Φίλτρα
Φίλτρα
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAT120C,115 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Η σειρά κοινή κάθοδος 25 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 1A (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -261-4, -261AA
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAT54A ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Η σειρά κοινή άνοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-59
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BAT54A ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Η σειρά κοινή άνοδος 30 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 200mA τοποθετεί -236-3, Sc-59, μέθυσος-23-3
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC857C,235 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Η διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 100 μΑ 100MHz (BJT) επιφάνεια 250 MW τοποθετεί -236AB
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC856W,115 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 65 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC856W ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 65 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC847W Επαγωγική βάση στήριξης επιφάνειας Νέο και αυθεντικό απόθεμα |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ υψηλής τάσης BC848B Νέο και αρχικό απόθεμα |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 30 Β 100 μΑ 300MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 250 MW (-2
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC847C Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC847W Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ ισχύος BC856B Νέο και Αυθεντικό απόθεμα |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 65 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 250 MW (-2
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ υψηλής τάσης BC856B Νέο και αρχικό απόθεμα |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 65 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ υψηλής συχνότητας BC848B Νέο και αυθεντικό απόθεμα |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 30 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC847BW Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ ισχύος BC856B Νέο και Αυθεντικό απόθεμα |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 65 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC847BPN,125 Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Η διπολική σειρά NPN, επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών (BJT) PNP 45V 100mA 100MHz 300mW τοποθετεί 6-TSSOP
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC847BW Τρανζίστορ εφέ πεδίου ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC856W-QF Επαγωγική βάση στήριξης επιφάνειας Νέο και αρχικό απόθεμα |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 65 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC856W-QX Ρυθμιζόμενο πηνίο Νέο και αρχικό στοκ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 65 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC856S Ρυθμιζόμενο πηνίο Νέο και πρωτότυπο στοκ |
Διπολική σειρά 2 υποστήριγμα μέθυσος-363 κρυσταλλολυχνιών (BJT) επιφάνειας PNP 65V 100mA 100MHz 200m
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC857A ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 250 MW (-2
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC857BW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC857BW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC857BW ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC857C ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 100 μΑ 150MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 350 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC857C ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC857W,135 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC857W ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-323 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BCM857BS,115 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Η διπολική σειρά 2 κρυσταλλολυχνιών (BJT) επιφάνεια ζευγαριού 45V 100mA 175MHz 300mW PNP (διπλή) αντ
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC858B ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 30 Β 100 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BCM857BS-7-F ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική σειρά 2 υποστήριγμα μέθυσος-363 κρυσταλλολυχνιών (BJT) επιφάνειας PNP (διπλό) 45V 100mA 100
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BCP51 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 1,5 υποστήριγμα μέθυσος-223-4 (BJT) επιφάνειας Α1 W
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BCP51 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 1,5 υποστήριγμα μέθυσος-223-4 (BJT) επιφάνειας Α1 W
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
|
SM8S33AHE3/2D ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
53.3V η επιφάνεια διόδων TV σφιγκτηρών 124A Ipp τοποθετεί -218AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFH7085TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
N-Channel 60 επιφάνεια Β 100A (TC) 156W (TC) τοποθετεί PQFN (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
SIR468DP-T1-GE3 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ |
N-Channel 30 Β 40A (TC) 5W (TA), επιφάνεια 50W (TC) τοποθετεί PowerPAK® έτσι-8
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFU024NPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 55 Β 17A (TC) 45W (TC) Μέσω της τρύπας IPAK (-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR3910TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 επιφάνεια Β 16A (TC) 79W (TC) τοποθετεί δ-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR24N15DTRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 150 επιφάνεια Β 24A (TC) 140W (TC) τοποθετεί δ-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR9024NTRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
P-Channel 55 επιφάνεια Β 11A (TC) 38W (TC) τοποθετεί δ-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR120NTRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 επιφάνεια Β 9.4A (TC) 48W (TC) τοποθετεί δ-Pak
|
Μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
IRFR220NTRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 200 επιφάνεια Β 5A (TC) 43W (TC) τοποθετεί δ-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 500 Β 20A (TC) 250W (TC) Μέσω της τρύπας -247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLU024NPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 55 Β 17A (TC) 45W (TC) Μέσω της τρύπας IPAK (-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
40L15CTPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Σειρά κοινή κάθοδος 15 Β 20A διόδων 1 ζευγαριού μέσω της τρύπας -220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
APT15DQ100KG ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Δίοδος 1000 Β 15A μέσω της τρύπας -220 [Κ]
|
Μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
SIRA04DP-T1-GE3 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ |
N-Channel 30 Β 40A (TC) 5W (TA), επιφάνεια 62.5W (TC) τοποθετεί PowerPAK® έτσι-8
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
16CTQ100 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Σειρά κοινή κάθοδος 100 Β 8A διόδων 1 ζευγαριού μέσω της τρύπας -220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
Εναντίον-16CTU04STRLPBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
Η σειρά κοινή κάθοδος 400 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 8A τοποθετεί -263-3, Δ ² Pak (2 μόλυβδοι +
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR3410TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
N-Channel 100 Β 31A (TC) 3W (TA), επιφάνεια 110W (TC) τοποθετεί δ-Pak
|
Infineon
|
|
|