Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Εικόναμέρος #ΠεριγραφήκατασκευαστήςΑπόθεμαRFQ
BAV70 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV70 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινής καθόδου 100 V 215 mA (DC) Επιφανειακή βάση TO-236-3, SC-59, SOT-23-
Κατασκευαστής
BCV46TC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

BCV46TC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP (BJT) - Darlington 60 Β 500 μΑ 200MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνει
ΔΙΟΔΟΙ
BCV47QTC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

BCV47QTC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

Διπολικό (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 500 mA 170MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
ΔΙΟΔΟΙ
BCV47TC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέμα

BCV47TC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέμα

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN (BJT) - Darlington 60 Β 500 μΑ 170MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνει
ΔΙΟΔΟΙ
BCV47 TR PBFREE Νέο και αρχικό απόθεμα

BCV47 TR PBFREE Νέο και αρχικό απόθεμα

Διπολικό (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 500 mA 220MHz 350 mW Surface Mount SOT-23
Κατασκευαστής
BCX51-10F ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα

BCX51-10F ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα

Διπολικό τρανζίστορ (BJT) PNP 45 V 1 A 145 MHz 500 mW Επιφανειακή βάση SOT-89
Nexperia
BCX51,115 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BCX51,115 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 1 ένα 145MHz 1,3 υποστήριγμα μέθυσος-89 (BJT) επιφάνειας W
NXP
BCX5116TA ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BCX5116TA ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 1 ένα 150MHz 1 υποστήριγμα μέθυσος-89-3 (BJT) επιφάνειας W
ΔΙΟΔΟΙ
BCX51-16TF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BCX51-16TF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 1 ένα υποστήριγμα μέθυσος-89 (BJT) επιφάνειας 500 MW
Nexperia
BCX51-16,135 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BCX51-16,135 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 1 ένα 145MHz 1,3 υποστήριγμα μέθυσος-89 (BJT) επιφάνειας W
Nexperia
BCX52-10-TP ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ

BCX52-10-TP ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 1 ένα 50MHz υποστήριγμα μέθυσος-89 (BJT) επιφάνειας 500 MW
Κατασκευαστής
BCX52-10TF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BCX52-10TF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 1 ένα υποστήριγμα μέθυσος-89 (BJT) επιφάνειας 500 MW
Nexperia
BCX5210TA ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα

BCX5210TA ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 1 ένα 150MHz 1 υποστήριγμα μέθυσος-89-3 (BJT) επιφάνειας W
ΔΙΟΔΟΙ
BCX51-16,115 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BCX51-16,115 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 1 ένα 145MHz 1,3 υποστήριγμα μέθυσος-89 (BJT) επιφάνειας W
Nexperia
BCX52-10,115 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BCX52-10,115 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 1 ένα 145MHz 1,3 υποστήριγμα μέθυσος-89 (BJT) επιφάνειας W
Nexperia
KBU8M-E4/51 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

KBU8M-E4/51 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

Ενιαία φάση τυποποιημένο 1 kV διορθωτών γεφυρών μέσω της τρύπας KBU
VISHAY
IRL2203NPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

IRL2203NPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

N-Channel 30 Β 116A (TC) 180W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
Infineon
ΕΝΑΝΤΙΟΝ - 40 TPS 12 Π.Μ. 3 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

ΕΝΑΝΤΙΟΝ - 40 TPS 12 Π.Μ. 3 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

SCR 1,2 kV 55 μια τυποποιημένη αποκατάσταση μέσω της τρύπας -247AC
VISHAY
KSC2073 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

KSC2073 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 150 Β 1,5 Α 4MHz 25 W (BJT) μέσω της τρύπας -220-3
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
IRLL110TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

IRLL110TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

N-Channel 100 Β 1.5A (TC) 2W (TA), υποστήριγμα μέθυσος-223 επιφάνειας 3.1W (TC)
VISHAY
IRF7309TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

IRF7309TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

Mosfet η σειρά 30V 4A, επιφάνεια 3A 1.4W τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
Infineon
IRF7205TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

IRF7205TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

P-Channel 30 επιφάνεια Β 4.6A (TA) 2.5W (TC) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
Infineon
IRF7493TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

IRF7493TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

N-Channel 80 επιφάνεια Β 9.3A (TC) 2.5W (TC) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
Infineon
IRF7424TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

IRF7424TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

P-Channel 30 επιφάνεια Β 11A (TA) 2.5W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
Infineon
IRF7416TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

