Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > IGBT Power Module > IXFN38N100Q2 Mosfet thyristor ενότητας δύναμης N-Channel ενότητας διόδων MOSFET

IXFN38N100Q2 Mosfet thyristor ενότητας δύναμης N-Channel ενότητας διόδων MOSFET

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
N-Channel 1000 πλαίσια Β 38A (TC) 890W (TC) τοποθετεί μέθυσος-227B
Κατηγορία:
IGBT Power Module
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
VDSS:
1000 Β
VDGR:
1000 Β
Vgs:
±30 Β
VGSM:
±40 Β
PD:
890 W
Βάρος:
30 γ
Κυριώτερο σημείο:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

Εισαγωγή

IXFN38N100Q2

MOSFET δύναμης HiPerFETTM

N-Channel χιονοστιβάδα τρόπου αυξήσεων που εκτιμώνται, χαμηλό Qg, χαμηλό εγγενές Rg υψηλό dV/dt, χαμηλό trr

VDSS = 1000 Β

ΤΑΥΤΌΤΗΤΑ25 = 38 Α

RDS (επάνω) = 0,25 Ω

trr ≤ 300 NS

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• Διπλή διαδικασία μετάλλων για τη χαμηλή αντίσταση πυλών

• miniBLOC, με την απομόνωση νιτριδίων αλουμινίου

• Unclamped μετατροπή (UIS) που εκτιμάται επαγωγική

• Χαμηλή αυτεπαγωγή συσκευασίας

• Γρήγορος εγγενής διορθωτής

Εφαρμογές

• Ρεύμα-συνεχές ρεύμα μετατροπείς

• Παροχές ηλεκτρικού ρεύματος μετα:στρέφω-τρόπου και ηχηρός-τρόπου

• ΣΥΝΕΧΕΙΣ μπαλτάδες

• Γεννήτριες σφυγμού

Πλεονεκτήματα

• Εύκολος να τοποθετήσει

• Διαστημική αποταμίευση

• Πυκνότητα υψηλής δύναμης

Μέγιστες εκτιμήσεις

Σύμβολο Όροι δοκιμής ΜΕΓΙΣΤΟ. ΜΟΝΑΔΑ
VDSS TJ = 25°C σε 150°C 1000 Β
VDGR TJ = 25°C σε 150°C RGS = 1 MΩ 1000 Β
VGS Συνεχής ±30 Β
VGSM Επιβάτης ±40 Β
Ταυτότητα25 TC = 25°C 38 Α
IDM TC = 25°C, πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από TJM 152 Α
IAR TC = 25°C 38 Α
ΑΥΤΙ TC = 25°C 60 MJ
EAS TC = 25°C 5.0 J
dv/dt

ΕΙΝΑΙ ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS

TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω

20 V/ns
PD TC = 25°C 890 W
TJ -55… +150 °C
TJM 150 °C
Tstg -55… +150 °C
VISOL 50/60 Hz, RMS, τ = 1 λεπτό 2500 Β
MD

Τοποθετώντας ροπή

Τελική ροπή σύνδεσης

1.5/13

1.5/13

Nm/lb.in.

Nm/lb.in.

Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)

Αριθμός μερών. Ποσότητα Εμπορικό σήμα D/C Συσκευασία
SN74HC00DR 4211 Tj 15+ SOP14
NDS9956A 4215 ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ 16+ SOP8
MC33202DR2G 4227 16+ SOP8
ICE2B265 4250 14+ Εμβύθιση-8
SS32-E3/57T 4250 VISHAY 14+ DO214
SI3867 4258 VISHAY 14+ Μέθυσος-163
APM4953 4275 APM 16+ SOP8
LM1117MPX-5.0 4288 NS 16+ SOT223
3224w-1-103E 4300 BOURNS 13+ SMD
TNY276GN 4300 ΔΥΝΑΜΗ 15+ Sop-7
MIC5235-1.8YM5 4300 MICREL 16+ Sot23-5
HCF4052BEY 4399 ST 16+ ΕΜΒΥΘΙΣΗ
M82c51a-2 4400 OKI 14+ ΕΜΒΥΘΙΣΗ
MUR1620CTRG 4400 14+ -220
IRF7329 4412 IR 14+ Sop-8
Hsmp-3816 4433 AVAGO 16+ SOT153
SMDJ54CA 4440 LITTELFUS 16+ SMD
GP1A51HR 4444 ΑΙΧΜΗΡΟΣ 13+ Εμβύθιση-4
P2804BDG 4444 NIKO 15+ TO252
AP9962GH 4450 AP 16+ -252
AD1955ARSZ 4457 ΑΓΓΕΛΙΑ 16+ Ssop-28
AMS1083CT-3.3 4470 CAms 14+ -220
1N4747A 4500 ST 14+ -41
FDB8447L 4500 FSC 14+ -263
INA118P 4500 Tj 16+ Εμβύθιση-8
IRFR9024NTRPBF 4500 IR 16+ -252
NL17SZ06 4500 13+ SOT553
Q6040K7 4500 LITTELFUS 15+ -3P
STM8324 4500 SAMHOP 16+ SOP8
TDA2050 4500 ST 16+ ΦΕΡΜΟΥΑΡ

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
Αρχική σύνδεση RJ45 Ethernet Jack Plug J00-0065NL για PBC Board

Αρχική σύνδεση RJ45 Ethernet Jack Plug J00-0065NL για PBC Board

1 Port RJ45Through Hole 10/100 Base-TX, AutoMDIX
6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A σταθεροποίησε τη ράγα παροχής ηλεκτρικού ρεύματος DIN τοποθετεί

6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A σταθεροποίησε τη ράγα παροχής ηλεκτρικού ρεύματος DIN τοποθετεί

IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM -247 Mosfet IGBT 300W ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ 40A 600V

IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM -247 Mosfet IGBT 300W ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ 40A 600V

IGBT PT 600 V 75 A 300 W Through Hole TO-247AD
CMX909BD5 εύκαμπτος χαμηλής ισχύος GMSK ολοκληρωμένων κυκλωμάτων διαποδιαμορφωτής στοιχείων πακέτων τσιπ

CMX909BD5 εύκαμπτος χαμηλής ισχύος GMSK ολοκληρωμένων κυκλωμάτων διαποδιαμορφωτής στοιχείων πακέτων τσιπ

38.4k Modem 24-SSOP
UPS161 Συγχρονιστικό σήμα ελέγχου CMOS LSI τηλεοπτικά κυκλώματα κυκλώματα LED

UPS161 Συγχρονιστικό σήμα ελέγχου CMOS LSI τηλεοπτικά κυκλώματα κυκλώματα LED

GT SERIES 3000VA 120V RACKMOUNT
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs