Φίλτρα
Φίλτρα
Ηλεκτρονικά συστατικά
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BT1απόλυτη προστασία |
SCR 650 V 12 A Τυποποιημένη επιφάνεια ανάκτησης DPAK
|
κατασκευασμένος στην Κίνα
|
|
|
|
|
|
BAT54C Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων |
Διοδιακή συστοιχία 1 ζευγάρι κοινή κάθοδος 30 V 200mA (DC) επιφάνειας TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
Εταιρία ημιαγωγών της Ταϊβάν
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
Δίοδος 30 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 200mA
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
|
BAT54SLT1G Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων |
Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 30 διόδων επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
|
BA595E6327 Ηλεκτρονικό τσιπ IC Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Ραδιοσυχνοποιημένη διόδη PIN - Μονή 50V 50 mA PG-SOD323-2-1
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BAS316 Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Δίοδος 100 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 250mA
|
Εταιρία ημιαγωγών της Ταϊβάν
|
|
|
|
|
|
BAS40TW-7-F Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διοδιακή συστοιχία 3 Ανεξάρτητη 40 V 200mA (DC) Επιφανειακή τοποθέτηση 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
ΔΙΟΔΟΙ
|
|
|
|
|
|
BAT46W-7-F Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων |
Δίοδος 100 υποστήριγμα γρασίδι-123 επιφάνειας Β 150mA
|
ΔΙΟΔΟΙ
|
|
|
|
|
|
BAT54A Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων |
Η σειρά κοινή άνοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
|
EMH4T2R Flash μνήμη IC Νέα και πρωτότυπη αποθήκη |
Προ-Pre-Biased διπολική κρυσταλλολυχνία (BJT) 2 NPN - η προ-Pre-Biased (διπλή) επιφάνεια 50V 100mA 2
|
Ημιαγωγός Rohm
|
|
|
|
|
|
2N7002W-7-F Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος N 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Επιφανειακή επιφάνεια SOT-323
|
ΔΙΟΔΟΙ
|
|
|
|
|
|
2SC2713-BL,LF Ηλεκτρονικό IC Chip Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διπολικό (BJT) Τρανζίστορα NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Επιφανειακό στερέωμα TO-236
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
ΕΝΑΝΤΊΟΝ-HFA25PB60PBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ |
Δίοδος 600 Β 25A μέσω της τρύπας -247AC τροποποιημένης
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRL1404PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 40 Β 160A (TC) 200W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGI4061DPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Τάφρος 600 Β 20 Α 43 W IGBT μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
AUIRFS4010-7TRL ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 επιφάνεια Β 190A (TC) 380W (TC) τοποθετεί D2PAK (7-μόλυβδος)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
TCMT1107 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Παραγωγή 3750Vrms 1 κανάλι 4-sop κρυσταλλολυχνιών Optoisolator
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N5245B-ΒΡΥΣΗ ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Δίοδος 15 Β 500 MW ±5% Zener μέσω της τρύπας -35 (-204AH)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SUD17N25-165-E3 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 250 Β 17A (TC) 3W (TA), επιφάνεια 136W (TC) τοποθετεί -252AA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BC848B μεταβλητός επαγωγός νέος και πρωτότυπος αποθεματικό Πιστοποίηση ROHS |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 30 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Εταιρία ημιαγωγών της Ταϊβάν
|
|
|
|
|
|
UPA1793G-E1 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέματα |
Μωσφέτ 20V 3A 2W επιφανειακή τοποθέτηση 8-PSOP
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
B340Q-13-F Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων |
Επιφανειακή βάση διόδου 40 V 3A SMC
|
ΔΙΟΔΟΙ
|
|
|
|
|
|
B160-13-F Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων |
Διοδίος 60 V 1A επιφανειακή τοποθέτηση SMA
|
ΔΙΟΔΟΙ
|
|
|
|
|
|
IRF6638TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6620TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF630NPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
N-Channel 200 Β 9.3A (TC) 82W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Διάδρομος N 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) μέσω τρύπας TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF630NSTRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6665TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος N 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM SH
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6216TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Π-Κανάλι 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6218STRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Διάδρομος P 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-63CPQ100PBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
Διοδιακή συστοιχία 1 ζευγάρι κοινός καθετός 100 V 30A μέσω τρύπας TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 200 Β 18A (TC) 150W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9530NPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
P-Channel 100 Β 14A (TC) 79W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540NSTRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
P-Channel 100 Β 23A (TC) 3.1W (TA), επιφάνεια 110W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9362TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Mosfet η επιφάνεια σειράς 30V 8A 2W τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540PBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
P-Channel 100 Β 19A (TC) 150W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640STRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
P-Channel 200 Β 11A (TC) 3W (TA), επιφάνεια 125W (TC) τοποθετεί το Δ ² PAK (-263)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640PBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
P-Channel 200 Β 11A (TC) 125W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9358TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Mosfet η επιφάνεια σειράς 30V 9.2A 2W τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24NSTRLPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο αποθεματικό |
P-Channel 55 Β 12A (TC) 3.8W (TA), επιφάνεια 45W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
P-Channel 200 Β 6.5A (TC) 74W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34NPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο αποθεματικό |
P-Channel 55 Β 19A (TC) 68W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9530NSTRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ |
P-Channel 100 Β 14A (TC) 3.8W (TA), επιφάνεια 79W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24NPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
P-Channel 55 Β 12A (TC) 45W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9310TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
P-Channel 30 επιφάνεια Β 20A (TC) 2.5W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
IGBT 600 Β 28 Α 100 W μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDSTRRP Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
Δοκιμαστικό σύστημα IGBT 600 V 28 A 100 W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540NPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
P-Channel 100 Β 23A (TC) 140W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9321TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
P-Channel 30 επιφάνεια Β 15A (TA) 2.5W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|