Νέο & αρχικό στατικό RAM CY62256LL-70PXC τσιπ 256K ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (32K Χ 8)
chip in electronics
,small scale integrated circuits
CY62256
256K (32K Χ 8) στατικό RAM
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
• Υψηλή ταχύτητα
— 55 NS
• Σειρές θερμοκρασίας
— Εμπορικός: 0°C σε 70°C
— Βιομηχανικός: – 40°C σε 85°C
— Αυτοκίνητος: – 40°C σε 125°C
• Σειρά τάσης
— 4.5V – 5.5V
• Χαμηλή ενεργός δύναμη και εφεδρική δύναμη
• Εύκολη επέκταση μνήμης με τα χαρακτηριστικά γνωρίσματα CE και OE
• TTL-συμβατά εισαγωγές και αποτελέσματα
• Αυτόματο δύναμη-πούπουλο όταν ξεδιαλέγεται
• CMOS για τη βέλτιστες ταχύτητα/τη δύναμη
• Διαθέσιμος σε PB-ελεύθερα και μη PB-ελεύθερα πρότυπα 28 καρφίτσα στενό SOIC, 28 καρφίτσα tsop-1,
28-καρφίτσα συσκευασίες ΕΜΒΥΘΙΣΗΣ καρφιτσών αντιστροφής tsop-1 και 28
Λειτουργική περιγραφή
Το CY62256 είναι ένα υψηλής απόδοσης στατικό RAM CMOS που οργανώνεται ως λέξεις 32K από 8 μπιτ. Η εύκολη επέκταση μνήμης παρέχεται από ένα ενεργό ΧΑΜΗΛΟ τσιπ επιτρέπει (CE) και η ενεργός ΧΑΜΗΛΉ παραγωγή επιτρέπουν (OE) και οι τρι-κρατικοί οδηγοί. Αυτή η συσκευή έχει ένα αυτόματο δύναμη-κάτω χαρακτηριστικό γνώρισμα, που μειώνει την κατανάλωση ισχύος από 99,9% όταν ξεδιαλέγει.
Ενεργός ένας ΧΑΜΗΛΟΣ γράφει ότι επιτρέψτε το σήμα (ΕΜΕΙΣ) ελέγχει τη λειτουργία γραψίματος/ανάγνωσης της μνήμης. Όταν CE και εισάγουμε είμαστε και ΧΑΜΗΛΟΊ, το στοιχείο όσον αφορά τις οκτώ εισόδου-εξόδου καρφίτσες στοιχείων (I/O0 μέσω I/O7) γράφεται στη θέση μνήμης που εξετάζεται από τη διεύθυνση παρούσα στις καρφίτσες διευθύνσεων (A0 μέσω A14). Η ανάγνωση της συσκευής ολοκληρώνεται με την επιλογή της συσκευής και τη διευκόλυνση των αποτελεσμάτων, ενεργού το ΧΑΜΗΛΟΎ CE και OE, ενώ παραμένουμε ανενεργοί ή ΥΨΗΛΟΊ. Υπό αυτές τις συνθήκες, το περιεχόμενο της θέσης που εξετάζεται από τις πληροφορίες για τις καρφίτσες διευθύνσεων είναι παρόν στις οκτώ εισόδου-εξόδου καρφίτσες στοιχείων. Οι εισόδου-εξόδου καρφίτσες παραμένουν σε ένα κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης εκτός αν το τσιπ επιλέγεται, τα αποτελέσματα επιτρέπονται, και γράφουν ότι επιτρέψτε (ΕΜΕΙΣ) είναι ΥΨΗΛΟΣ.
Διάγραμμα φραγμών λογικής
Διαμορφώσεις καρφιτσών
Μέγιστες εκτιμήσεις
(Επάνω από το οποίο τη χρήσιμη ζωή μπορεί να εξασθενίσουν. Για τις οδηγίες χρηστών, δοκιμασμένες.)
Θερμοκρασία αποθήκευσης ................................. – 65°C σε +150°C
Περιβαλλοντική θερμοκρασία με
Δύναμη που εφαρμόζεται ............................................. – 55°C σε +125°C
Τάση ανεφοδιασμού για να στηρίξει τη δυνατότητα
(Καρφίτσα 28 στην καρφίτσα 14) .............................................. – 0.5V σε +7V
ΣΥΝΕΧΗΣ τάση που εφαρμόζεται στα αποτελέσματα
στο κράτος υψηλός-ζ .................................... – 0.5V σε VCC + 0.5V
Τάση ΣΥΝΕΧΟΥΣ εισαγωγής ................................ – 0.5V σε VCC + 0.5V
Ρεύμα παραγωγής στα αποτελέσματα (ΧΑΜΗΛΑ) ............................. 20 μΑ
Στατική τάση απαλλαγής .......................................... > 2001V
(ανά mil-STD-883, μέθοδος 3015)
Σύρτης-επάνω στο ρεύμα .................................................... > 200 μΑ
Λειτουργούσα σειρά
| Σειρά | Περιβαλλοντική θερμοκρασία (TA) | VCC |
| Εμπορικός | 0°C σε +70°C | 5V ± 10% |
| Βιομηχανικός | – 40°C σε +85°C | 5V ± 10% |
| Αυτοκίνητος | – 40°C σε +125°C | 5V ± 10% |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485