Hip6501acbz-τ το ηλεκτρονικό ολοκληρωμένο κύκλωμα πελεκά τον τριπλό γραμμικό ελεγκτή δύναμης

Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)

HIP6501A

Τριπλός γραμμικός ελεγκτής δύναμης με τη διεπαφή ελέγχου ACPI

Το HIP6501A, που ζευγαρώνεται με είτε το HIP6020 είτε HIP6021, απλοποιεί την εφαρμογή των ACPI-υποχωρητικών σχεδίων στις εφαρμογές μικροεπεξεργαστών και υπολογιστών. Το ολοκληρωμένο κύκλωμα ενσωματώνει δύο γραμμικούς ελεγκτές και μια low-current κρυσταλλολυχνία περασμάτων, καθώς επίσης και τις λειτουργίες παρακολούθησης και ελέγχου σε μια συσκευασία 16 καρφιτσών SOIC.

Ένας γραμμικός ελεγκτής παράγει το αεροπλάνο τάσης 3.3VDUAL από την παραγωγή 5VSB μιας ATX ηλεκτρικού ρεύματος παροχής κατά τη διάρκεια των κρατών ύπνου (S3, S4/S5), ισχύς οι αυλακώσεις PCI μέσω μιας εξωτερικής κρυσταλλολυχνίας περασμάτων, όπως καθοδηγείται από τη θέση του 3.3VDUAL επιτρέπει την καρφίτσα. Μια πρόσθετη κρυσταλλολυχνία περασμάτων χρησιμοποιείται για να μεταστρέψει στην παραγωγή ATX 3.3V για τη λειτουργία PCI κατά τη διάρκεια S0 και S1 (ενεργών) operatingstates.

Ο δεύτερος γραμμικός ελεγκτής παρέχει τη δύναμη μνήμης 2.5V/3.3V του συγκροτήματος ηλεκτρονικών υπολογιστών μέσω μιας εξωτερικής κρυσταλλολυχνίας περασμάτων στα ενεργά κράτη. Κατά τη διάρκεια του κράτους S3, μια ενσωματωμένη κρυσταλλολυχνία περασμάτων παρέχει την ύπνος-κρατική δύναμη 2.5V/3.3V. Δυνάμεις τρίτες ελεγκτών επάνω ένα αεροπλάνο 5VDUAL με την αλλαγή στην παραγωγή ATX 5V στα ενεργά κράτη, ή το ATX 5VSB στα κράτη ύπνου.

Ο λειτουργών τρόπος HIP6501A (ενεργός-κρατικά αποτελέσματα ή ύπνος-κρατικά αποτελέσματα) είναι επιλέξιμος μέσω δύο καρφιτσών ελέγχου: S3 και S5. Ο περαιτέρω έλεγχος της λογικής που κυβερνά την ενεργοποίηση των διαφορετικών τρόπων δύναμης προσφέρεται μέσω δύο επιτρέποντας τις καρφίτσες: EN3VDL και EN5VDL. Στα ενεργά κράτη, ο γραμμικός ρυθμιστής 3.3VDUAL χρησιμοποιεί εξωτερικό N-Channel MOSFET περασμάτων για να συνδέσει την παραγωγή (VOUT₁)άμεσαστηνεισαγωγή3.3Vπου παρέχεταιαπόμιαπαροχήηλεκτρικού ρεύματοςATX(ήαντίτιμου), προκύπτοντατιςελάχιστεςαπώλειες.

Στο κράτος ύπνου, η παραγωγή 3.3VDUAL παρέχεται από το ATX 5VSB μέσω μιας κρυσταλλολυχνίας NPN, επίσης εξωτερικής στον ελεγκτή. Η ενεργός παράδοση κρατικών αρχών για την παραγωγή 2.5/3.3VMEM γίνεται μέσω μιας εξωτερικής κρυσταλλολυχνίας NPN, ή ενός NMOS διακόπτη για τη ρύθμιση 3.3V. Στα κράτη ύπνου, η διεξαγωγή σε αυτήν την παραγωγή μεταφέρεται σε μια εσωτερική κρυσταλλολυχνία περασμάτων. Η παραγωγή 5VDUAL τροφοδοτείται μέσω δύο εξωτερικών κρυσταλλολυχνιών MOS.

Στα κράτη ύπνου, μια PMOS (ή PNP) κρυσταλλολυχνία διευθύνει το ρεύμα από την παραγωγή ATX 5VSB, ενώ στα ενεργά κράτη, η τρέχουσα ροή μεταφέρεται σε μια NMOS κρυσταλλολυχνία που συνδέεται με την παραγωγή ATX 5V. Παρόμοια με την παραγωγή 3.3VDUAL, η λειτουργία της παραγωγής 5VDUAL υπαγορεύεται όχι μόνο από τη θέση των καρφιτσών S3 και S5, αλλά αυτήν της καρφίτσας EN5VDL επίσης.

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• Παρέχει 3 ACPI-ελεγχόμενες τάσεις

- 5V ενεργό/ύπνος (5VDUAL)

- 3.3V ενεργό/ύπνος (3.3VDUAL)

- 2.5V/3.3V ενεργό/ύπνος (2.5VMEM)

• Απλό σχέδιο ελέγχου

- Αποζημίωση που απαιτείται καμία

• Άριστος κανονισμός τάσης παραγωγής

- Παραγωγή 3.3VDUAL: ±2.0% πέρα από τη θερμοκρασία Κράτη ύπνου μόνο

- Παραγωγή 2.5V/3.3V: ±2.0% πέρα από τη θερμοκρασία Και τα δύο λειτουργικά κράτη (3.3V που θέτει στον ύπνο μόνο)

• Οι σταθερές τάσεις παραγωγής δεν απαιτούν κανέναν εξωτερικό αντιστάτη ακρίβειας

• Μικρό μέγεθος

- Μικρή εξωτερική συστατική αρίθμηση

• Επιλέξιμη τάση παραγωγής 2.5VMEM μέσω της καρφίτσας FAULT/MSEL

- 2.5V για τη μνήμη RDRAM

- 3.3V για τη μνήμη SDRAM

• Έλεγχος κάτω από-τάσης όλων των αποτελεσμάτων με τη συγκεντρωμένη υποβολή έκθεσης ΕΛΑΤΤΩΜΑΤΩΝ

• Η διευθετήσιμη λειτουργία μαλακός-έναρξης αποβάλλει τις διαταραχές 5VSB

• PB-ελεύθερος διαθέσιμος (RoHS υποχωρητικό)

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις

Τάση ανεφοδιασμού, Β_5VSB………………………… +7.0V

12V. …………………………. GND - 0.3V σε +14.5V

DLA, DRV2…………………. .GND - 0.3V σε V12V +0.3V

Όλες οι άλλες καρφίτσες. ………………. .GND - 0.3V 5VSB + 0.3V

Ταξινόμηση ESD………………………. Κατηγορία 3 [5kV]

Συνιστώμενοι λειτουργούντες όροι

Τάση ανεφοδιασμού, Β_5VSB……………………… +5V ±5%

Δευτεροβάθμια προκατειλημμένη τάση, Β_12V. ………………. +12V ±10%

Ψηφιακές εισαγωγές, ΕΝΑΝΤΙΟΝ₃, ΕΝΑΝΤΙΟΝ₅, VEN_3VDL, VEN_5VDL……… .0 σε +5.5V

Σειρά περιβαλλοντικής θερμοκρασίας. ………………. 0°C σε 70°C

Σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων. ………………. 0°C σε 125°C

Θερμικές πληροφορίες

Θερμική αντίσταση (χαρακτηριστική, σημείωση 1) θJA (°C/W)

Συσκευασία SOIC………………………. 100

Μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων…………………. 150°C

Μέγιστη σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης. ………. - 65°C σε 150°C

Μέγιστη θερμοκρασία μολύβδου (συγκόλληση 10s)…………. 300°C

(SOIC - άκρες μολύβδου μόνο)

ΠΡΟΣΟΧΗ: Τονίζει επάνω από εκείνους που απαριθμούνται στις «απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις» μπορεί να προκαλέσει τη μόνιμη ζημία στη συσκευή. Αυτό είναι μια πίεση εκτιμώντας μόνο και η λειτουργία της συσκευής σε αυτοί ή οποιουσδήποτε άλλουσδήποτε όρους επάνω από εκείνους που υποδεικνύονται στα λειτουργικά τμήματα αυτής της προδιαγραφής δεν είναι υπονοούμενη.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ: 1. θJA μετριέται με το συστατικό που τοποθετείται σε έναν πίνακα PC αξιολόγησης στον ελεύθερο αέρα.

Διάγραμμα φραγμών