| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ |
|---|
|
|
16CTQ100 ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
|
Σειρά κοινή κάθοδος 100 Β 8A διόδων 1 ζευγαριού μέσω της τρύπας -220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
IRLU024NPBF Νέο και αρχικό απόθεμα
|
N-Channel 55 Β 17A (TC) 45W (TC) Μέσω της τρύπας IPAK (-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
SIRA04DP-T1-GE3 Νέο και αρχικό απόθεμα
|
N-Channel 30 Β 40A (TC) 5W (TA), επιφάνεια 62.5W (TC) τοποθετεί PowerPAK® έτσι-8
|
VISHAY
|
|
|
|
|
ΑΠΤ15DQ100KG Νέο και αρχικό απόθεμα
|
Δίοδος 1000 Β 15A μέσω της τρύπας -220 [Κ]
|
Μικροτσίπ
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 Νέο και αρχικό απόθεμα
|
N-Channel 500 Β 20A (TC) 250W (TC) Μέσω της τρύπας -247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
IRFR220NTRPBF Νέο και αρχικό απόθεμα
|
N-Channel 200 επιφάνεια Β 5A (TC) 43W (TC) τοποθετεί δ-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRFR9024NTRPBF Νέο και αρχικό απόθεμα
|
P-Channel 55 επιφάνεια Β 11A (TC) 38W (TC) τοποθετεί δ-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRFB4137PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα
|
N-Channel 300 Β 38A (TC) 341W (TC) Μέσω της τρύπας -220
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRFR120NTRPBF Νέο και αρχικό απόθεμα
|
N-Channel 100 επιφάνεια Β 9.4A (TC) 48W (TC) τοποθετεί δ-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRFR3910TRPBF Νέο και αρχικό απόθεμα
|
N-Channel 100 επιφάνεια Β 16A (TC) 79W (TC) τοποθετεί δ-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRFU024NPBF Νέο και αρχικό απόθεμα
|
N-Channel 55 Β 17A (TC) 45W (TC) Μέσω της τρύπας IPAK (-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
FOD2712AR2 Flash μνήμη IC Νέα και πρωτότυπη αποθήκη
|
Παραγωγή 2500Vrms 1 κανάλι 8-SOIC κρυσταλλολυχνιών Optoisolator
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
FOD2712 IC Flash μνήμης ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ
|
Παραγωγή 2500Vrms 1 κανάλι 8-SOIC κρυσταλλολυχνιών Optoisolator
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
FOD2742B IC Flash μνήμης ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθεματικό
|
Παραγωγή 2500Vrms 1 κανάλι 8-SOIC κρυσταλλολυχνιών Optoisolator
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
8ETH06 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
|
Diode 600 V 8A Through Hole TO-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
IRF7807ZTRPBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
|
N-Channel 30 επιφάνεια Β 11A (TA) 2.5W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRF7473PBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
|
N-Channel 100 επιφάνεια Β 6.9A (TA) 2.5W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
|
N-Channel 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRF7853TRPBF ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
|
N-Channel 100 επιφάνεια Β 8.3A (TA) 2.5W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRF7233 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
|
P-Channel 12 επιφάνεια Β 9.5A (TA) 2.5W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|
|
|
2sc2712-Υ, ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης LXHF
|
Η διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 50 Β 150 μΑ 80MHz (BJT) επιφάνεια 200 MW τοποθετεί s-μίνι
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
3296W-1-500 Trimmer 3/8» SMD τσιπ τακτοποιώντας ποτενσιόμετρο Trimpot αντιστατών τετραγωνικό
|
50 ωμ 0.5W, καρφίτσες PC 1/2W μέσω Trimmer τρυπών του κεραμομετάλλου 25,0 ποτενσιόμετρων τοπ ρύθμιση
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Αντιστάτης τσιπ υψηλής τάσης mov-14D471KTR ZOV, εξαρτώμενο Varistor τάσης σε όλη την τρύπα
|
470 Β 4,5 Varistor 1 Κα κύκλωμα μέσω του δίσκου 14mm τρυπών
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Ολοκαίνουργιος αρχικός όρος πυριτίου SANKEN κρυσταλλολυχνιών 2SA1295 PNP κρυσταλλικός επίπεδος
|
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 230 Β 17 Α 35MHz 200 W (BJT) μέσω της τρύπας ΑΜ-200
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Ακουστική δύναμη πυριτίου NPN κρυσταλλολυχνιών C5200 A1943 ενισχυτών 2SC5200 2SA1943
|
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 230 Β 15 Α 30MHz 150 W (BJT) μέσω της τρύπας -264
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
Σκανδιναβικό σύστημα ημιαγωγών RF ηλεκτρονικών τμημάτων ολοκληρωμένου κυκλώματος NRF52840 QIAA Ρ
|
Ολοκληρωμένο κύκλωμα RF TxRx + MCU 802.15.4, διπλές σειρές 73-VFQFN, εκτεθειμένο μαξιλάρι Bluetooth
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Nrf52832-qfaa-R7 σκανδιναβικό σύστημα ημιαγωγών RF μια στο τσιπ GFSK διαμόρφωση
|
Εκτεθειμένο 48-VFQFN μαξιλάρι ολοκληρωμένου κυκλώματος RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.3 2.4GHz
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Σκανδιναβικός ημιαγωγός ASA ολοκληρωμένων κυκλωμάτων πομποδεκτών nrf52832-qfaa-ρ GFSK RF
|
Το ολοκληρωμένο κύκλωμα RF TxRx + MCU Bluetooth, γενικοί ΙΣΜΌΣ > 1GHz Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-VFQFN
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Nrf52832-ciaa-ρ σύστημα ηλεκτρονικών τμημάτων RF ολοκληρωμένου κυκλώματος σε ένα τσιπ
|
Ολοκληρωμένο κύκλωμα RF TxRx + γενικοί ΙΣΜΌΣ > 1GHz Bluetooth v5.3 2.4GHz 50-XFBGA, WLCSP MCU
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Nrf51822-qfaa-R7 σκανδιναβικό σύστημα ημιαγωγών RF ηλεκτρονικών τμημάτων ολοκληρωμένου κυκλώματος
|
Το ολοκληρωμένο κύκλωμα RF TxRx + MCU Bluetooth, γενικοί ΙΣΜΌΣ > 1GHz Bluetooth v4.0 2.4GHz 48-VFQFN
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Αισθητήρας MPX5010DP πίεσης
|
Διαφορικό αρσενικό αισθητήρων 1.45PSI πίεσης (10kPa) - 0,19» (4.93mm) σωλήνας, διπλή 0,2 ενότητα 6-Γ
|
NXP
|
|
|
|
|
Αρχικός αποθεμάτων mlx90614esf-baa-000-TU 3V ηλεκτρικού ρεύματος παροχής μακρινός αισθητήρας MLX90614ESFBAA θερμοκρασίας μη-επαφών υπέρυθρος
|
Αισθητήρας θερμοκρασίας ψηφιακό, υπέρυθρο -40°C ~ 85°C 16 β -39 (IR)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Καλύτερα πωλώντας (νέος αρχικός) ηλεκτρονικά τμήματα ολοκληρωμένου κυκλώματος mcr100-6g
|
SCR 400 Β 800 ευαίσθητη πύλη μΑ μέσω της τρύπας -92 (-226)
|
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
|
|
|
|
|
ηλεκτρονικά τμήματα κρυσταλλολυχνιών BZT52C4V7-E3-08 τιμών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων νέα και αρχικά καλύτερα
|
Δίοδος 4,7 Β 410 MW ±5% υποστήριγμα γρασίδι-123 Zener επιφάνειας
|
VISHAY
|
|
|
|
|
Μέρη ηλεκτρονικών συστατικών dfls1100-7
|
Η δίοδος 100 επιφάνεια Β 1A τοποθετεί PowerDI™ 123
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Esp32-CAM WiFi BT BLE M5Stack με τον πίνακα ανάπτυξης πινάκων ESP32 πυρήνων ενότητας WIFI καμερών OV2640
|
ESP32, OV2640 - πίνακας αξιολόγησης αισθητήρων αισθητήρων εικόνας
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Νέα υψηλή ταχύτητα Photocoupler φ ολοκληρωμένου κυκλώματος ή MOS-FET/IGBT Drive (8-καρφίτσα SMD) PC923L0YSZ0F
|
600mA οπτική 8-ΕΜΒΎΘΙΣΗ καναλιών συζεύξεων 5000Vrms 1 οδηγών πυλών
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
CC1000PW το ηλεκτρονικό ολοκληρωμένο κύκλωμα πελεκά τον ενιαίο χαμηλής ισχύος RF πομποδέκτη τσιπ πολύ
|
Γενικοί ΙΣΜΌΣ < 1GHz 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 28-TSSOP ολοκληρωμένου κυκλώματος RF TxRx μόνο (
|
Τεξας Instruments
|
|
|
|
|
LM35DM ηλεκτρονικοί ολοκληρωμένων κυκλωμάτων αισθητήρες θερμοκρασίας ακρίβειας εκατοντάβαθμοι
|
Αισθητήρας θερμοκρασίας αναλογικό, τοπικό 0°C ~ 100°C 10mV/°C 8-SOIC
|
Τεξας Instruments
|
|
|
|
|
Τσιπ πολυστρωματική κεραμική ΚΑΠ τανταλίου ολοκληρωμένου κυκλώματος πυκνωτών C2012X7S2A224K085AE SMD0805
|
0,22 µF ±10% 100V Ceramic Capacitor X7S 0805 (2012 Metric)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
Ferrite SRN4018-150M SMD ΠΗΝΊΑ ΔΎΝΑΜΗΣ ΜΙΚΡΉΣ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΊΑΣ χαντρών
|
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
SPW47N60C3FKSA1 ηλεκτρονικό ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
|
|
Infineon
|
|
|
|
|
1SV305, ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος L3F ηλεκτρονικό
|
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
1SV323 ηλεκτρονικό ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
|
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
1SV325, ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος H3F ηλεκτρονικό
|
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
CL10C391JB8NNNC ηλεκτρονικό ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
CL10C680JB8NNNC ηλεκτρονικό ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
CL21A106KOQNNNE ηλεκτρονικό ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
CL21A226KQQNNNE ηλεκτρονικό ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
CL21C151JBANNNC ηλεκτρονικό ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
|
|
SAMSUNG
|
|
|
