Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > IGBT Power Module > STK621 - Mosfet 033 Β.Α. υβριδικό σύνολο ΓΟΥΛΙΏΝ κυκλωμάτων αναστροφέων ενότητας δύναμης που φορμάρεται

STK621 - Mosfet 033 Β.Α. υβριδικό σύνολο ΓΟΥΛΙΏΝ κυκλωμάτων αναστροφέων ενότητας δύναμης που φορμάρεται

κατασκευαστής:
ΕΠΙΣΤΡΟΠΟΣ / Καταλύτης
Περιγραφή:
Μισή 23-ΓΟΥΛΙΆ μηχανών εναλλασσόμενου ρεύματος οδηγών γεφυρών (3) IGBT
Κατηγορία:
IGBT Power Module
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Features1:
Πολύ χαμηλό DCR άριστος τρέχων χειρισμός
Features2:
Μικρογραφία 3,0 × ίχνος 3,0 χιλ. λιγότερο από 1,5 χιλ. ψηλός
Features3:
Υποχωρητικό υαλοβερνίκωμα ασημένιος-παλλάδιο-λευκόχρυσος-γυαλιού RoHS. Άλλες λήξεις διαθέσιμες με συ
Βάρος:
τ 40 – 45 mg
Περιβαλλοντική θερμοκρασία:
ε – 40°C σε +85°C με το ρεύμα Irms, +85°C σε +125°C με το ρεύμα
Θερμοκρασία αποθήκευσης:
Συστατικό: – 40°C σε +125°C. που συσκευάζει: – 40°C σε +80°C
Κυριώτερο σημείο:

thyristor diode module

,

hybrid inverter circuit

Εισαγωγή

STK621-220A Mosfet δύναμης ενότητας σύνολο ΓΟΥΛΙΏΝ κυκλωμάτων αναστροφέων που φορμάρεται υβριδικό

STK621-220A ΥΒΡΙΔΙΚΗ ΕΝΟΤΗΤΑ ΔΥΝΑΜΗΣ ΑΝΑΣΤΡΟΦΕΩΝ

Πλήρης φορμαρισμένη συσκευασία ΓΟΥΛΙΩΝ

Επισκόπηση

Αυτό το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι ένα υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα δύναμης αναστροφέων 3 φάσης που περιλαμβάνει τα στοιχεία δύναμης (IGBT και FRD), τον προ-οδηγό, overcurrent και το υπερβολικό κύκλωμα προστασίας θερμοκρασίας.

Εφαρμογή

• κίνηση μηχανών αναστροφέων 3 φάσης

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• Ενσωματώνει τα στοιχεία δύναμης (IGBT και FRD), τον προ-οδηγό, και το προστατευτικό κύκλωμα.

• Τα προστατευτικά κυκλώματα συμπεριλαμβανομένου overcurrent (γραμμή λεωφορείων), της υπερβολικής θερμοκρασίας και της προστασίας χαμηλής τάσης προ-κίνησης ενσωματώνονται.

• Η άμεση εισαγωγή των σημάτων ελέγχου επιπέδων CMOS χωρίς ένα μονώνοντας κύκλωμα (photocoupler, κ.λπ.) είναι δυνατή.

• Η ενιαία κίνηση παροχής ηλεκτρικού ρεύματος είναι δυνατή με τη χρησιμοποίηση ενός κυκλώματος δολωμάτων με ένα ενσωματωμένο ολοκληρωμένο κύκλωμα

• Το όργανο ελέγχου θερμοκρασίας είναι δυνατό από τη θερμική αντίσταση μέσα στο ολοκληρωμένο κύκλωμα

• Ενσωματωμένος ταυτόχρονος ανώτερος/χαμηλότερος στο κύκλωμα πρόληψης για να αποτρέψει βραχιόνων μέσω ταυτόχρονου στην εισαγωγή για τις ανώτερες και χαμηλότερες δευτερεύουσες κρυσταλλολυχνίες. (Ο νεκρός χρόνος απαιτείται για την παρεμπόδιση λόγω της καθυστέρησης μετατροπής.)

• ΓΟΥΛΙΑ (η ενιαία ευθύγραμμη συσκευασία) της πλήρους δομής φορμών μεταφοράς.

Προδιαγραφές απόλυτες

Μέγιστες εκτιμήσεις TC = 25°C

Παράμετρος Σύμβολο Όρος Εκτιμήσεις Μονάδα
Τάση ανεφοδιασμού Vcc + - −, κύμα < 500V=""> 450 Β
Τάση συλλέκτης-εκπομπών Vce + - U (Β, W) Ή U (Β, W) 600 Β
Ρεύμα παραγωγής Io +, −, U, Β, τελικό ρεύμα W ±30 Α
Μέγιστο ρεύμα παραγωγής Lop +, −, U, Β, τελικό ρεύμα W PW = 100μs ±45 Α
Τάση ανεφοδιασμού προ-οδηγών VD1,2,3,4 VB1 - U, VB2 - Β, VB3 - W, VDD - VSS 20 Β
Τάση σημάτων εισαγωγής Vin HIN1, 2, 3, LIN1, 2, τερματικό 3 0 έως 7 Β
Τελική τάση ΕΛΑΤΤΩΜΑΤΩΝ VFAULT Τερματικό ΕΛΑΤΤΩΜΑΤΩΝ 20 Β
Μέγιστη απώλεια Pd Ανά 1 κανάλι 49 W
Θερμοκρασία συνδέσεων Tj IGBT, θερμοκρασία συνδέσεων FRD 150 °C
Θερμοκρασία αποθήκευσης Tstg -40 έως +125 °C
Λειτουργούσα θερμοκρασία TC Χ-ολοκληρωμένο κύκλωμα θερμοκρασία περίπτωσης -20 έως +100 °C
Ροπή σκλήρυνσης Ένα μέρος βιδών στη βίδα τύπων χρήσης M4 1.17 NM
Αντισταθείτε την τάση Vis 50Hz εναλλασσόμενο ρεύμα κυμάτων ημιτόνου 1 λεπτό 2000 VRMs

Στην περίπτωση χωρίς την οδηγία, τα πρότυπα τάσης είναι - τερματικό = τελική τάση VSS. *1 τάση κύματος που αναπτύσσεται από τη διαδικασία μεταγωγής λόγω της αυτεπαγωγής καλωδίωσης μεταξύ + και – τερματικά. *2 VD1 = ΜΕΤΑΞΎ ΤΟΥ VB1-U, VD2 = VB2-Β, VD3 = VB3-W, VB4 = VDD-VSS, ΤΕΛΙΚΉ ΤΆΣΗ. *3 η λειότητα του heatsink πρέπει να είναι χαμηλότερη από 0.25mm. *4 ο όρος δοκιμής είναι εναλλασσόμενο ρεύμα 2500V, 1 δεύτερος.

Σημειώσεις

1. Η εισαγωγή στην τάση δείχνει μια αξία για να ανοίξει το στάδιο IGBT παραγωγής. Η εισαγωγή ΑΠΟ την τάση δείχνει μια αξία για να κλείσει το στάδιο IGBT παραγωγής. Κατά την διάρκεια της παραγωγής ΕΠΑΝΩ, θέστε την τάση 0V σημάτων εισαγωγής σε VIH (MAX). Κατά την διάρκεια της παραγωγής ΜΑΚΡΙΑ, θέστε την τάση VIL σημάτων εισαγωγής (λ.) σε 5V.

2. Όταν το εσωτερικό κύκλωμα προστασίας λειτουργεί, υπάρχει ένα σήμα ελαττωμάτων (όταν το τερματικό ελαττωμάτων είναι χαμηλού επιπέδου, το σήμα ελαττωμάτων είναι στο κράτος: η μορφή παραγωγής είναι ανοικτός ΑΓΩΓΟΣ) αλλά το σήμα ελαττωμάτων δεν κλείνει με το μάνταλο. Αφότου τελειώνει η λειτουργία προστασίας, επιστρέφει αυτόματα περίπου μέσα σε 18ms σε 80ms και επαναλαμβάνει τον όρο αρχής λειτουργίας. Έτσι, μετά από την ανίχνευση σημάτων ελαττωμάτων, που πυροδοτεί (ΥΨΗΛΟΣ) σε όλα τα σήματα εισαγωγής αμέσως. Εντούτοις, η λειτουργία της προστασίας χαμηλής τάσης παροχής ηλεκτρικού ρεύματος προ-κίνησης (UVLO: έχει μια υστέρηση για 0.3V) είναι το ακόλουθο. Ανώτερο δευτερεύον → δεν υπάρχει καμία παραγωγή σημάτων ελαττωμάτων, αλλά κάνει ένα αντίστοιχο σήμα πυλών ΜΑΚΡΙΆ. Τυχαία, επιστρέφει στην κανονική λειτουργία κατά την ανάκτηση στην κανονική τάση, αλλά ο σύρτης συνεχίζεται μεταξύ του σήματος εισαγωγής ΕΠΑΝΩ (ΧΑΜΗΛΟΣ). Χαμηλότερο δευτερεύον → αυτό σήμα ελαττωμάτων αποτελεσμάτων με το σήμα πυλών ΜΑΚΡΙΆ. Εντούτοις, είναι διαφορετικό από τη λειτουργία προστασίας της ανώτερης πλευράς, είναι αυτόματα το αναστοιχειοθετήσεις για 18ms σε 80ms αργότερα και επαναλαμβάνει τον όρο αρχής λειτουργίας κατά ανάκτηση στην κανονική τάση. (Η λειτουργία προστασίας δεν κλείνει με το μάνταλο από το σήμα εισαγωγής.)

3. Κατά συγκέντρωση του υβριδικού ολοκληρωμένου κυκλώματος στο heatsink με τη βίδα τύπων M4, τη σκλήρυνση της σειράς ροπής είναι 0.79N•μ σε 1.17N•μ. η λειότητα του heatsink πρέπει να είναι χαμηλότερη από 0.25mm.

4. Η προστασία χαμηλής τάσης προ-κίνησης είναι το χαρακτηριστικό γνώρισμα για να προστατεύσει μια συσκευή όταν μειώνεται η τάση ανεφοδιασμού προ-οδηγών με τη λειτουργούσα δυσλειτουργία. Όσον αφορά στην πτώση τάσης ανεφοδιασμού προ-οδηγών σε περίπτωση αρχής λειτουργίας, και ούτω καθεξής, ζητάμε την επιβεβαίωση στο σύνολο.

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
Ενιαίος σωλήνας NPT -264 μηχανών συγκόλλησης FGL40N120ANDTU 40A 1200V IGBT

Ενιαίος σωλήνας NPT -264 μηχανών συγκόλλησης FGL40N120ANDTU 40A 1200V IGBT

IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W Through Hole TO-264-3
Τάφρος IGBT 25A 1200V FGA25N120ANTD -3P NPT

Τάφρος IGBT 25A 1200V FGA25N120ANTD -3P NPT

IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
HGTG11N120CND NPT GBT αντι παράλληλη Hyperfast δίοδος 43A 1200V

HGTG11N120CND NPT GBT αντι παράλληλη Hyperfast δίοδος 43A 1200V

IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Through Hole TO-247-3
Κρυσταλλολυχνία FGH40N60 FGH40N60SMD ηλεκτρονικών τμημάτων 40N60 IGBT υπηρεσιών ολοκληρωμένου κυκλώματος BOM

Κρυσταλλολυχνία FGH40N60 FGH40N60SMD ηλεκτρονικών τμημάτων 40N60 IGBT υπηρεσιών ολοκληρωμένου κυκλώματος BOM

IGBT Field Stop 600 V 80 A 349 W Through Hole TO-247-3
FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 -247 νέο αρχικό ολοκληρωμένο κύκλωμα στάσεων IGBT τομέων 80A 600V

FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 -247 νέο αρχικό ολοκληρωμένο κύκλωμα στάσεων IGBT τομέων 80A 600V

IGBT Field Stop 600 V 80 A 290 W Through Hole TO-247-3
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
5pcs