Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > DS1230Y-150+ 256k αμετάβλητο SRAM SS αντικαθιστά το ολοκληρωμένο κύκλωμα ενότητας RAM

DS1230Y-150+ 256k αμετάβλητο SRAM SS αντικαθιστά το ολοκληρωμένο κύκλωμα ενότητας RAM

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kbit Parallel 150 ns 28-EDIP
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Negotiation
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
FEATURES:
10 years minimum data retention in the absence of external power
FEATURES2:
Data is automatically protected during power loss
FEATURES3:
 Replaces 32k x 8 volatile static RAM, EEPROM or Flash memory
Applications:
Unlimited write cycles
Typical Applications 1:
Low-power CMOS
Typical Applications 2:
Read and write access times as fast as 70 ns
Κυριώτερο σημείο:

low voltage power mosfet

,

hybrid inverter circuit

Εισαγωγή

DS1230Y-150+ 256k αμετάβλητο SRAM SS αντικαθιστά το ολοκληρωμένο κύκλωμα ενότητας RAM

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ

10 ελάχιστης έτη διατήρησης στοιχείων ελλείψει της εξωτερικής δύναμης

Το στοιχείο προστατεύεται αυτόματα κατά τη διάρκεια της απώλειας δύναμης

; Αντικαθιστά 32k Χ πτητικό στατικό RAM 8, EEPROM ή τη αστραπιαία σκέψη;

Απεριόριστος γράψτε τους κύκλους;

Χαμηλής ισχύος CMOS;

Διαβάστε και γράψτε τους χρόνους πρόσβασης γρηγορότερους από 70 NS

; Η πηγή ενέργειας λίθιου είναι ηλεκτρικά αποσυνδεμένη για να διατηρήσει τη φρεσκάδα έως ότου εφαρμόζεται για πρώτη φορά η δύναμη;

Πλήρες ±10% VCC λειτουργούσα σειρά (DS1230Y);

Προαιρετικό ±5% VCC λειτουργούσα σειρά (DS1230AB);

Προαιρετική βιομηχανική σειρά θερμοκρασίας -40°C σε +85°C, οριζόμενη το IND;

Τυποποιημένη συσκευασία ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ 28 καρφιτσών JEDEC

; Νέα συσκευασία ενότητας PowerCap (PCM)

- Άμεσα επιφάνεια-mountable ενότητα

- Αναπληρώσιμη θραύση

- σε PowerCap παρέχει την εφεδρική μπαταρία λίθιου

- Τυποποιημένος pinout για όλα τα αμετάβλητα προϊόντα SRAM

- Το χαρακτηριστικό γνώρισμα αποσυνδέσεων σε PowerCap επιτρέπει την εύκολη αφαίρεση χρησιμοποιώντας ένα κανονικό κατσαβίδι

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ ΚΑΡΦΙΤΣΩΝ

A0 - A14 - εισαγωγές διευθύνσεων

DQ0 - DQ7 - στοιχεία In/Data έξω

CE - Το τσιπ επιτρέπει

ΕΜΕΙΣ - Γράψτε επιτρέπει

OE - Η παραγωγή επιτρέπει

VCC - Δύναμη (+5V)

GND - Έδαφος

NC - Κανένας συνδέστε

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Το DS1230 256k αμετάβλητο SRAMs είναι 262.144 μπιτ, πλήρως στατικό, αμετάβλητο SRAMs που οργανώνεται ως 32.768 λέξεις από 8 μπιτ.

Κάθε NV SRAM έχει ανεξάρτητα στοιχεία κυκλώματος πηγής και ελέγχου ενέργειας λίθιου που ελέγχουν συνεχώς VCC για έναν όρο έξω--ανοχής.

Όταν ένας τέτοιος όρος εμφανίζεται, η πηγή ενέργειας λίθιου είναι αυτόματα αναμμένη και γράφει ότι η προστασία επιτρέπεται άνευ όρων για να αποτρέψει τη δωροδοκία στοιχείων.

Οι συσκευές εμβύθιση-συσκευασίας DS1230 μπορούν να χρησιμοποιηθούν αντί της ύπαρξης 32k Χ 8 στατικούς κριούς που προσαρμόζονται άμεσα στο δημοφιλές bytewide 28 τα πρότυπα ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ καρφιτσών.

