Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Εικόναμέρος #ΠεριγραφήκατασκευαστήςΑπόθεμαRFQ
BAS70-04 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAS70-04 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 70 διόδων επιφάνεια Β 70mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
BAS316 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAS316 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Επιφανειακή βάση διόδου 75 V 150mA SOT-23-3
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
1PS76SB10,135 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΓΝΗΣΙΟ ΣΤΟΚ

1PS76SB10,135 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΓΝΗΣΙΟ ΣΤΟΚ

Δίοδος 30 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 200mA
Κατασκευαστής
ΣΥΜΒΟΥΛΗ 122 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

ΣΥΜΒΟΥΛΗ 122 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN (BJT) - DarliCM GROUPon 100 Β 5 Α 2 W μέσω της τρύπας -220
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
BTA41-600BQ ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BTA41-600BQ ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

TRIAC πρότυπα 600 Β 40 Α μέσω της τρύπας -3P
Κατασκευαστής
BTA41-600BRG ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BTA41-600BRG ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

TRIAC πρότυπα 600 Β 40 Α μέσω της τρύπας TOP3
STMicroelectronics
STP55NF06 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

STP55NF06 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

N-Channel 60 Β 50A (TC) 110W (TC) Μέσω της τρύπας -220
STMicroelectronics
STP110N7F6 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

STP110N7F6 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

N-Channel 68 Β 110A (TC) 176W (TC) Μέσω της τρύπας -220
STMicroelectronics
BAS40-06 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAS40-06 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά κοινή άνοδος 40 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
BAS70-04 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAS70-04 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 70 διόδων επιφάνεια Β 70mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
BAS70-04 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAS70-04 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 70 διόδων επιφάνεια Β 70mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
BAS70-05 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAS70-05 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά κοινή κάθοδος 70 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 70mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-59
Κατασκευαστής
BAS70-06 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAS70-06 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά κοινή άνοδος 70 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 70mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
BAT54 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAT54 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Δίοδος 30 υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνειας Β 200mA (-236)
Κατασκευαστής
BAS70 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAS70 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Δίοδος 70 υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνειας Β 70mA (-236)
Κατασκευαστής
BAS70-06 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAS70-06 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά κοινή άνοδος 70 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 70mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
BAT54A ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54A ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά κοινή άνοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
BAT54A ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54A ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά κοινή άνοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
BAT54A ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54A ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά κοινή άνοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-59
Κατασκευαστής
BAT54C ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54C ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά κοινή κάθοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
BAT54C ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54C ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Διοδιακή συστοιχία 1 ζευγάρι κοινή κάθοδος 30 V 200mA (DC) επιφάνειας TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Κατασκευαστής
BAT54C ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54C ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Διοδιακή συστοιχία 1 ζευγάρι κοινή κάθοδος 30 V 200mA (DC) επιφάνειας TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Κατασκευαστής
BAT54CW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAT54CW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά κοινή κάθοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί Sc-70, μέθυσος-323
Κατασκευαστής
BAT54CW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAT54CW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά κοινή κάθοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί Sc-70, μέθυσος-323
Κατασκευαστής
BAT54CW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAT54CW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά κοινή κάθοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 100mA τοποθετεί Sc-70, μέθυσος-323
Κατασκευαστής
BAT54 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Δίοδος 30 υποστήριγμα μέθυσος-23 επιφάνειας Β 200mA
Κατασκευαστής
BAT54SW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54SW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 30 διόδων επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί Sc-70, μέθυ
Κατασκευαστής
BAT54S ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54S ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 30 διόδων επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
BAT54SW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54SW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 30 διόδων επιφάνεια Β 100mA τοποθετεί Sc-70, μέθυσος-323
Κατασκευαστής
BAT54W ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54W ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Δίοδος 30 υποστήριγμα μέθυσος-323 επιφάνειας Β 200mA
Κατασκευαστής
BAT54W ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT54W ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Δίοδος 30 υποστήριγμα μέθυσος-323 επιφάνειας Β 200mA
Κατασκευαστής
BAT721C,215 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

BAT721C,215 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά κοινή κάθοδος 40 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-5
Κατασκευαστής
BAT721S_R1_00001 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT721S_R1_00001 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 40 διόδων επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-
Κατασκευαστής
BAT721S,215 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT721S,215 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 40 διόδων επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-
Κατασκευαστής
BAT74S,115 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT74S,115 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-3
Κατασκευαστής
BAT74S/S500X Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT74S/S500X Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά 30 διόδων επιφάνεια Β τοποθετεί -253-4, -253AA
Κατασκευαστής
BAT74S,115 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT74S,115 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-3
NXP
BAT74S,135 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT74S,135 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-3
Κατασκευαστής
BAT74,215 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT74,215 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -253-4, -253AA
Κατασκευαστής
BAT74S,115 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT74S,115 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-3
Κατασκευαστής
BAT74,235 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT74,235 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -253-4, -253AA
Κατασκευαστής
BAT754L,115 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT754L,115 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-3
Κατασκευαστής
BAT754S,215 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT754S,215 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 30 διόδων επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-
Κατασκευαστής
Τρανζίστορ εφέ πεδίου BAT760Z ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τρανζίστορ εφέ πεδίου BAT760Z ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Δίοδος 20 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 1A
Κατασκευαστής
BAT760,115 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT760,115 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Δίοδος 20 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 1A
Κατασκευαστής
BAT760Q-7 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BAT760Q-7 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Δίοδος 30 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 1A
Κατασκευαστής
Τρανζίστορ εφέ πεδίου BAV102 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Τρανζίστορ εφέ πεδίου BAV102 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η δίοδος 150 επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -213AA, μίνι-MELF
Κατασκευαστής
Τρανζίστορ εφέ πεδίου BAV199 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Τρανζίστορ εφέ πεδίου BAV199 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 85 διόδων επιφάνεια Β 140mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-
Κατασκευαστής
Τρανζίστορ εφέ πεδίου BAV199 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Τρανζίστορ εφέ πεδίου BAV199 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 75 διόδων επιφάνεια Β 215mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
IRF3205STRLPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

IRF3205STRLPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

N-Channel 55 επιφάνεια Β 110A (TC) 200W (TC) τοποθετεί D2PAK
Κατασκευαστής
25 26 27 28 29