Νέα/αρχική Mosfet δύναμης NPN ΔΙΠΟΛΙΚΉ κρυσταλλολυχνία 120 βολτ 0,5 Amps 2N1893
κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Collector Current:
0.5 mA
Collector-Base Voltage:
120
Fast Switching:
30 nS
Meets:
MIL-S-19500/182
Κυριώτερο σημείο:
electronic pressure sensors
,hall effect sensor ic
Εισαγωγή
| ΕΚΤΙΜΗΣΗ | ΣΥΜΒΟΛΟ | ΜΕΓΙΣΤΟ. | ΜΟΝΑΔΑ |
| Τάση συλλέκτης-εκπομπών | VCEO | 80 | Vdc |
| Τάση συλλέκτης-εκπομπών | VCER | 100 | Vdc |
| Συλλέκτη-βάσης τάση | VCBO | 120 | Vdc |
| Emitter-Base τάση | VEBO | 7.0 | Vdc |
| Ρεύμα συλλεκτών - συνεχές | Ολοκληρωμένο κύκλωμα | 0,5 | ΠΑΧ |
| Συνολικός διασκεδασμός @ Τ συσκευών Α = 25oC Derate επάνω από 25oC | PD | 0,8 | Watt mW/oC |
| Συνολικός διασκεδασμός @ Τ συσκευών Γ = 25oC Derate επάνω από 25oC | PD | 3.0 | Watt mW/oC |
| Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας | TJ | -55 έως +200 | Oc |
| Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης | TS | -55 έως +200 | Oc |
| Θερμική αντίσταση, σύνδεση σε περιβαλλοντικό | RqJA | 219 | oC/W |
| Θερμική αντίσταση, σύνδεση στην περίπτωση | RqJA | 58 | oC/W |
Μηχανική περίληψη
| ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | ΣΥΜΒΟΛΟ | ΕΛΑΧΙΣΤΟΣ. | ΤΥΠΟΣ. | ΜΕΓΙΣΤΟ. | ΜΟΝΑΔΑ |
| Από τα χαρακτηριστικά | |||||
| Τάση διακοπής συλλέκτης-εκπομπών (Ι Γ = 100 mAdc, RBE = 10 ωμ) (1) | BVCER | 100 | -- | ||
| Τάση στήριξης συλλέκτης-εκπομπών (1) (Ι Γ = mAdc 30, IB = 0) (1) | BVCEO | 80 | -- | ||
| Συλλέκτη-βάσης τάση διακοπής (Ι Γ = mAdc 100, ΔΗΛ. = 0) | BV (BR) CBO | 120 | -- | Vdc | |
| Emitter-Base τάση διακοπής (ΔΗΛ. = 100 mAdc, ολοκληρωμένος κύκλωμα = 0) | BV (BR) CBO | 7.0 | -- | ||
| Ρεύμα διακοπών συλλεκτών (CB Β = 90 Vdc, ΔΗΛ. = 0) (CB Β = 90 Vdc, ΔΗΛ. = 0, TA = 150o Γ) | ICBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Ρεύμα διακοπών εκπομπών (VEB = 5,0 Vdc, ολοκληρωμένος κύκλωμα = 0) | IEBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Στα χαρακτηριστικά | |||||
| D.C. Τρέχον κέρδος (ολοκληρωμένος κύκλωμα = 0,1 mAdc, VCE = 10 Vdc) (Ι Γ = 10mAdc, VCE = 10 Vdc) (1) (Ι Γ = 10MADC, VCE = 10 VDC, TA = -55O Γ) (1) (Ι Γ = 150mAdc, VCE = 10 Vdc) (1) | hFE | 20 | -- | -- | |
| Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών (1) (Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | (Που κάθεται VCE) | -- | 0,5 | Vdc | |
| Base-Emitter τάση κορεσμού (1) (ολοκληρωμένος κύκλωμα = mAdc 150, IB = mAdc 15) | (Που κάθεται VCE) | -- | 1.3 | Vdc | |
| Μέγεθος της μικρής μπροστινής τρέχουσας αναλογίας βραχυκυκλώματος σημάτων (Ι Γ = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, φ = 20 MHZ) | το /hfe/ | 3 | 10 | ||
| Ικανότητα παραγωγής (CB Β = 10 Vdc, ΔΗΛ. = 0, φ = 1,0 MHZ) | COBO | 5 | 15 | pF | |
| Σύνθετη αντίσταση εισαγωγής = (Ι Γ = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, φ = 1.0kHz) | hib | 4.0 | 8.0 | Ωμ | |
| Αναλογία ανατροφοδότησης τάσης (Ι Γ = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, φ = kHz 1,0) | hrb | -- | 1.5 | Χ 10-4 | |
| Τρέχον κέρδος μικρός-σημάτων (Ι γ = 1,0 mAdc, VcB = 5.0Vdc, φ = kHz 1,0) (Ι Γ = mAdc 5,0, VCB = 10 Vdc, φ = kHz 1,0) | hfe | 35 | 100 | -- | |
| Είσοδος παραγωγής (Ι Γ = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, φ = kHz 1,0) | hob | -- | 0,5 | mmho | |
| Απάντηση σφυγμού (Vcc = 20Vdc, ολοκληρωμένος κύκλωμα = 500mAdc) | τόνος + tof | -- | 30 | NS |
(1) δοκιμή σφυγμού: Κα πλάτους σφυγμού £ 300, κύκλος καθήκοντος £ 2,0%.
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
100pcs