Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Εικόναμέρος #ΠεριγραφήκατασκευαστήςΑπόθεμαRFQ
PDZ3.3B,115 Δίοδος υψηλής τάσης

PDZ3.3B,115 Δίοδος υψηλής τάσης

Δίοδος 3,3 Β 400 MW ±2% υποστήριγμα γρασίδι-323 Zener επιφάνειας
Nexperia
PMLL4448,135 Διοδή υψηλής ισχύος Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

PMLL4448,135 Διοδή υψηλής ισχύος Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

Η δίοδος 75 επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί LLDS MiniMelf
Nexperia
BAW56S,135 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

BAW56S,135 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

Η σειρά κοινή άνοδος 90 διόδων 2 ζευγαριού επιφάνεια Β 250mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-8
Nexperia
BC807,215 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ

BC807,215 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΙΚΟΙ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ

Η διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 500 μΑ 80MHz (BJT) επιφάνεια 250 MW τοποθετεί -236AB
Nexperia
BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ

BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 1 ένα 50MHz 1,4 υποστήριγμα μέθυσος-223 (BJT) επιφάνειας W
STMicroelectronics
BCP54-16E6433 Νέο και αρχικό απόθεμα

BCP54-16E6433 Νέο και αρχικό απόθεμα

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 1 ένα 100MHz 2 υποστήριγμα μέθυσος-223 (BJT) επιφάνειας W
Infineon
BCP54-16-TP ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα

BCP54-16-TP ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 1 ένα 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-223 (BJT) επιφάνειας 300 MW
Κατασκευαστής
BCP5416TA ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέματα

BCP5416TA ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέματα

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 1 ένα 150MHz 2 υποστήριγμα μέθυσος-223-3 (BJT) επιφάνειας W
ΔΙΟΔΟΙ
VS-ETH1506-M3 Απομονωμένος Τρανζιστοίστρος Επίδρασης Πεδίου Πύλης Νέος και πρωτότυπος

VS-ETH1506-M3 Απομονωμένος Τρανζιστοίστρος Επίδρασης Πεδίου Πύλης Νέος και πρωτότυπος

Δίοδος 600 Β 15A μέσω της τρύπας -220AC
VISHAY
10CTQ150 VISHAY Τρανζιστοί υψηλής ισχύος Mosfet Νέο πρωτότυπο πιστοποιητικό ROHS

10CTQ150 VISHAY Τρανζιστοί υψηλής ισχύος Mosfet Νέο πρωτότυπο πιστοποιητικό ROHS

Σειρά κοινή κάθοδος 150 Β 5A διόδων 1 ζευγαριού μέσω της τρύπας -220-3
VISHAY
ROHS Standard Field Effect Transistor IRLR024NTRPBF Λογότυπο Προσαρμοσμένο

ROHS Standard Field Effect Transistor IRLR024NTRPBF Λογότυπο Προσαρμοσμένο

N-Channel 55 επιφάνεια Β 17A (TC) 45W (TC) τοποθετεί δ-Pak
Infineon
Τρανζίστορα ακρίβειας με επίδραση πεδίου ROHS εγκεκριμένο SIHW30N60E-GE3

Τρανζίστορα ακρίβειας με επίδραση πεδίου ROHS εγκεκριμένο SIHW30N60E-GE3

N-Channel 600 Β 29A (TC) 250W (TC) Μέσω της τρύπας -247AD
VISHAY
BAT54Α ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΡΙΚΟ αποθεματικό

BAT54Α ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΡΙΚΟ αποθεματικό

Η σειρά κοινή άνοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Θλφαηρθχηλδ
BAT54C Νέο και αρχικό απόθεμα

BAT54C Νέο και αρχικό απόθεμα

Η σειρά κοινή κάθοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
Ημιαγωγός Good-Ark
BAT54S Νέο και αρχικό απόθεμα

BAT54S Νέο και αρχικό απόθεμα

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 30 διόδων επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, αναφορά μέθυ
Ημιαγωγός Good-Ark
BAT54SW ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΡΙΚΟ αποθεματικό

BAT54SW ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΡΙΚΟ αποθεματικό

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 30 διόδων επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί Sc-70, μέθυσος-323
Ημιαγωγός Diotec
BAT54SW ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΡΙΚΟ αποθεματικό

BAT54SW ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΡΙΚΟ αποθεματικό

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 30 διόδων επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί Sc-70, μέθυ
Εταιρία ημιαγωγών της Ταϊβάν
BAT54W ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΡΙΚΟ αποθεματικό

BAT54W ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΡΙΚΟ αποθεματικό

Δίοδος 30 υποστήριγμα μέθυσος-323 επιφάνειας Β 200mA
Ημιαγωγός Diotec
BAT54W ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΡΙΚΟ αποθεματικό

BAT54W ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΡΙΚΟ αποθεματικό

Δίοδος 30 υποστήριγμα μέθυσος-323 επιφάνειας Β 200mA
Εταιρία ημιαγωγών της Ταϊβάν
BAT721C,215 Νέο και αρχικό απόθεμα

BAT721C,215 Νέο και αρχικό απόθεμα

Η σειρά κοινή κάθοδος 40 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-5
Nexperia
BAT721S,215 Νέο και αρχικό απόθεμα

BAT721S,215 Νέο και αρχικό απόθεμα

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 40 διόδων επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-
NXP
BAT721S_R1_00001 Νέο και αρχικό απόθεμα

BAT721S_R1_00001 Νέο και αρχικό απόθεμα

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 40 διόδων επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-
Κατασκευαστής
BAT721S,215 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΙ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ

BAT721S,215 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΙ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 40 διόδων επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-
Nexperia
BAT74,215 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΣΤΟΡΟΣ

BAT74,215 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΣΤΟΡΟΣ

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -253-4, -253AA
Nexperia
BAT74,235 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΣΤΟΡΟΣ

BAT74,235 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΣΤΟΡΟΣ

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -253-4, -253AA
Nexperia
BAT74S,135 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΣΤΟΡΟΣ

BAT74S,135 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΣΤΟΡΟΣ

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-3
NXP
BAT74S/S500X Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ

BAT74S/S500X Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ

Η σειρά 30 διόδων επιφάνεια Β τοποθετεί -253-4, -253AA
Nexperia
BAT74S,135 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΣΤΟΡΟΣ

BAT74S,135 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΣΤΟΡΟΣ

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-3
Nexperia
BAT74S,115 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου

BAT74S,115 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου

Η σειρά 2 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-3
Nexperia
BAT754S,215 Τρανζιστόρες με επίδραση πεδίου ΝΕΟΙ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ

BAT754S,215 Τρανζιστόρες με επίδραση πεδίου ΝΕΟΙ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 30 διόδων επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-
Nexperia
BAT754L,115 Τρανζιστόρες με επίδραση πεδίου ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ

BAT754L,115 Τρανζιστόρες με επίδραση πεδίου ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ

Η σειρά 3 διόδων ανεξάρτητη 30 επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί 6-TSSOP, Sc-88, μέθυσος-3
Nexperia
BAT760Z Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΟΥΣ

BAT760Z Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΟΥΣ

Δίοδος 20 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 1A
Nexperia
BAT760Q-7 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΚΑΤΑΛΟΣ

BAT760Q-7 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΚΑΤΑΛΟΣ

Δίοδος 30 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 1A
ΔΙΟΔΟΙ
BAT 760,115 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΣΤΟΡΟΣ

BAT 760,115 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΤΡΑΣΤΟΡΟΣ

Δίοδος 20 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 1A
Nexperia
BAV102 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου

BAV102 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου

Δίοδος 150 υποστήριγμα γρασίδι-80 επιφάνειας Β 200mA
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
BAV170 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV170 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Η σειρά κοινή κάθοδος 85 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 125mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-5
ΔΙΟΔΟΙ
BAV170 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV170 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Η σειρά κοινή κάθοδος 85 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 125mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-5
Nexperia
BAV20 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV20 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Δίοδος 200 Β 200mA μέσω της τρύπας -35
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
BAV20 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV20 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Δίοδος 150 Β 200mA μέσω της τρύπας -35
ΔΙΟΔΟΙ
BAV21 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ORIGINAL

BAV21 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ORIGINAL

Δίοδος 200 Β 200mA μέσω της τρύπας -35
Ημιαγωγός Diotec
BAV20 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV20 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Δίοδος 150 V 250mA Through Hole DO-35
Ημιαγωγός Diotec
BAV21 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ORIGINAL

BAV21 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ORIGINAL

Δίοδος 250 Β 200mA μέσω της τρύπας -35
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
BC846B Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου

BC846B Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 65 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 200 MW
Εταιρία ημιαγωγών της Ταϊβάν
BC846BW Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο αποθεματικό

BC846BW Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο αποθεματικό

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 65 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
Ημιαγωγός Diotec
BAT54CW Νέο και αρχικό απόθεμα

BAT54CW Νέο και αρχικό απόθεμα

Η σειρά κοινή κάθοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί Sc-70, μέθυσος-323
Ημιαγωγός Diotec
GRM1555C1H390JA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος

GRM1555C1H390JA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος

39 pF ±5% κεραμικός πυκνωτής C0G, NP0 0402 50V (1005 μετρικά)
Μουράτα
GRM1555C1H471GA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος

GRM1555C1H471GA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος

470 pF ±2% κεραμικός πυκνωτής C0G, NP0 0402 50V (1005 μετρικά)
Μουράτα
GRM1555C1H470JA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος

GRM1555C1H470JA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος

47 pF ±5% κεραμικός πυκνωτής C0G, NP0 0402 50V (1005 μετρικά)
Μουράτα
GRM1555C1H431JA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος

GRM1555C1H431JA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος

430 pF ±5% κεραμικός πυκνωτής C0G, NP0 0402 50V (1005 μετρικά)
Μουράτα
GRM1555C1H430JA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος

GRM1555C1H430JA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος

43 pF ±5% κεραμικός πυκνωτής C0G, NP0 0402 50V (1005 μετρικά)
Μουράτα
3 4 5 6 7