NE5532P το ηλεκτρονικό ολοκληρωμένο κύκλωμα πελεκά το μικρής κλίμακας διπλό χαμηλού θορύβου λειτουργικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ενισχυτών
NE5532P ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
,NE5532P ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
,Χαμηλού θορύβου λειτουργικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ενισχυτών
NE5532P ηλεκτρονική ολοκληρωμένου κυκλώματος τσιπ τμημάτων ηλεκτρονικής
ΔΙΠΛΟΙ ΧΑΜΗΛΟΥ ΘΟΡΎΒΟΥ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ
Ένα μέρος του καταλόγου αποθεμάτων
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | Sop-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16255C4 | Sop-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | ΑΙΧΜΗΡΟΣ | το 2016.08.10/H33 | Εμβύθιση-4 |
| ΔΙΑ 2SS52M | Honeywell | 2ssm/523-LF | -92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | Sop-24 | |
| C.I TP3057WM | Tj | XM33AF | Sop-16 |
| C.I CD14538BE | Tj | 33ADS8K | Εμβύθιση-16 |
| C.I CL2N8-Γ | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | CL2C | Μέθυσος-89 |
| C.I SN75179BP | Tj | 57C50DM | Εμβύθιση-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | Sop-24 |
| ΚΑΠ 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| ΚΑΠ ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | ΤΗΓΑΝΙ | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 1636M6G | Sop-8 |
| ΚΑΠ ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | Tj | 11/A75240 | Msop-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| ΚΑΠ CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-Τ | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| ΚΑΠ CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| ΥΠΌΘΕΣΗ 0805RC0805JR-073K3L RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | -3P |
| ΚΑΠ 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
Ισοδύναμη τάση 5 θορύβου εισαγωγής τύπος nV/√Hz σε 1 kHz;
Εύρος ζώνης ενότητα-κέρδους… τύπος 10 MHZ;
Αναλογία απόρριψης κοινός-τρόπου… τύπος 100 DB
; Υψηλό κέρδος συνεχούς τάσης… τύπος 100 V/mV;
Κορυφής-σε-κορυφή ταλάντευση 32 τάσης παραγωγής τύπος Β
Με VCC± = ±18 Β και RL = 600 Ω
; Υψηλός γυρίστε το ποσοστό… τύπος 9 V/µs;
Ευρεία σειρά… ±3 Β ανεφοδιασμός-τάσης σε ±20 Β
ΓΕΝΙΚΗ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Οι οικογένειες K6X8008C2B κατασκευάζονται από προηγμένη τη SAMSUNG¢s πλήρη τεχνολογική διαδικασία CMOS. Οι οικογένειες υποστηρίζουν τη διάφορη λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας για την ευελιξία χρηστών του σχεδίου συστημάτων. Οι οικογένειες υποστηρίζουν επίσης τη χαμηλή τάση διατήρησης στοιχείων για τη συνοδευτική λειτουργία μπαταριών με το χαμηλό ρεύμα διατήρησης στοιχείων.
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
Τάση ανεφοδιασμού (δείτε τη σημείωση 1): VCC+……………………… 22 Β
Τάση εισαγωγής, καθεμία που εισάγεται (δείτε τις σημειώσεις 1 και 2) VCC±…. -22V
Ρεύμα εισαγωγής (δείτε τη σημείωση 3)……………………. ±10 μΑ
Διάρκεια του βραχυκυκλώματος παραγωγής (δείτε τη σημείωση 4) απεριόριστη…………… θερμική σύνθετη αντίσταση συσκευασίας,
θJA (δείτε τις σημειώσεις 5 και 6): Συσκευασία 97 Δ………………………. °C/W
Συσκευασία 85 Π………………………. °C/W CP
συσκευασία 95……………………… °C/W
Λειτουργούσα εικονική θερμοκρασία συνδέσεων, TJ 150°C
Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης, Tstg −65 °C σε 150°C