CNY65A ο πίνακας κυκλωμάτων ολοκληρωμένου κυκλώματος αισθητήρων πίεσης πελεκά Optocoupler τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος με την παραγωγή φωτοτρανζίστορ
temperature sensor ic
,electronic pressure sensors
CNY65A
Optocoupler, παραγωγή φωτοτρανζίστορ, πολύ υψηλή τάση απομόνωσης
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
• Εκτιμημένη τάση απομόνωσης (το RMS περιλαμβάνει το συνεχές ρεύμα) VIOWM = 1000 VRMS (αιχμή 1450 Β)
• Εκτιμημένη επαναλαμβανόμενη μέγιστη τάση (επαναλαμβανόμενη) VIORM = 1000 VRMS
• Πάχος μέσω της μόνωσης ≥ 3 χιλ.
• Τρέχουσα αντίσταση διασκορπισμού σύμφωνα με VDE 0303/IEC 60112 συγκριτικός ακολουθώντας δείκτης: CTI ≥ 200 • Αμόλυβδο συστατικό
• Συστατικό σύμφωνα με RoHS 2002/95/ΕΚ και WEEE 2002/96/ΕΚ
Εγκρίσεις αντιπροσωπείας
• UL1577, αρχειοθετήστε το αριθ. E76222 κώδικας Χ, J &K, διπλή προστασία συστημάτων
• ΤΟ EN 60747-5-2 (VDE0884) DIN EN 60747-5-5 DIN ΕΚΚΡΕΜΈΣ
• Σχετικά με το VDE χαρακτηριστικά γνωρίσματα:
• Εκτιμημένη τάση ώθησης (παροδικό overvoltage) VIOTM = 8 kV αιχμή
• Τάση δοκιμής απομόνωσης (μερική τάση δοκιμής απαλλαγής) Vpd = 2,8 kV αιχμή
Εφαρμογές
Κυκλώματα για τον ασφαλή προστατευτικό χωρισμό ενάντια στον ηλεκτρικό κλονισμό σύμφωνα με την κατηγορία ΙΙ ασφάλειας (ενισχυμένη απομόνωση): Για το appl. κατηγορία Ι - IV στην τάση ≤ 300 Β κεντρικών αγωγών για το appl. κατηγορία Ι - IV στην τάση ≤ 600 Β κεντρικών αγωγών για το appl. κατηγορία Ι - ΙΙΙ στην τάση ≤ 1000 Β κεντρικών αγωγών σύμφωνα με το EN 60747-5-2 DIN (VDE0884)/το EN DIN 60747 - 5-5 εκκρεμές, πίνακας 2, κατάλληλος για: Παροχές ηλεκτρικού ρεύματος διακόπτης-τρόπου, δέκτης γραμμών, περιφερειακή διεπαφή υπολογιστών, διεπαφή συστημάτων μικροεπεξεργαστών.
Περιγραφή
Το CNY64/CNY65/CNY66 αποτελείται από ένα φωτοτρανζίστορ που συνδέεται οπτικά με μια infraredemitting δίοδο αρσενίδιων γαλλίου 4 καρφώνει την πλαστική συσκευασία. Τα ενιαία συστατικά τοποθετούνται απέναντι από το ένα άλλο, που παρέχει μια απόσταση μεταξύ της εισαγωγής και της παραγωγής για τις υψηλότερες απαιτήσεις ασφάλειας > 3 χιλ.
Ένα μέρος του καταλόγου αποθεμάτων
| ΚΑΠ 100NF 50V X7R CL05B104KB5NNNC | SAMSUNG | AC82ODH | SMD0402 |
| ΚΑΠ 4,7UF 10V X5R 10% CL21A475KPFNNNE | SAMSUNG | ACABOJN | SMD0805 |
| ΚΑΠ 1NF 2KV X7R 10% CL31B102KJFNNNE | SAMSUNG | ACA9ORJ | SMD1206 |
| ΚΑΠ 0402 NPO CL05C100JB5NNNC 10PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| ΚΑΠ 0402 NPO CL05C220JB5NNNC 22PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| ΚΑΠ 0805 1UF 16V X5R CL21A105KOFNNNE |
SAMSUNG | ACA7OCC | SMD0805 |
| RES 0402 10K 5% RC0402JR-0710KL |
YAGEO | 1646 | SMD0402 |
| RES 0402 100K 5% RC0402JR-07100KL | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| RES 0402 220R 5% RC0402JR-07220RL | YAGEO | 1625 | SMD0402 |
| RES 0402 0R 5% RC0402JR-070RL |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| RES 0402 4K7 5% RC0402JR-074K7L |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| RES 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| RES 0402 49R9 1% RC0402FR-0749R9L | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| RES 0402 12K1 1% RC0402FR-0712K1L | YAGEO | 1644 | SMD0402 |
| ΚΑΠ ELETR 1000UF 50V RF1H102M12.5X25 | NANTUNG | 16+ | SMD |
| C.I MCP9700AT-E/TT | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | AFWJ | Sot23-3 |
| RC0805JR-0710KL | YAGEO | 1630 | SMD0805 |
| DIODO DF06S | SEP | 1611 | Sop-4 |
| ΣΥΝΔΙΑΛΛΑΓΉ ZXMN10A09KTC | ZETEX | 1243 | -252 |
| RC0805JR-071ML | YAGEO | 1618 | SMD0805 |
| C.I L7812CV | ST | 620 | -220 |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | Lite- | 1644 | Sop-6 |
| RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | YAGEO | 1518 | SMD1206 |
| ΚΑΠ 220NF 100V 10% X7S C2012X7S2A224K085AE | TDK | IB16H30223SD | SMD0805 |
| RC0805JR-07330RL | YAGEO | 1632 | SMD0805 |
| DIODO PTZTE2518B | ROHM | 1639/18B/69 | SMA |
| C.I MT29F4G08ABADAWP: Δ | ΜΙΚΡΟ | 1402 | Tsop-48 |
| DIODO SMCJ5.0A-E3/57T | VISHAY | 1632/GDE | SMC |
| C.I ADS8344E | Tj | 4ACZLLK | Ssop-20 |
| C.I DAC7714U | Tj | 21AQSQT | Sop-16 |
Γρήγορη δίοδος SOT23 1N4148W-E3-08 μετατροπής περίπτωσης RoHS SOD123
ΓΡΑΣΊΔΙ LL42-GS08 30V 200mA - 80 δίοδοι Schottky σημάτων
SMBJ170A-E3/52 τάση VISHAY απόκλισης μέγιστης ισχύος σφυγμού 600W 17V
-247 Mosfet 12A 200V Π δύναμης VISHAY κανάλι IRFP9240PBF
VO0630T Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ
αντιστάτες MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 αντι αντιστάτης τσιπ θείου SMD για την ενεργό θέση μερών λεπτών ταινιών τηλεπικοινωνιών
MMB02070C1503FB200 αντιστάτης 150 λεπτών ταινιών KOhms ±1% αντιστάτης ταινιών μετάλλων MELF 0207
Αντιστάτης ωμ SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k, αυτοκίνητος αντιστάτης έρματος αντι θείου
Αντιστάτης 0.4W 2/5W 0204 αντι θείο 2,2 τσιπ MMA02040C2201FB300 SMD KOhms
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
Γρήγορη δίοδος SOT23 1N4148W-E3-08 μετατροπής περίπτωσης RoHS SOD123 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
|
|
|
|
ΓΡΑΣΊΔΙ LL42-GS08 30V 200mA - 80 δίοδοι Schottky σημάτων |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
|
|
|
|
SMBJ170A-E3/52 τάση VISHAY απόκλισης μέγιστης ισχύος σφυγμού 600W 17V |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
|
|
|
-247 Mosfet 12A 200V Π δύναμης VISHAY κανάλι IRFP9240PBF |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
|
|
|
VO0630T Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
|
|
|
|
αντιστάτες MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
MMB02070C1004FB200 αντι αντιστάτης τσιπ θείου SMD για την ενεργό θέση μερών λεπτών ταινιών τηλεπικοινωνιών |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
MMB02070C1503FB200 αντιστάτης 150 λεπτών ταινιών KOhms ±1% αντιστάτης ταινιών μετάλλων MELF 0207 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
Αντιστάτης ωμ SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k, αυτοκίνητος αντιστάτης έρματος αντι θείου |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
|
|
|
|
Αντιστάτης 0.4W 2/5W 0204 αντι θείο 2,2 τσιπ MMA02040C2201FB300 SMD KOhms |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|