Φίλτρα
Φίλτρα
IGBT Power Module
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRG4PC40WPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
IGBT 600 Β 40 Α 160 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40UPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
IGBT 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PH40UDPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
IGBT 1200 Β 41 Α 160 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UDPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
IGBT 1200 Β 45 Α 200 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ IRG4PC50UPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
IGBT 600 Β 55 Α 200 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ IRG4PC50WPBF Field Effect Transistor ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
IGBT 600 Β 55 Α 200 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WDPBF Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
IGBT 900 Β 51 Α 200 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP35B60PDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 60 Α 308 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
IRG4IBC20UDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT 600 Β 11,4 Α 34 W μέσω της τρύπας -220AB πλήρης-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50KDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT 600 Β 52 Α 200 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT 600 Β 55 Α 200 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT 900 Β 51 Α 200 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT 1200 Β 45 Α 200 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT 600 Β 55 Α 200 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGIB10B60KD1P ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 16 Α 44 W μέσω της τρύπας -220AB πλήρης-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 75 Α 370 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 75 Α 390 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP20B60PDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 40 Α 220 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP35B60PDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 60 Α 308 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGB6B60KDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 13 Α 90 W μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGS10B60KDTRRP ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 22 μια επιφάνεια 156 W τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP4660D-EPBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ |
IGBT 600 Β 100 Α 330 W μέσω της τρύπας -247AD
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP4062DPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Τάφρος 600 Β 48 Α 250 W IGBT μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP4068DPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Τάφρος 600 Β 96 Α 330 W IGBT μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGI4061DPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Τάφρος 600 Β 20 Α 43 W IGBT μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRAM136-1061A2 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Ενότητα IGBT 3 φάση 600 οδηγών δύναμης ενότητα Β 12 Α 29-PowerSSIP, 21 μόλυβδοι, διαμορφωμένοι μόλυβ
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGB4061DPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Τάφρος 600 Β 36 Α 206 W IGBT μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGB4062DPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Τάφρος 600 Β 48 Α 250 W IGBT μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
TPS51916EVM-746 πλήρης λύση σύγχρονο Buck GRM32ER60J107ME20L δύναμης μνήμης DDR2 DDR3 DDR3L και DDR4 |
TPS51916 δ-CAP™, δ-CAP2™ ειδικής χρήσης DC/DC, ανεφοδιασμός 1, μη-απομονωμένος πίνακας μνήμης της ΟΔ
|
Τεξας Instruments
|
|
|
|
|
|
MPX5010DP ενσωματωμένος ολοκληρωμένο κύκλωμα αισθητήρας πίεσης πυριτίου στο σήμα τσιπ που ρυθμίζεται |
Διαφορικό αρσενικό αισθητήρων 1.45PSI πίεσης (10kPa) - 0,19» (4.93mm) σωλήνας, διπλή 0,2 ενότητα 6-Γ
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PTH04070WAZ 3-α, ΕΙΣΑΓΜΈΝΟΣ 3.3/5-β ΔΙΕΥΘΕΤΉΣΙΜΟΣ ΜΕΤΑΤΡΟΠΉΣ πίνακας τσιπ ΡΥΘΜΙΣΤΏΝ ηλεκτρονικός |
Μη-απομονωμένος μετατροπέας 1 παραγωγή 0,9 ~ 3.6V 3A 3V ΣΥΝΕΧΟΥΣ συνεχούς ρεύματος ενότητας POL - ει
|
Τεξας Instruments
|
|
|
|
|
|
MPX5100AP η χρυσή μεγάλη ταχύτητα προμηθευτών ολοκληρωμένου κυκλώματος της Κίνας ηλεκτρονικής τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αισθητήρων πίεσης ΜΠΟΡΕΊ πομποδέκτης |
Απόλυτο αρσενικό αισθητήρων 2.18PSI ~ 16.68PSI πίεσης (15kPa ~ 115kPa) - 0,19» (4.93mm) σωλήνας 0,2
|
NXP
|
|
|
|
|
|
S3b-pH-sm4-φυματίωση (ΕΆΝ) (SN) ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης τσιπ προγράμματος ολοκληρωμένο κύκλωμα διόδων διορθωτών ολοκληρωμένου κυκλώματος αισθητήρων πίεσης |
Η επιφάνεια επιγραφών συνδετήρων τοποθετεί, σωστή γωνία 3 θέση 0,079» (2.00mm)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τσιπ Integarted Circuts 0878321420 Mosfet δύναμης ενότητας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ηλεκτρονικής |
Η επιφάνεια επιγραφών συνδετήρων τοποθετεί 14 τη θέση 0,079» (2.00mm)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
FGL40N120ANDTU Mosfet συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου ενότητας δύναμης |
IGBT
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
FSBB30CH60F Mosfet thyristor ενότητας δύναμης έξυπνη ενότητα δύναμης διόδων |
Ενότητα IGBT 3 φάση 600 οδηγών δύναμης ενότητα Β 30 Α 27-PowerDIP (1,205», 30.60mm)
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
|
IXFN38N100Q2 Mosfet thyristor ενότητας δύναμης N-Channel ενότητας διόδων MOSFET |
N-Channel 1000 πλαίσια Β 38A (TC) 890W (TC) τοποθετεί μέθυσος-227B
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης BSM50GP120BOSA1 IGBT |
IGBT Module 3 Phase Inverter 1200 V 80 A Chassis Mount Module
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης εναντίον-40HFL60S05 IGBT |
Πλαίσιο Diode 600 V 40A, βάση στήριξης DO-203AB (DO-5)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης εναντίον-T70HFL60S05 IGBT |
Στήριγμα πλαισίου διόδου 600 V 70A D-55
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης FF200R17KE3HOSA1 IGBT |
Μονάδα IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 310 A 1250 W Chassis Mount Module
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης KWD10-1212 IGBT |
Εσωτερικοί μετατροπείς AC DC 2 Έξοδοι 12V 450mA, 450mA 85 ~ 265 VAC Είσοδος
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης εναντίον-160MT160KPBF IGBT |
Ανορθωτής γέφυρας Στάνταρ τριφασική βάση πλαισίου 1,6 kV MT-K
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης DDB6U144N16RBPSA1 IGBT |
Ανορθωτής γέφυρας Τριφασικός Πρότυπος βάσης πλαισίου 1,6 kV AG-ECONO2A
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης PS21767 IGBT |
Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης PS21765 IGBT |
Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης CS241250 IGBT |
Μονάδα βάσης πλαισίου Diode 1200 V 50A POW-R-BLOK™
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Ph150s280-5 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης IGBT |
Απομονωμένη μονάδα DC DC Converter 1 Έξοδος 5V 30A 200V - Είσοδος 400V
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Ph100s280-5 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης IGBT |
Απομονωμένη μονάδα DC DC Converter 1 Έξοδος 5V 20A 200V - Είσοδος 400V
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ενότητας δύναμης PF500A-360 IGBT |
Εσωτερικοί μετατροπείς AC DC 1 Έξοδος 360V 1,4A 85 ~ 265 VAC Είσοδος
|
Κατασκευαστής
|
|
|