IRF7416TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

P-Channel 30 επιφάνεια Β 10A (TA) 2.5W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
Infineon
IRF7504TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

IRF7504TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

Mosfet η επιφάνεια σειράς 20V 1.7A 1.25W τοποθετεί Micro8™
Infineon
IRF7317TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

IRF7317TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων

Mosfet η σειρά 20V 6.6A, επιφάνεια 5.3A 2W τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
Infineon
ΕΝΑΝΤΊΟΝ-40CPQ100-N3 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ

ΕΝΑΝΤΊΟΝ-40CPQ100-N3 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινή κάθοδος 100 V 40A Διαμπερής οπή TO-247-3
VISHAY
ΕΝΑΝΤΊΟΝ-40CPQ060PBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ

ΕΝΑΝΤΊΟΝ-40CPQ060PBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινή κάθοδος 60 V 20A Διαμπερής οπή TO-247-3
VISHAY
ΕΝΑΝΤΊΟΝ-40CPQ100PBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ

ΕΝΑΝΤΊΟΝ-40CPQ100PBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινή κάθοδος 100 V 20A Διαμπερής οπή TO-247-3
VISHAY
IRLR3410TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IRLR3410TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Infineon
IRLR8729TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IRLR8729TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

N-Channel 30 επιφάνεια Β 58A (TC) 55W (TC) τοποθετεί δ-Pak
Infineon
IRLR7843TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IRLR7843TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

N-Channel 30 επιφάνεια Β 161A (TC) 140W (TC) τοποθετεί δ-Pak
Infineon
IRLR2905TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IRLR2905TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

N-Channel 55 επιφάνεια Β 42A (TC) 110W (TC) τοποθετεί δ-Pak
Infineon
IRLR8743TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IRLR8743TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

N-Channel 30 V 160A (Tc) 135W (Tc) Επιφανειακή βάση D-Pak
Infineon
IRLR9343TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IRLR9343TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

P-Channel 55 υποστήριγμα PG-to252-3 επιφάνειας Β 20A (TC) 79W (TC)
Infineon
IRLR3114ZTRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IRLR3114ZTRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

N-Channel 40 V 42A (Tc) 140W (Tc) Επιφανειακή βάση D-Pak
Infineon
IRLR8726TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IRLR8726TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

N-Channel 30 επιφάνεια Β 86A (TC) 75W (TC) τοποθετεί δ-Pak
Infineon
IRLR3636TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IRLR3636TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

N-Channel 60 επιφάνεια Β 50A (TC) 143W (TC) τοποθετεί δ-Pak
Infineon
IRLR2905ZTRPBF Νέο και αρχικό απόθεμα

IRLR2905ZTRPBF Νέο και αρχικό απόθεμα

N-Channel 55 επιφάνεια Β 42A (TC) 110W (TC) τοποθετεί δ-Pak
Infineon
BAV21 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ORIGINAL

BAV21 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ORIGINAL

Δίοδος 250 V 250mA Through Hole DO-35
Θλφαηρθχηλδ
BAV23CLT1G Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

BAV23CLT1G Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινής καθόδου 250 V 400 mA Επιφανειακή βάση TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
BAV23A,215 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου

BAV23A,215 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινής ανόδου 200 V 225 mA (DC) Επιφανειακή βάση TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nexperia
BAV23A-7-F Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

BAV23A-7-F Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινής ανόδου 200 V 400 mA (DC) Επιφανειακή βάση TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ΔΙΟΔΟΙ
BAV23S Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου

BAV23S Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 250 διόδων επιφάνεια Β 225mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-
Ημιαγωγός Good-Ark
BAV70 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV70 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Η σειρά κοινή κάθοδος 75 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 215mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Θλφαηρθχηλδ
BAV70 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV70 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινής καθόδου 100 V 215 mA (DC) Επιφανειακή βάση TO-236-3, SC-59, SOT-23-
Κατασκευαστής
BAV70 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV70 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινής καθόδου 70 V 200 mA Επιφανειακή βάση TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ημιαγωγός Good-Ark
BAV70 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV70 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινής καθόδου 70 V 200 mA Επιφανειακή βάση TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Infineon
BAV70S,135 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

BAV70S,135 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

Συστοιχία διόδων 2 ζεύγους κοινής καθόδου 100 V 250 mA (DC) Επιφανειακή βάση 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Nexperia
6 7 8 9 10