Infineon
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
300W-500W ενισχυτής -220 διακόπτης IRFB4227PBF PDP |
N-Channel 200 Β 65A (TC) 330W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Διπολική κρυσταλλολυχνία IRGB10B60KDPBF πυλών IGBT 600V 22A μονωμένη 156W |
IGBT NPT 600 Β 22 Α 156 W μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGIB10B60KD1P ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 16 Α 44 W μέσω της τρύπας -220AB πλήρης-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP35B60PDPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
IGBT NPT 600 Β 60 Α 308 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP20B60PDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 40 Α 220 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGB6B60KDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 13 Α 90 W μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 75 Α 390 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 75 Α 370 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDSTRRP Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
Δοκιμαστικό σύστημα IGBT 600 V 28 A 100 W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFH5300TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 30 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3,6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFIZ44NPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο αποθεματικό |
N-Channel 55 Β 31A (TC) 45W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB πλήρης-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 200 Β 18A (TC) 150W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6665TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος N 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM SH
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6216TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Π-Κανάλι 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6638TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6218STRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Διάδρομος P 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF630NPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
N-Channel 200 Β 9.3A (TC) 82W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6620TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF630NSTRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF640NSTRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
N-Channel 200 επιφάνεια Β 18A (TC) 150W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
XC161CJ16F40FBBKXUMA1 Νέο και αρχικό απόθεμα |
C166SV2 XC16x Μικροελεγκτής IC 16-Bit 40MHz 128KB (128K x 8) FLASH PG-TQFP-144-7
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BA595E6327 Ηλεκτρονικό τσιπ IC Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Ραδιοσυχνοποιημένη διόδη PIN - Μονή 50V 50 mA PG-SOD323-2-1
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
AUIR3200STR ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Υψηλός-δευτερεύον ολοκληρωμένο κύκλωμα μη-αναστρέφοντας PG-dso-8-904 οδηγών πυλών
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IR2011STRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Ολοκληρωμένο κύκλωμα οδηγών πυλών υψηλός-πλευράς ή χαμηλός-πλευράς που αναστρέφει 8-SOIC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IR2085STRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Το ολοκληρωμένο κύκλωμα RC οδηγών πυλών μισό-γεφυρών εισήγαγε το κύκλωμα 8-SOIC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IR2010STRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Μη-αναστροφή 16-SOIC ολοκληρωμένου κυκλώματος οδηγών πυλών μισό-γεφυρών
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRL1404PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 40 Β 160A (TC) 200W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGI4061DPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
Τάφρος 600 Β 20 Α 43 W IGBT μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
AUIRFS4010-7TRL ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 100 επιφάνεια Β 190A (TC) 380W (TC) τοποθετεί D2PAK (7-μόλυβδος)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6638TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6620TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF630NPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
N-Channel 200 Β 9.3A (TC) 82W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF630NSTRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6665TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος N 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM SH
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6216TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Π-Κανάλι 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6218STRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Διάδρομος P 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 200 Β 18A (TC) 150W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9530NPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
P-Channel 100 Β 14A (TC) 79W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540NSTRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
P-Channel 100 Β 23A (TC) 3.1W (TA), επιφάνεια 110W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9362TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Mosfet η επιφάνεια σειράς 30V 8A 2W τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9640PBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
P-Channel 200 Β 11A (TC) 125W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9358TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Mosfet η επιφάνεια σειράς 30V 9.2A 2W τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24NSTRLPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο αποθεματικό |
P-Channel 55 Β 12A (TC) 3.8W (TA), επιφάνεια 45W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34NPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο αποθεματικό |
P-Channel 55 Β 19A (TC) 68W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9530NSTRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ |
P-Channel 100 Β 14A (TC) 3.8W (TA), επιφάνεια 79W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24NPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
P-Channel 55 Β 12A (TC) 45W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9310TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
P-Channel 30 επιφάνεια Β 20A (TC) 2.5W (TA) τοποθετεί 8-ΈΤΣΙ
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRS2113PBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ |
14-ΕΜΒΎΘΙΣΗ μη-αναστροφής ολοκληρωμένου κυκλώματος οδηγών πυλών μισό-γεφυρών
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRS2110PBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο αποθεματικό |
14-ΕΜΒΎΘΙΣΗ μη-αναστροφής ολοκληρωμένου κυκλώματος οδηγών πυλών μισό-γεφυρών
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
IGBT 600 Β 28 Α 100 W μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|