IRF9540NPBF 3 κρυσταλλολυχνία καρφιτσών, MOSFET δύναμης τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ολοκληρωμένου κυκλώματος λάμψης
multi emitter transistor
,silicon power transistors
IRF2807 MOSFET δύναμης ηλεκτρονικής ολοκληρωμένου κυκλώματος τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ολοκληρωμένου κυκλώματος λάμψης κρυσταλλολυχνιών
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα παραγωγής:
προηγμένη λ τεχνολογική διαδικασία
δυναμική dv/dt εκτίμηση λ
λειτουργούσα θερμοκρασία λ 175°C
γρήγορη μετατροπή λ
P-Channel λ χιονοστιβάδα λ πλήρως που εκτιμάται
Βασικές προδιαγραφές:
Η πέμπτη γενεά HEXFETs από το διεθνή διορθωτή χρησιμοποιεί τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου.
Αυτό το όφελος, που συνδυάζεται με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και το δυναμωμένο σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης HEXFET είναι καλά - γνωστός για, παρέχει στο σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών.
Η συσκευασία -220 προτιμάται παγκοσμίως για όλες τις εμπορικός-βιομηχανικές εφαρμογές σε επίπεδα διασκεδασμού δύναμης σε περίπου 50 Watt. Η χαμηλή θερμική αντίσταση και το χαμηλό κόστος συσκευασίας των -220 συμβάλλουν στην ευρεία αποδοχή της σε όλη τη βιομηχανία
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
Ταυτότητα @ TC = συνεχές ρεύμα αγωγών 25°C, VGS @ 10V
ταυτότητα 82 @ TC = συνεχές ρεύμα αγωγών 100°C, VGS @ 10V 58 Α
Παλόμενος IDM αγωγός τρέχον 280 PD @TC = 25°C
Διασκεδασμός 230 γραμμικός Derating παράγοντας 1,5 W/°C δύναμης W
Τάση ± 20 Β πύλη--πηγής VGS
Χιονοστιβάδα τρέχον 43 Α IAR
Επαναλαμβανόμενη ενέργεια 23 MJ dv/dt χιονοστιβάδων ΑΥΤΙΩΝ
Μέγιστη αποκατάσταση dv/dt 5,9 V/ns TJ διόδων
Λειτουργούντα σύνδεση και -55 + σε 175
Θερμοκρασία συγκόλλησης σειράς θερμοκρασίας αποθήκευσης TSTG, για 10 δευτερόλεπτα 300 (1.6mm από την περίπτωση) ροπή μονταρισμάτων °C, 6-32 ή μ3 srew 10 lbf•μέσα (1.1N•μ)
Ένα μέρος του καταλόγου αποθεμάτων
| ΚΑΠ 0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | Tssop-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | Εμβύθιση-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | 1630/Y4 | Μέθυσος-23 | |
| Mmbd4148-7-φ | ΔΙΟΔΟΙ | 1617/KA2 | Μέθυσος-23 |
| ΔΙΑ MMBTA42LT1G | 1635/1D | Μέθυσος-23 | |
| DIODO. BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| ΔΙΑ NDD04N60ZT4G | 1143/A43/4N60ZG | -252 | |
| C.I UBA3070T | 1333 | Sop-8 | |
| ΚΑΠ 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| ΚΑΠ 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| ΚΑΠ 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | MURATA | IA6009DI8 | SMD0402 |
| ΚΑΠ ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| ΚΑΠ 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-Τ | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| OPTO 4N25M | FSC | 637Q | Εμβύθιση-6 |
| TRIAC BT151-500R | 603 | -220 |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485