Bu4s11g2-TR
Περιγραφή:
IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Προδιαγραφές
Τύπος λογικής::
Πύλη NAND
Συσκευή::
Ταινία & Εξέλικτρο (TR)
Κατηγορία προϊόντων::
Αναστροφείς
Πρόσθετη τάση::
3 V ~ 16 V
Χαρακτηριστικά::
-
Λογικό Επίπεδο - Υψηλό::
3,5 V ~ 11 V
Λογικό Επίπεδο - Χαμηλό::
1.5 Β ~ 4 Β
Συσκευή / Κουτί::
SC-74A, SOT-753
Κατάσταση μέρους::
Ενεργός
Τρέχων - Υψηλή, χαμηλή έξοδος::
3,4 mA, 3,4 mA
Μέγιστη καθυστέρηση πολλαπλασιασμού @ V, Max CL::
30ns @ 15V, 50pF
Αριθμός κυκλωμάτων::
1
Θερμοκρασία λειτουργίας::
-40 °C ~ 85 °C
Τρέχων - Ακίνητος (Μαξ)::
1µA
Τύπος τοποθέτησης::
Επεξεργασία επιφανείας
Αριθμός εισροών::
2
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή::
5-SSOP
Σειρά::
4S
Κατασκευαστής::
Ημιαγωγός Rohm
Εισαγωγή
Το BU4S11G2-TR,από την ROHM Semiconductor,είναι Inverters.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα εξαρτήματα.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να ζητήσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: