SM6T15CAY η παροδική επιφάνεια καταπιεστών τάσης TV τοποθετεί
κατασκευαστής:
STMicroelectronics
Περιγραφή:
27.2V η επιφάνεια διόδων TV σφιγκτηρών 147A (8/20µs) Ipp τοποθετεί SMB (-214AA)
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
To be negotiated
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
PN:
SM6T15CA
Εμπορικό σήμα:
ST
Αρχικός:
ΗΠΑ
Τύπος:
Παροδικός καταπιεστής τάσης
Δύναμη:
600Watts
Τοποθετώντας τρόπος:
Η επιφάνεια τοποθετεί
συσκευασία:
SMB -214AA
Σειρά τάσης:
6.8v σε 220 V.
Κυριώτερο σημείο:
600W TVS Transient Voltage Suppressor
,SM6T15CA Voltage Suppressor
,6.8v Surface Mount Voltage Suppressor
Εισαγωγή
Επικεφαλής600Watt επιφανειακή τοποθέτηση TVS μεταβατική καταστολή τάσης
Ειδικά χαρακτηριστικά
■ Δύναμη Πύραυλου Πύραυλου: 600 W (10/1000μs)
■ Περιοχή τάσης διακοπής: από 6,8 V έως 220 V.
■ Μοναδικός και αμφίδρομος τύπος
■ Χαμηλός συντελεστής σύσφιξης
■ Γρήγορος χρόνος απόκρισης
■ Αναγνωρίστε
Περιγραφή
Οι διόδοι transil παρέχουν προστασία από υπερτάσεις μέσω της δράσης συμπίεσης.
Η στιγμιαία ανταπόκριση τους σε παροδικές υπερφόρτωσεις τους καθιστά ιδιαίτερα
είναι κατάλληλες για την προστασία ευαίσθητων συσκευών τάσης, όπως η τεχνολογία MOS και τα διασταυρωμένα IC με χαμηλή τάση.
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
Παροδικές TV 5000W καταπιεστών κύματος τάσης BZW50-39BRL 180V Transil
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
Παροδικός καταπιεστής κύματος τάσης P6KE440ARL 15kV 600W -15
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
TIP42C διπολική τρέχουσα 65W NPN PNP ομαδοποίηση δύναμης HFE κρυσταλλολυχνιών 100V 6A
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
2N7002 Δίοδος μικροσκοπίων ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΙ
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
Παροδικές TV 5000W καταπιεστών κύματος τάσης BZW50-39BRL 180V Transil |
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
|
|
|
|
Παροδικός καταπιεστής κύματος τάσης P6KE440ARL 15kV 600W -15 |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
|
|
|
|
Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
TIP42C διπολική τρέχουσα 65W NPN PNP ομαδοποίηση δύναμης HFE κρυσταλλολυχνιών 100V 6A |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
2N7002 Δίοδος μικροσκοπίων ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΙ |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
|
|
|
|
BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
|
|
|
|
STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ |
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
|
|
|
|
STP110N7F6 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs