74HC00D το ηλεκτρονικό ολοκληρωμένο κύκλωμα πελεκά το τετράγωνο 2 εισαγμένη πύλη NAND
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
74HC00 74HCT00
Τετράγωνο 2 εισαγμένη πύλη NAND
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
• Συμμορφώνεται με τα πρότυπα JEDEC κανένα 8-1A
• Προστασία ESD:
HBM EIA/JESD22-A114-Α ΥΠΕΡΒΑΊΝΕΙ 2000 Β
ΟΙ ΚΚ EIA/JESD22-A115-A ΥΠΕΡΒΑΊΝΟΥΝ 200 Β
• Διευκρινισμένος από −40 σε +85 °C και −40 σε +125 °C.
ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Το 74HC00/74HCT00 είναι συσκευές μεγάλων Si-πυλών CMOS και είναι καρφίτσα συμβατός με χαμηλής ισχύος Schottky TTL (LSTTL). Διευκρινίζονται σύμφωνα με τα πρότυπα JEDEC κανένα 7A.
Το 74HC00/74HCT00 παρέχει τη 2 εισαγμένη λειτουργία NAND.
ΓΡΗΓΟΡΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΑΝΑΦΟΡΑΣ
GND = 0 Β Tamb = 25 °C TR = TF = 6 NS.
| ΣΥΜΒΟΛΟ | ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ | ΟΡΟΙ | ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟΣ | ΜΟΝΑΔΑ | |
| 74HC00 | 74HCT00 | ||||
| tPHL/tPLH | NA καθυστέρησης διάδοσης, NB στη Νέα Υόρκη | CL = 15 pF VCC = 5 Β | 7 | 10 | NS |
| CI | ικανότητα εισαγωγής | 3.5 | 3.5 | pF | |
| CPD | ικανότητα διασκεδασμού δύναμης ανά πύλη | σημειώσεις 1 και 2 | 22 | 22 | pF |
Σημειώσεις
1. Το CPD χρησιμοποιείται για να καθορίσει το δυναμικό διασκεδασμό δύναμης (PD σε µW).
PD = CPD × VCC 2 × FI × Ν + Σ (CL × VCC 2 × FO) ΌΠΟΥ:
FI = εισαγμένη συχνότητα στο MHZ
FO = συχνότητα παραγωγής στο MHZ
CL = ικανότητα φορτίων παραγωγής pF
VCC = τάση ανεφοδιασμού στα βολτ
Ν = συνολικά αποτελέσματα μετατροπής φορτίων
Σ (CL × VCC2 × FO) = ποσό των αποτελεσμάτων.
2. Για 74HC00 ο όρος είναι VI = GND σε VCC.
Για 74HCT00 ο όρος είναι VI = GND σε VCC − 1,5 V.
Fig.1 διαμόρφωση καρφιτσών DIP14, SO14 και (Τ) SSOP14.
Fig.2 διαμόρφωση καρφιτσών DHVQFN14. Fig.3 διάγραμμα λογικής (μια πύλη).
Fig.4 διάγραμμα λειτουργίας. Fig.5 σύμβολο λογικής IEC.