Νέα & αρχικά 50 Mosfet μΑ TRIACS BTA40-600B ενότητας 40A δύναμης
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
40A TRIACS
ΚΥΡΙΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ:
| Σύμβολο | Αξία | Μονάδα |
| ΑΥΤΟ (RMS) | 40 | Α |
| VDRM/VRRM | 600 και 800 | Β |
| IGT (Q1) | 50 | μΑ |
ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Διαθέσιμη στις συσκευασίες υψηλής δύναμης, η σειρά BTA/BTB40-41 είναι κατάλληλη για τη μετατροπή δύναμης εναλλασσόμενου ρεύματος γενικού σκοπού. Μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως ΕΠΑΝΩ ΑΠΟ τη λειτουργία στις εφαρμογές όπως οι στατικοί ηλεκτρονόμοι, ο κανονισμός θέρμανσης, οι θερμοσίφωνες, αρχικά κυκλώματα μηχανών επαγωγής, εξοπλισμός συγκόλλησης… ή για τη λειτουργία ελέγχου φάσης στους ελεγκτές ταχύτητας μηχανών υψηλής δύναμης, μαλακά κυκλώματα έναρξης…
Χάρι στην τεχνική συνελεύσεων συνδετήρων τους, παρέχουν μια ανώτερη απόδοση στις διαχειριζόμενες ικανότητες ρευμάτων κύματος.
Με τη χρησιμοποίηση ενός εσωτερικού κεραμικού μαξιλαριού, η σειρά BTA παρέχει μονωμένη την τάση ετικέττα (που εκτιμάται σε 2500 Β RMS) που συμμορφώνεται με τα πρότυπα UL (αρχείο παρ.: E81734).
| Σύμβολο | Παράμετρος | Αξία | Μονάδα | ||
|
ΑΥΤΟ (RMS) |
-κρατικό ρεύμα RMS |
RD91 | TC = 80°C | 40 | Α |
| TOP3 | |||||
| TOP3 INS. | TC = 70°C | ||||
| ITSM |
Μη επαναλαμβανόμενο μέγιστο -κράτος κύματος |
Φ = 60 Hz | τ = κα 16,7 | 420 | Α |
| Φ = 50 Hz | τ = κα 20 | 400 | |||
| Αυτό | Ι αξία τ για το λιώσιμο | tp = κα 10 | 880 | Το s | |
| dI/dt |
Κρίσιμο ποσοστό ανόδου του -κρατικού ρεύματος |
Φ = 120 Hz | Tj = 125°C | 50 | A/µs |
| VDSM/VRSM | Μη επαναλαμβανόμενη μέγιστη από-κρατική τάση κύματος | tp = κα 10 | Tj = 25°C |
VDRM/VRRM |
Β |
| IGM | Μέγιστο ρεύμα πυλών | tp = 20 µs | Tj = 125°C | 8 | Β |
| PG (AV) | Μέσος διασκεδασμός δύναμης πυλών | Tj = 125°C | 1 | W | |
|
Tstg |
Σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων αποθήκευσης |
- 40 + σε 150 |
°C | ||
ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (Tj = 25°C, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)
| Σύμβολο | Όροι δοκιμής | Τεταρτημόριο | Αξία | Μονάδα | |
| IGT (1) | VD = 12 Β RL = 33 Ω |
I - ΙΙ - ΙΙΙ |
ΜΕΓΙΣΤΟ. |
50 |
μΑ |
| VGT | ΟΛΟΙ | ΜΕΓΙΣΤΟ. | 1.3 | Β | |
| VGD | VD = VDRM RL = 3,3 kΩ Tj = 125°C | ΟΛΟΙ | ΕΛΑΧΙΣΤΟΣ. | 0,2 | Β |
| IH (2) | ΤΠ = 500 μΑ | ΜΕΓΙΣΤΟ. | 80 | μΑ | |
| IL | IG = 1,2 IGT |
I - ΙΙΙ - IV |
ΜΕΓΙΣΤΟ. |
70 |
μΑ |
| dV/dt (2) | VD = πύλη ανοικτό Tj 67% VDRM = 125°C | ΕΛΑΧΙΣΤΟΣ. | 500 | V/µs | |
| (dV/dt) γ (2) | (dI/dt) γ = 20 A/ms Tj = 125°C | ΕΛΑΧΙΣΤΟΣ. | 10 | V/µs | |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485