Κρυσταλλικό επίπεδο ακουστικό mosfet 2SB1560, δύναμης πυριτίου PNP
κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiation
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Package:
TO-3PN
Applications:
Audio ,regulator and general purpose
Κυριώτερο σημείο:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Εισαγωγή
Κρυσταλλικό επίπεδο ακουστικό mosfet 2SB1560, δύναμης πυριτίου PNP
DarliCM GROUPon 2SB1560
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία πυριτίου PNP (συμπλήρωμα στον τύπο 2SD2390)
| ΚΑΡΦΙΤΣΑ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
| 1 | Βάση |
| 2 | Συλλέκτης συνδεμένος με τοποθετώντας βάση |
| 3 | Εκπομπός |
| ΣΥΜΒΟΛΟ | ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ | ΟΡΟΙ | VALUE | ΜΟΝΑΔΑ |
| VCBO | Συλλέκτη-βάσης τάση | Ανοικτός εκπομπός | -160 | Β |
| VCEO | Τάση συλλέκτης-εκπομπών | Ανοικτή βάση | -150 | Β |
| VEBO | Emitter-base τάση | Ανοικτός συλλέκτης | -5 | Β |
| Ολοκληρωμένο κύκλωμα | Ρεύμα συλλεκτών | -10 | Α | |
| IB | Ρεύμα βάσεων | 1 | Α | |
| PC | Διασκεδασμός δύναμης συλλεκτών | TC =25℃ | 100 | W |
| Tj | Θερμοκρασία συνδέσεων | 150 | ℃ | |
| Tstg | Θερμοκρασία αποθήκευσης | -55~150 | ℃ |
| ΣΥΜΒΟΛΟ | ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ | ΟΡΟΙ | Λ. | ΤΥΠΟΣ. | MAX | ΜΟΝΑΔΑ |
| Β (BR) CEO | Τάση διακοπής συλλέκτης-εκπομπών | Ολοκληρωμένο κύκλωμα =-30mA IB =0 | -150 | Β | ||
| VCEsat | Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών | Ολοκληρωμένο κύκλωμα =-7A IB =-7mA | -2.5 | Β | ||
| VBEsat | Base-emitter τάση κορεσμού | Ολοκληρωμένο κύκλωμα =-7A IB =-7mA | -3.0 | Β | ||
| ICBO | Ο συλλέκτης έκοψε το ρεύμα | VCB =-160V ΔΗΛ. =0 | -100 | μA | ||
| IEBO | Ο εκπομπός έκοψε το ρεύμα | VEB =-5V Ολοκληρωμένο κύκλωμα =0 | -100 | μA | ||
| hFE | ΣΥΝΕΧΕΣ τρέχον κέρδος | Ολοκληρωμένο κύκλωμα =-7A VCE =-4V | 5000 | |||
| Σπάδικας | Ικανότητα παραγωγής | ΔΗΛ. =0 VCB =10V f=1MHz | 230 | pF | ||
| FT | Συχνότητα μετάβασης | Ολοκληρωμένο κύκλωμα =-2A VCE =-12V | 50 | MHZ | ||
| Χρόνοι διακοπής | ||||||
| τόνος | Διεγερτικός χρόνος |
Ολοκληρωμένο κύκλωμα =-7A RL =10Ω |
0,8 | μs | ||
| TS | Χρόνος αποθήκευσης | 3.0 | μs | |||
| TF | Χρόνος πτώσης | 1.2 | μs | |||
| Ο | Π | Υ |
| 5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
ΠΕΡΙΛΗΨΗ ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑΣ
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
20