Οι συσκευές ΕΜΒΥΘΙΣΗΣ επίσης ταιριάζουν με το pinout 28256 EEPROMs, επιτρέποντας την άμεση αντικατάσταση ενισχύοντας την απόδοση. DS1230 οι συσκευές στη συσκευασία ενότητας μικρής ακτινοβολίας σχεδιάζονται συγκεκριμένα για τις εφαρμογές επιφάνεια-υποστηριγμάτων.

Δεν υπάρχει κανένα όριο στον αριθμό γράφει τους κύκλους που μπορούν να εκτελεσθούν και κανένα στοιχείο κυκλώματος πρόσθετης υποστήριξης δεν απαιτείται για τη διασύνδεση μικροεπεξεργαστών.

ΔΙΑΒΑΣΤΕ ΤΟΝ ΤΡΟΠΟ

Οι συσκευές DS1230 εκτελούν έναν διαβασμένο κύκλο όποτε ΕΜΕΊΣ (γράψτε επιτρέπει) είναι ανενεργές (υψηλός) και το CE (το τσιπ επιτρέπει) και OE (η παραγωγή επιτρέπει) είναι ενεργά (χαμηλός).

Η μοναδική διεύθυνση που διευκρινίζεται από τις 15 εισαγωγές διευθύνσεων (A0 - A14) καθορίζει που των 32.768 ψηφιολέξεων των στοιχείων πρόκειται να προσεγγιστεί. Τα έγκυρα στοιχεία θα είναι διαθέσιμα στους οκτώ οδηγούς παραγωγής στοιχείων μέσα στο tACC (χρόνος πρόσβασης) αφότου το τελευταίο σήμα εισαγωγής διευθύνσεων είναι σταθερό, υπό τον όρο ότι το CE και OE (η παραγωγή επιτρέπει) χρόνοι πρόσβασης ικανοποιούν επίσης.

Εάν οι χρόνοι πρόσβασης OE και CE δεν ικανοποιούν, κατόπιν η πρόσβαση στοιχείων πρέπει να μετρηθεί από το πρόσφατος-εμφανιμένος σήμα (CE ή OE) και η περιοριστική παράμετρος είναι είτε tCO για το CE είτε το toe για OE παρά να εξεταστεί η πρόσβαση.

ΓΡΑΨΤΕ ΤΟΝ ΤΡΟΠΟ

Οι συσκευές DS1230 εκτελούν γράφουν τον κύκλο όποτε ΕΜΕΊΣ και τα σήματα CE είμαστε ενεργοί (χαμηλός) αφότου οι εισαγωγές διευθύνσεων είναι σταθερές. Η πρόσφατος-εμφανιμένος μειωμένη άκρη του CE ή θα καθορίσουμε ότι η έναρξη γράφει τον κύκλο.

Γράψτε ότι ο κύκλος ολοκληρώνεται από την προηγούμενη αυξανόμενη άκρη του CE ή ΕΜΕΊΣ. Όλες οι εισαγωγές διευθύνσεων πρέπει να κρατηθούν έγκυρες σε όλο γράφουν τον κύκλο.

Πρέπει να επιστρέψουμε στο υψηλό κράτος για έναν ελάχιστο χρόνο αποκατάστασης (tWR) προτού να μπορέσει να αρχίσει ένας άλλος κύκλος. Το σήμα ελέγχου OE πρέπει να κρατηθεί ανενεργό (υψηλός) κατά τη διάρκεια γράφει τους κύκλους για να αποφύγει τον ισχυρισμό λεωφορείων.

Εντούτοις, εάν οι οδηγοί παραγωγής επιτρέπονται (CE και OE ενεργά) έπειτα θα θέσουμε εκτός λειτουργίας τα αποτελέσματα στο tODW από τη μειωμένη άκρη της.

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ Λ. ΤΥΠΟΣ MAX ΜΟΝΑΔΕΣ ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ
DS1230AB τάση παροχής ηλεκτρικού ρεύματος VCC 4.75 5.0 5.25 Β /
DS1230Y τάση παροχής ηλεκτρικού ρεύματος VCC 4.5 5.0 5.5 Β
Λογική 1 VIH 2.2 VCC Β
Λογική 0 VIL 0,0 0,8 Β
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
5pcs