Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι>προϊόντα>

insulated gate bipolar

λέξεις κλειδιά   [ insulated gate bipolar ]  Αντιστοιχία 7 προϊόντα.
Εικόναμέρος #ΠεριγραφήκατασκευαστήςΑπόθεμαRFQ
Διπολική κρυσταλλολυχνία IRGB10B60KDPBF πυλών IGBT 600V 22A μονωμένη 156W

Διπολική κρυσταλλολυχνία IRGB10B60KDPBF πυλών IGBT 600V 22A μονωμένη 156W

IGBT NPT 600 Β 22 Α 156 W μέσω της τρύπας -220AB
Infineon
MGW12N120D Mosfet δύναμης μονωμένη κρυσταλλολυχνία διπολική κρυσταλλολυχνία πυλών με την αντιπαράλληλη δίοδο

MGW12N120D Mosfet δύναμης μονωμένη κρυσταλλολυχνία διπολική κρυσταλλολυχνία πυλών με την αντιπαράλληλη δίοδο

IGBT
Κατασκευαστής
IRG4BC30UD ΜΟΝΩΜΕΝΟ χαμηλής ισχύος mosfet ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΩΝ ΠΥΛΩΝ ΔΙΠΟΛΙΚΟ

IRG4BC30UD ΜΟΝΩΜΕΝΟ χαμηλής ισχύος mosfet ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΩΝ ΠΥΛΩΝ ΔΙΠΟΛΙΚΟ

IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Κατασκευαστής
IRG4BC20KDPBF ΜΟΝΩΜΕΝΟ χαμηλής ισχύος mosfet ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΩΝ ΠΥΛΩΝ ΔΙΠΟΛΙΚΟ

IRG4BC20KDPBF ΜΟΝΩΜΕΝΟ χαμηλής ισχύος mosfet ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΩΝ ΠΥΛΩΝ ΔΙΠΟΛΙΚΟ

IGBT 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Κατασκευαστής
Υψηλή κρυσταλλολυχνία αγωγιμότητας IGBT/τάση 75V διόδων BAV99 μετατροπής υψηλής ταχύτητας

Υψηλή κρυσταλλολυχνία αγωγιμότητας IGBT/τάση 75V διόδων BAV99 μετατροπής υψηλής ταχύτητας

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 75 διόδων επιφάνεια Β 150mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Κατασκευαστής
Τρανζίστορα υψηλής ακρίβειας με επίδραση πεδίου MBR20100CTP μονωμένο διπολικό τρανζίστορα

Τρανζίστορα υψηλής ακρίβειας με επίδραση πεδίου MBR20100CTP μονωμένο διπολικό τρανζίστορα

Σειρά κοινή κάθοδος 100 Β διόδων 1 ζευγαριού μέσω της τρύπας -220-3
Κατασκευαστής
Προγράμματα οδήγησης MOSFET υψηλής ταχύτητας TC4421AVOA ολοκληρωμένου κυκλώματος Chip 9A

Προγράμματα οδήγησης MOSFET υψηλής ταχύτητας TC4421AVOA ολοκληρωμένου κυκλώματος Chip 9A

Αναστροφή IC προγράμματος οδήγησης πύλης χαμηλής όψης 8-SOIC
Μικροτσίπ
1