SM6T6V8CA Ηλεκτρονικά ολοκληρωμένα κυκλώματα Τσιπ επιφάνειας τοποθέτησης Περαιτέρω καταστολή τάσης
electronics ic chip
,integrated circuit components
SM6T6V8CA Ηλεκτρονικά ολοκληρωμένα κυκλώματα Τσιπ επιφάνειας τοποθέτησης Περαιτέρω καταστολή τάσης
ΣΕΡΙΑ SM6T
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ
ΔΕΣΜΟΣ 5,0 έως 220 V
Δύναμη Πύραυλου Πύραυλου 600 W
Ειδικά χαρακτηριστικά
• Για εφαρμογές που τοποθετούνται σε επιφάνειες, προκειμένου να βελτιστοποιηθεί ο χώρος της πλακέτας
• Πακέτο χαμηλού προφίλ
• Ενσωματωμένη ανακούφιση
• Παθητικοποιημένη διασταύρωση από γυαλί
• Χαμηλή επαγωγικότητα
• Εξαιρετική ικανότητα σύσφιξης
• Ποσοστό επανάληψης (κύκλος εργασίας):0.01%
• Γρήγορος χρόνος απόκρισης: συνήθως μικρότερος από 1,0 σπ από 0 βολτ έως BV για μονοκατευθυντικούς τύπους
• Τυπικό IR μικρότερο από 1μA πάνω από 10V
• Υψηλής θερμοκρασίας συγκόλληση: 250°C/10 δευτερόλεπτα στα τερματικά
• Η πλαστική συσκευασία έχει εργαστηριακή κατάταξη εύφλεκτης ικανότητας 94 V-O
ΕΜΠΙΔΑΜΑΤΑ ΤΗΣ ΜΕΧΑΝΙΚΗΣ
Υπόθεση: JEDEC DO214AA. Σχηματισμένη πλαστική επάνω σε γυάλινη παθητική διασταύρωση
Τερματικά: συγκολλημένα, συγκολλητέα σύμφωνα με το MIL-STD-750, μέθοδος 2026
Πολικότητα: Χρωματική ζώνη που υποδηλώνει το θετικό άκρο (καθοδική), εκτός από την αμφίδρομη
Τυποποιημένη συσκευασία: ταινία 12 mm (EIA STD RS-481)
Βάρος: 0,003 ουγγιές, 0,093 γραμμάρια)
Συσκευές για διπολικές εφαρμογές
Για αμφίδρομη χρήση CA Προθεσμία για τύπους SM6T6V8CA έως τύπους SM6T220CA Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά ισχύουν και στις δύο κατευθύνσεις.
Μέγιστες βαθμολογίες και χαρακτηριστικά
Δυνάμεις σε θερμοκρασία περιβάλλοντος 25 °C, εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά.
| Αξιολόγηση | ΣΥΜΒΟΛΟ | Αξία | Μονάδες |
| Δυναμική διάσπασης κορυφής παλμού σε μορφή κύματος 10/1000 μs (ΣΗΜΕΙΩΣΗ 1, 2, σχήμα 1) | ΠPPM | Ελάχιστο 600 | Βάτ |
| Τρόπος κυματικής μορφής 10/1000 μs (σημείωση 1, σχήμα 3) | Εγώ...PPM | Βλέπε πίνακα 1 | Άμπερ |
|
Πιο υψηλό ρεύμα κύματος προς τα εμπρός, 8,3ms μεμονωμένο μισό κύμα sinus Επικάλυψη επί ονομαστικού φορτίου (μέθοδος JEDEC) (Σημείωση 2, 3) |
Εγώ...Επενδύσεις | 100 | Άμπερ |
| Χρησιμοποιήσεις και εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | ΤJ, ΤΕΜΤ | -55 +150 | °C |
ΣΗΜΕΙΩΣΗ:
1. μη επαναλαμβανόμενος παλμός ρεύματος, ανά σχήμα 3 και μειωμένος πάνω από Ta=25 °C ανά σχήμα.2.
2Τοποθετείται σε πλακέτα χαλκού με έκταση 0,8x0,8 ίντσες (20x20 mm) ανά σχήμα.5.
3. 8,3 ms μεμονωμένο μισό κύμα sinus ή ισοδύναμο τετραγωνικό κύμα, κύκλος εργασίας = 4 παλμοί ανά λεπτό κατ' ανώτατο όριο
ΔΙΚΑΛΙΣΜΟΣ και ΚΑΡΑΧΤΕΡΙΣΤΙΚΕΣ ΚΥΡΒΕΣ
Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP
Παροδικές TV 5000W καταπιεστών κύματος τάσης BZW50-39BRL 180V Transil
Παροδικός καταπιεστής κύματος τάσης P6KE440ARL 15kV 600W -15
Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB
TIP42C διπολική τρέχουσα 65W NPN PNP ομαδοποίηση δύναμης HFE κρυσταλλολυχνιών 100V 6A
SM6T15CAY η παροδική επιφάνεια καταπιεστών τάσης TV τοποθετεί
2N7002 Δίοδος μικροσκοπίων ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΙ
BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα
STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
Παροδικές TV 5000W καταπιεστών κύματος τάσης BZW50-39BRL 180V Transil |
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
|
|
|
|
Παροδικός καταπιεστής κύματος τάσης P6KE440ARL 15kV 600W -15 |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
|
|
|
|
Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
TIP42C διπολική τρέχουσα 65W NPN PNP ομαδοποίηση δύναμης HFE κρυσταλλολυχνιών 100V 6A |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
SM6T15CAY η παροδική επιφάνεια καταπιεστών τάσης TV τοποθετεί |
27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
|
|
|
|
2N7002 Δίοδος μικροσκοπίων ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΙ |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
|
|
|
|
BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
|
|
|
|
STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ |
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
|