CY62157EV30LL-45BVXI ηλεκτρονικό στατικό RAM 8-Mbit τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος (512K Χ 16)

CY62157EV30 MoBL®

8-Mbit (512K Χ 16) στατικό RAM

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• Συσκευασία TSOP Ι διαμορφώσιμη ως 512K Χ 16 ή ως 1M X 8 SRAM

• Υψηλή ταχύτητα: 45 NS

• Ευρεία σειρά τάσης: 2.20V-3.60V

• Καρφίτσα συμβατή με CY62157DV30

• Υπερβολικά χαμηλή εφεδρική δύναμη

— Χαρακτηριστικό εφεδρικό ρεύμα: 2 µA

— Μέγιστο εφεδρικό ρεύμα: 8 µA (βιομηχανικά)

• Υπερβολικά χαμηλή ενεργός δύναμη

— Χαρακτηριστικό ενεργό ρεύμα: 1.8 μΑ @ φ = 1 MHZ

• Εύκολη επέκταση μνήμης με τα χαρακτηριστικά γνωρίσματα CE1, CE2, και OE

• Αυτόματη δύναμη ξεδιαλέγεται κάτω όταν

• CMOS για τη βέλτιστες ταχύτητα και τη δύναμη

• Διαθέσιμος και στην PB-ελεύθερη και μη PB-ελεύθερη 48 σφαίρα VFBGA,

PB-ελεύθερη 44 καρφίτσα συσκευασίες καρφιτσών TSOP Ι TSOP ΙΙ και 48

Λειτουργική περιγραφή ^[1]

Το CY62157EV30 είναι ένα στατικό RAM υψηλής επίδοσης CMOS που οργανώνεται ως λέξεις 512K από 16 μπιτ. Αυτή η συσκευή χαρακτηρίζει το προηγμένο σχέδιο κυκλωμάτων για να παρέχει το υπερβολικά χαμηλό ενεργό ρεύμα. Αυτό είναι ιδανικό για την παροχή περισσότερης μπαταρίας Life™ (MoBL®) στις φορητές εφαρμογές όπως τα κυψελοειδή τηλέφωνα. Η συσκευή έχει επίσης μια αυτόματη δύναμη κάτω από το χαρακτηριστικό γνώρισμα που μειώνει σημαντικά την κατανάλωση ισχύος όταν δεν επιλέγουν οι διευθύνσεις. Τοποθετήστε τη συσκευή στον εφεδρικό τρόπο όταν ξεδιαλέγεται (το CE₁ ΥΨΗΛΌ ή το CE₂ ΧΑΜΗΛΌ ή και BHE και BLE είναι ΥΨΗΛΌ). Οι καρφίτσες εισαγωγής ή παραγωγής (IO₀ μέσω IO₁₅)τοποθετούνταισε έναυψηλόκράτοςσύνθετης αντίστασηςόταν:

• Ξεδιαλεγμένος (CE₁ΥΨΗΛΌήCE₂ ΧΑΜΗΛΌ)

• Τα αποτελέσματα είναι εκτός λειτουργίας (OE ΥΨΗΛΌ)

• Και η ψηφιολέξη υψηλή επιτρέπει και η ψηφιολέξη χαμηλή επιτρέπει είναι εκτός λειτουργίας (BHE, BLE ΥΨΗΛΆ)

• Γράψτε ότι η λειτουργία είναι ενεργός (CE₁ ΧΑΜΗΛΌ, CE₂ ΥΨΗΛΌ και ΕΜΕΊΣ ΧΑΜΗΛΟΊ)

Για να γράψετε στη συσκευή, να πάρουν το τσιπ επιτρέψτε (CE₁ ΧΑΜΗΛΌ και CE₂ ΥΨΗΛΌ) και γράψτε επιτρέπει (ΜΑΣ) τις εισαγωγές ΧΑΜΗΛΈΣ. Εάν η ψηφιολέξη χαμηλή επιτρέπει (BLE) είναι ΧΑΜΗΛΉ, κατόπιν το στοιχείο από τις καρφίτσες IO (IO₀ μέσω IO₇)γράφεταιστηθέσηπου διευκρινίζεταιστιςκαρφίτσεςδιευθύνσεων(Α₀ μέσω του Α₁₈). Εάνηψηφιολέξηυψηλήεπιτρέπει(BHE)είναιΧΑΜΗΛΉ, κατόπιντοστοιχείοαπότιςκαρφίτσεςIO(IO₈ μέσω IO₁₅)γράφεταιστηθέσηπου διευκρινίζεταιστιςκαρφίτσεςδιευθύνσεων(Α₀ μέσω του Α₁₈).

Για να διαβάσετε από τη συσκευή, πάρτε το τσιπ επιτρέπει (CE₁ ΧΑΜΗΛΌ και CE₂ ΥΨΗΛΌ) και η παραγωγή επιτρέπει (OE) ΧΑΜΗΛΌ αναγκάζοντας Write επιτρέπει (ΕΜΕΊΣ) ΥΨΗΛΌ. Εάν η ψηφιολέξη χαμηλή επιτρέπει (BLE) είναι ΧΑΜΗΛΉ, κατόπιν τα στοιχεία από τη θέση μνήμης που διευκρινίζεται από τις καρφίτσες διευθύνσεων εμφανίζονται σε IO₀ σε IO₇. Εάνηψηφιολέξηυψηλήεπιτρέπει(BHE)είναιΧΑΜΗΛΉ, κατόπιντοστοιχείοαπότημνήμηεμφανίζεταισεIO₈ σε IO₁₅.

Διάγραμμα φραγμών λογικής

Σημειώσεις 1. Για τις καλύτερης πρακτικής συστάσεις, παρακαλώ αναφερθείτε στη σημείωση AN1064, οδηγίες αίτησης κυπαρισσιών συστημάτων SRAM

Μέγιστες εκτιμήσεις

Η υπέρβαση των μέγιστων εκτιμήσεων μπορεί να κοντύνει τη διάρκεια ζωής μπαταρίας της συσκευής. Οι οδηγίες χρηστών δεν εξετάζονται.

Θερμοκρασία αποθήκευσης ......................................................................... – 65°C + 150°C

Περιβαλλοντική θερμοκρασία με τη δύναμη που εφαρμόζεται ........................................... – 55°C + 125°C

Τάση ανεφοδιασμού για να στηρίξει τη δυνατότητα ................................ – 0.3V σε 3.9V (VCCmax + 0.3V)

ΣΥΝΕΧΗΣ τάση που εφαρμόζεται στα αποτελέσματα στο κράτος υψηλός-ζ ^{[6, 7]} ......... – 0.3V σε 3.9V (VCCmax + 0.3V)

Τάση ΣΥΝΕΧΟΥΣ εισαγωγής ^{[6, 7]} .................................................... – 0.3V σε 3.9V (VCC ανώτατο + 0.3V)

Ρεύμα παραγωγής στα αποτελέσματα (ΧΑΜΗΛΑ) ....................................................................... 20 μΑ

Στατική τάση απαλλαγής ....................................... > 2001V (mil-STD-883, μέθοδος 3015)

Σύρτης επάνω τρέχοντα ............................................................................................... > 200 μΑ

Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)