Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > Ψηφιακό τσιπ 30dB, συνεχές ρεύμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων εξασθενητών 4-κομματιών - 2,0 Ghz -220

Ψηφιακό τσιπ 30dB, συνεχές ρεύμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων εξασθενητών 4-κομματιών - 2,0 Ghz -220

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
Εξασθενητές 20dB 0 Hz ~ RF 18 Ghz 50 ευθύγραμμης ωμ ενότητας 1W SMA
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Χαμηλό προϊόν ενδοδιαμόρφωσης:
+50 dBm IP3
Μικρή ΣΥΝΕΧΗΣ κατανάλωση ισχύος:
50 µW
Συσκευασία:
Πλαστικό soic-16
Σταθερότητα θερμοκρασίας +/0,15 DB:
-40°C σε +85°C
Κυριώτερο σημείο:

chip in electronics

,

small scale integrated circuits

Εισαγωγή

Ψηφιακός εξασθενητής, 30 DB, 4-κομμάτι ρεύμα-2,0 Ghz -220

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα Λειτουργική σχηματική αναπαράσταση

• Βήματα 2-DB μείωσης σε 30 DB

• Υψηλή ακρίβεια

• Χαμηλό προϊόν ενδοδιαμόρφωσης: +50 dBm IP3

• Μικρή ΣΥΝΕΧΗΣ κατανάλωση ισχύος: 50 µW

• Soic-16 πλαστική συσκευασία

• Συσκευασία ταινιών και εξελίκτρων διαθέσιμη

• Σταθερότητα θερμοκρασίας +/0,15 DB: -40°C σε +85°C

Περιγραφή

Η m/a-COM -220 είναι ένα 4 μπιτ, GaAs MMIC βημάτων 2-DB ψηφιακός εξασθενητής σε μια επιφάνεια μολύβδου χαμηλότερου κόστους SOIC 16 τοποθετεί την πλαστική συσκευασία. Τα -220 είναι ιδανικά ταιριαγμένα για τη χρήση όπου η υψηλή ακρίβεια, η γρήγορη μετατροπή, η πολύ χαμηλής ισχύος κατανάλωση και τα μικρά προϊόντα ενδοδιαμόρφωσης απαιτούνται. Οι χαρακτηριστικές εφαρμογές περιλαμβάνουν το ραδιο και κυψελοειδή εξοπλισμό, ασύρματο LANs, τον εξοπλισμό ΠΣΤ και άλλα κέρδος/κυκλώματα ελέγχου επιπέδων.

Τα -220 κατασκευάζονται με μονολιθικό GaAs MMIC χρησιμοποιώντας μια ώριμη διαδικασία 1 μικρού. Τα χαρακτηριστικά γνωρίσματα διαδικασίας

πλήρης παθητικότητα τσιπ για την αυξανόμενες απόδοση και την αξιοπιστία.

Διαμόρφωση καρφιτσών

Καρφώστε το αριθ. Λειτουργία Καρφώστε το αριθ. Λειτουργία
1 VC1 9 RF2
2 VC1 10 GND
3 VC2 11 GND
4 VC2 12 GND
5 VC3 13 GND
6 VC3 14 GND
7 VC4 15 GND
8 VC4 16 RF1

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις 1

Παράμετρος Απόλυτο μέγιστο

Δύναμη εισαγωγής:

50 MHZ

500-2000 MHZ

dBm +27

dBm +34

Τάση ελέγχου -8.5 Β ≤ VC ≤ 5V
Λειτουργούσα θερμοκρασία -40°C σε +85°C
Θερμοκρασία αποθήκευσης -65°C σε +150°C

1. Η υπέρβαση οποιαδήποτε ή συνδυασμός αυτών των ορίων μπορεί να προκαλέσει μόνιμο

ζημία σε αυτήν την συσκευή.

Ηλεκτρικές προδιαγραφές: TA = 25°C, VC = 0 Β/−5 Β, Z0 = 50 Ω

Παράμετρος Όροι δοκιμής Συχνότητα Μονάδες Λ. Τύπος Max
Απώλεια εισαγωγής (κράτος αναφοράς)

Συνεχές ρεύμα - 0,5 Ghz

Συνεχές ρεύμα -1,0 Ghz

Συνεχές ρεύμα -2,0 Ghz

DB

DB

DB

--

--

--

1.5

1.6

1.8

1.7

1.8

2.1

Ακρίβεια 2 μείωσης

Συνεχές ρεύμα -1,0 Ghz

Συνεχές ρεύμα -2,0 Ghz

± (0,15 DB + 3% Atten που θέτει στο DB) DB

± (0,30 DB + 4% Atten που θέτει στο DB) DB

VSWR Αναλογία -- 1.2:1 --
Trise, Tfall 10% σε 90% RF, 90% σε 10% RF -- NS -- 12 --
Τόνος, λιμοκοντόρος

50% έλεγχος σε 90% RF,

50% έλεγχος σε 10% RF

-- NS -- 18 --
Επιβάτες In-Band -- MV -- 25 --
συμπίεση 1 DB

Δύναμη εισαγωγής

Δύναμη εισαγωγής

0,05 Ghz

0,5 - 2,0 Ghz

dBm dBm

--

--

20

28

--

--

IP2

Μετρημένος σχετικά με τη δύναμη εισαγωγής

(Για τη δίχρωμη δύναμη εισαγωγής μέχρι το dBm +5)

0,05 Ghz

0,5 - 2,0 Ghz

dBm dBm

--

--

45

68

--

--

IP3

Μετρημένος σχετικά με τη δύναμη εισαγωγής

(Για τη δίχρωμη δύναμη εισαγωγής μέχρι το dBm +5)

0,05 Ghz

0,5 - 2,0 Ghz

dBm dBm

--

--

40

50

--

--

Ρεύμα ελέγχου |VC| = 5 Β µA -- 100

2. Οι προδιαγραφές ακρίβειας μείωσης ισχύουν με τον αρνητικό προκατειλημμένο έλεγχο και χαμηλά να στηρίξουν αυτεπαγωγής.

Soic-16

Χαρακτηριστικές καμπύλες απόδοσης

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs