 (Χωρίς μολύβι).
Συνδέσεις τερματικών: Βλέπε διάγραμμα
Βάρος: 0,008 γραμμάρια (περίπου)
| Χαρακτηριστικά του προϊόντος | Επιλέξτε όλα |
| Κατηγορίες | Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών |
| Τρανζιστοί - FET, MOSFET - Μοναδικός | |
| Κατασκευαστής | Nexperia USA Inc. |
| Σειρά | - |
| Συσκευή | Ταινία και τροχό (TR) |
| Κατάσταση τμήματος | Ενεργός |
| Τύπος FET | N-Κανάλι |
| Τεχνολογία | MOSFET (οξείδιο μετάλλου) |
| Τεχνική μέθοδος | 60V |
| Τρέχοντας - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C | 310mA (Ta) |
| Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019 | 10V |
| Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs | 1.6 Ωμ @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250μA |
| Τεχνική διάταξη | 0.8nC @ 4,5V |
| Vgs (μέγιστο) | ±20V |
| Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Χαρακτηριστικό FET | - |
| Δυναμική διάσπαση (μέγιστη) | 260mW (Ta) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Επεξεργασία επιφανείας |
| Πακέτο συσκευής του προμηθευτή | ΣΚ-70 |
| Πακέτο / Κουτί | SC-70, SOT-323 |
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC