IRG4BC30UD ΜΟΝΩΜΕΝΟ χαμηλής ισχύος mosfet ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΩΝ ΠΥΛΩΝ ΔΙΠΟΛΙΚΟ
npn smd transistor
,silicon power transistors
Κατάλογος ΑΠΟΘΕΜΑΤΩΝ
| PBL3764 | 1040 | ERICSSON | 16+ | PLCC |
| OB2268CCPA | 5560 | -ΦΩΤΕΙΝΟΣ | 16+ | Sop-8 |
| Lm5071mt-50 | 1794 | NSC | 14+ | Tssop-16 |
| MAX14840EASA+T | 5600 | MAXIM | 14+ | SOP |
| LT1372HVIS8 | 9466 | ΓΡΑΜΜΙΚΟΣ | 15+ | Sop-8 |
| LTC2209CUP | 506 | ΓΡΑΜΜΙΚΟΣ | 14+ | QFN |
| XCS05-3VQG100C | 420 | XILINX | 12+ | QFP100 |
| LP2951CN | 10000 | NSC | 15+ | Εμβύθιση-8 |
| CS8967G | 1376 | MYSON | 16+ | QFP |
| LS1240A | 10000 | UTC | 16+ | Εμβύθιση-8 |
| BTS442E2 | 2100 | 14+ | -220-5 | |
| Atmega8a-MU | 6560 | ATMEL | 15+ | QFN32 |
| Atmega8a-MU | 2500 | ATMEL | 15+ | Qfn-32 |
| ICE1HS01G | 2460 | 14+ | Sop-8 | |
| AT93C86A-10PU-2.7 | 2500 | ATMEL | 13+ | Εμβύθιση-8 |
| FW82801AA SL3Z2 | 3460 | INTEL | 16+ | BGA |
| LM4040EIM3X-2.5 | 10000 | NSC | 15+ | Μέθυσος-23 |
| LTC1144CS8#PBF | 15010 | ΓΡΑΜΜΙΚΟΣ | 15+ | SOP |
| L9829 | 2201 | ST | 16+ | Sop-36 |
| 74HC595D | 7500 | 15+ | SOP | |
| FDS4935A | 2200 | FSC | 15+ | Sop-8 |
| ADR5041ARTZ-REEL7 | 2000 | ΑΓΓΕΛΙΑ | 16+ | Μέθυσος-23 |
| CM1200HB-66H | 170 | MITSUBISH | 14+ | ΕΝΟΤΗΤΑ |
| FQPF6N80 | 3460 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 15+ | -220 |
| L9929 | 3136 | ST | 15+ | HSSOP24 |
| 74HC4051D | 7500 | 15+ | SOP | |
| MAX280CPA | 8800 | MAXIM | 16+ | ΕΜΒΥΘΙΣΗ |
| BQ24075RGTR | 1560 | Tj | 15+ | QFN16 |
| Irg4bc20kd-s | 1500 | IR | 13+ | -263 |
| 1SV149 | 3000 | TOSHIBA | 15+ | -92S |
| 74HC4046AD | 7500 | 16+ | SOP | |
| MC14070BDR2G | 38000 | 16+ | SOP | |
| NPCD378HAKFX | 3620 | MUVOTON | 16+ | QFP |
| HCNW3120 | 3460 | AVAGO | 15+ | Sop-8/dip-8 |
| AD8227ARZ | 2450 | ΑΓΓΕΛΙΑ | 14+ | SOP |
| MC68HC908GZ48CFA | 3760 | MOT | 14+ | QFP |
| BD534 | 5500 | ST | 16+ | -220 |
| MC68HC908GZ60CFA | 3766 | MOT | 14+ | QFP |
| MC1458DT | 9317 | ST | 10+ | SOP |
| PH1819-60 | 2050 | PHILIPS | 14+ | -63 |
IRG4BC30UD
ΜΟΝΩΜΕΝΟ χαμηλής ισχύος mosfet ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΩΝ ΠΥΛΩΝ ΔΙΠΟΛΙΚΟ
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
• UltraFast: Βελτιστοποιημένος για το υψηλό λειτουργούν kHz συχνοτήτων 8-40 στη σκληρή μετατροπή, >200 kHz στον ηχηρό τρόπο
• Η παραγωγή 4 σχέδιο IGBT παρέχει τη σφιχτότερη διανομή παραμέτρου και την υψηλότερη αποδοτικότητα από την παραγωγή 3
• IGBT ομο-που συσκευάζεται με HEXFREDTM ultrafast, αντιπαράλληλες δίοδοι εξαιρετικά-μαλακός-αποκατάστασης για τη χρήση στις διαμορφώσεις γεφυρών • Συσκευασία βιομηχανικά τυποποιημένων -220AB
Οφέλη
• Παραγωγή -4 υψηλότερες αποδοτικότητες προσφοράς IGBT διαθέσιμες
• IGBTs που βελτιστοποιείται για τους συγκεκριμένους όρους εφαρμογής
• HEXFRED δίοδοι που βελτιστοποιούνται για την απόδοση με IGBTs. Τα ελαχιστοποιημένα χαρακτηριστικά αποκατάστασης απαιτούν την επίπληξη less/no
• Σχεδιασμένος για να είναι «πτώση-» στην αντικατάσταση για την ισοδύναμη παραγωγή 3 IR IGBTs βιομηχανικά τυποποιημένων

