Φίλτρα
Φίλτρα
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Τρανζίστορ εφέ πεδίου BAV21 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 250 V 250mA Through Hole DO-35
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
SFH615A-2 Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
4-ΕΜΒΎΘΙΣΗ καναλιών παραγωγής 5300Vrms 1 κρυσταλλολυχνιών Optoisolator
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP064NPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 55 Β 110A (TC) 200W (TC) Μέσω της τρύπας -247AC
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
IRFP4568PBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 150 Β 171A (TC) 517W (TC) Μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFP4368PBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 75 Β 195A (TC) 520W (TC) Μέσω της τρύπας -247AC
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
IRFP2907PBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 75 Β 209A (TC) 470W (TC) Μέσω της τρύπας -247AC
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
IRFP4868PBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ εφέ πεδίου IRFP450LC ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 500 V 14A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP250MPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFPE40PBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 800 Β 5.4A (TC) 150W (TC) Μέσω της τρύπας -247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
LH1525AABTR Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Στερεάς κατάστασης spst-ΚΑΝΕΝΑ (1 έντυπο Α) 6-SMD (0,300», 7.62mm)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFL4310TRPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFL024NTRPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 55 υποστήριγμα μέθυσος-223 επιφάνειας Β 2.8A (TA) 1W (TA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFL110TRPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 Β 1.5A (TC) 2W (TA), υποστήριγμα μέθυσος-223 επιφάνειας 3.1W (TC)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFL024ZTRPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 55 υποστήριγμα μέθυσος-223 επιφάνειας Β 5.1A (TA) 1W (TA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFL9014TRPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
P-Channel 60 V 1.8A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ εφέ πεδίου IRF5210STRLPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
P-Channel 100 Β 38A (TC) 3.1W (TA), επιφάνεια 170W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF540NPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 Β 33A (TC) 130W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF5210PBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
P-Channel 100 Β 40A (TC) 200W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF530NPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 Β 17A (TC) 70W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF5305STRLPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
P-Channel 55 Β 31A (TC) 3.8W (TA), επιφάνεια 110W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ εφέ πεδίου IRF530PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 Β 14A (TC) 88W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF540NSTRLPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Επιφανειακή βάση D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF530NSTRLPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 Β 17A (TC) 3.8W (TA), επιφάνεια 70W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
|
IRF5305PBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
P-Channel 55 Β 31A (TC) 110W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ εφέ πεδίου IRFB4310ZPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 Β 120A (TC) 250W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
IRFB4127PBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 200 Β 76A (TC) 375W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFL014NTRPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 55 υποστήριγμα μέθυσος-223 επιφάνειας Β 1.9A (TA) 1W (TA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BAS21 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 250 υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνειας Β 200mA
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
|
BAS20 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 150 υποστήριγμα μέθυσος-23 επιφάνειας Β 200mA
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS21 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 200 υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνειας Β 200mA (-236)
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
|
BAS21 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 250 υποστήριγμα μέθυσος-23 επιφάνειας Β 400mA
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS21 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 200 υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνειας Β 200mA (-236)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS21 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 250 υποστήριγμα μέθυσος-23 επιφάνειας Β 200mA
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS316 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 100 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 250mA
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS316 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 100 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 250mA
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS321JF ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 250 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 250mA
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY/ZLH ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 100 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY/ZLZ ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 100 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY/ZLX ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 100 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS321JX ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Δίοδος 200 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 250mA
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY/ZL,135 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΓΝΩΤΙΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 100 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY/ZLF ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 100 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY/ZL,115 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΑΥΤΟΝΤΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 100 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY-QZ ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Συστοιχία διόδων 3 Ανεξάρτητη βάση στήριξης επιφάνειας 100 V 200 mA 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY-QF ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Συστοιχία διόδων 3 Ανεξάρτητη βάση στήριξης επιφάνειας 100 V 200 mA 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY-QH ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 100 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY-QX ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 100 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY,135 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΑΥΤΟΝΤΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 100 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAS16VY,165 ΚΑΙΝΟΥΡΓΙΟ ΚΑΙ ΑΥΤΟΝΤΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 100 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-
|
Κατασκευαστής
|
|
|