M74HCT14B1 ΑΝΑΣΤΡΟΦΈΑΣ ΔΕΚΑΕΞΑΔΙΚΟΥ SCHMITT ηλεκτρονικών συσκευών και ολοκληρωμένων κυκλωμάτων τμημάτων ηλεκτρονικής
chip in electronics
,integrated components
M74HCT14B1 ΑΝΑΣΤΡΟΦΈΑΣ ΔΕΚΑΕΞΑΔΙΚΟΥ SCHMITT ηλεκτρονικών συσκευών και ολοκληρωμένων κυκλωμάτων τμημάτων ηλεκτρονικής
M54HCT14
M74HCT14
ΑΝΑΣΤΡΟΦΈΑΣ ΔΕΚΑΕΞΑΔΙΚΟΥ SCHMITT
• ΥΨΗΛΉ ΤΑΧΎΤΗΤΑ
tPD = 16 NS (ΤΎΠΟΣ.) σε VCC =5V
• ΧΑΜΗΛΗΣ ΙΣΧΎΟΣ ΔΙΑΣΚΕΔΑΣΜΟΣ
ICC = 1 µA (ΜΈΓΙΣΤΟ) TA = 25 °C
• ΥΨΗΛΗ ΑΣΥΛΙΑ ΘΟΡΥΒΟΥ
VH = 0,7 Β (ΤΎΠΟΣ.) ΣΕ VCC =5V
• ΙΚΑΝΟΤΗΤΑ 10 DRIVE ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΦΟΡΤΊΑ LSTTL
• ΣΥΜΜΕΤΡΙΚΗ ΣΥΝΘΕΤΗ ΑΝΤΊΣΤΑΣΗ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ
︱ IOH ︱ = IOL = 4 ΜΑ (ΕΛΆΧΙΣΤΑ)
• ΙΣΟΡΡΟΠΗΜΕΝΕΣ ΚΑΘΥΣΤΕΡΗΣΕΙΣ ΔΙΑΔΟΣΗΣ
tPLH = tPHL
• ΚΑΡΦΙΤΣΑ ΚΑΙ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΣΥΜΒΑΤΕΣ ΜΕ 54/74LS14
ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Το M54/74HCT14 είναι ένας ΑΝΑΣΤΡΟΦΈΑΣ ΔΕΚΑΕΞΑΔΙΚΟΎ SCHMITT υψηλής ταχύτητας CMOS που κατασκευάζεται στην τεχνολογία πυλών πυριτίου Γ2 MOS. Έχει την ίδια μεγάλη απόδοση LSTTL συνδυάζω με την αληθινή χαμηλής ισχύος κατανάλωση CMOS. Η διαμόρφωση καρφιτσών και η λειτουργία είναι οι ίδιες με εκείνους του HCT04 αλλά όλες οι εισαγωγές έχουν 0,7 επίπεδο υστέρησης Β. Αυτό μαζί με τη λειτουργία ώθησης schmitt του επιτρέπει σε το για να είναι χρησιμοποιημένοι σε απευθείας σύνδεση δέκτες με τα αργά σήματα εισαγωγής ανόδου/πτώση. Αυτό το ολοκληρωμένο κύκλωμα έχει τα χαρακτηριστικά εισαγωγής και παραγωγής που είναι πλήρως - συμβατό σύστημα με τις οικογένειες 54/74 λογικής LSTTL. M54/74HCT οι συσκευές σχεδιάζονται για να διασυνδέσουν άμεσα τα συστήματα HSC2 MOS με τα τμήματα TTL και NMOS. Είναι επίσης βούλωμα στις αντικαταστάσεις για τις συσκευές LSTTL που δίνουν μια μείωση της κατανάλωσης ισχύος. Όλες οι εισαγωγές είναι εξοπλισμένες με υπέρ
ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ
| Σύμβολο | Παράμετρος | Αξία | Μονάδα |
| VCC | Τάση ανεφοδιασμού | -0,5 έως +7 | Β |
| VI | Τάση ΣΥΝΕΧΟΥΣ εισαγωγής | -0,5 έως VCC + 0,5 | Β |
| VO | Τάση ΣΥΝΕΧΟΥΣ παραγωγής | -0,5 έως VCC + 0,5 | Β |
| IIK | Ρεύμα διόδων ΣΥΝΕΧΟΥΣ εισαγωγής | ± 20 | μΑ |
| IOK | Ρεύμα διόδων ΣΥΝΕΧΟΥΣ παραγωγής | ± 20 | μΑ |
| IO | Ρεύμα νεροχυτών πηγής ΣΥΝΕΧΟΥΣ παραγωγής ανά καρφίτσα παραγωγής | ± 25 | μΑ |
| ICC ή IGND | Συνεχές ρεύμα VCC ή επίγειο ρεύμα | ± 50 | μΑ |
| PD | Διασκεδασμός δύναμης | 500 (*) | MW |
| Tstg | Θερμοκρασία αποθήκευσης | -65 έως +150 | ℃ |
| TL | Θερμοκρασία μολύβδου (10 SEC) | 300 | ℃ |
Απόλυτο MaximumRatings είναι εκείνες οι τιμές πέρα από το whichdamage στη συσκευή μπορεί να εμφανιστεί. Η λειτουργική λειτουργία κάτω από αυτούς όρος.
(*) 500 MW: ≅ 65 ℃ derate σε 300 MW από 10mW/℃: 65 ℃ σε 85 ℃
ΙΣΟΔΥΝΑΜΟ ΚΥΚΛΩΜΑ ΕΙΣΑΓΩΓΗΣ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ
ΣΥΝΔΕΣΕΙΣ ΚΑΡΦΙΤΣΩΝ (τοπ άποψη)
ΛΟΓΙΚΗ DIAGRAM/WAVEFORM
ΚΥΚΛΩΜΑ ΔΟΚΙΜΗΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485