IRF3205ZPBF ΑΥΤΟΚΙΝΗΤΟ MOSFET mosfet δύναμης μετατροπής χαμηλής ισχύος mosfet
npn smd transistor
,multi emitter transistor
ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΑΠΟΘΕΜΑΤΩΝ
| ICL3222CB | 4100 | INTERSIL | 12+ | SOP18 |
| Sga-5486 | 4100 | SIRENZA | 16+ | SMT86 |
| TEA1098ATV | 4100 | 12+ | SSOP | |
| NCP1271ADR | 4110 | 16+ | SOP7 | |
| FKV550T | 4111 | SANKEN | 16+ | TO220F |
| EPM570F256C5N | 4117 | ALTERA | 16+ | BGA256 |
| MC33063AP1 | 4117 | 16+ | DIP8 | |
| DS32ELX0421SQE | 4120 | NS | 16+ | LLP48 |
| P2503NPG | 4120 | ΝΙΚΟΣ | 14+ | DIP8 |
| TPS70751PWPR | 4120 | Tj | 16+ | TSSOP |
| HCPL4504 | 4121 | AVAGO | 16+ | ΕΜΒΥΘΙΣΗ |
| OP177GP | 4122 | ΑΓΓΕΛΙΑ | 15+ | Εμβύθιση-8 |
| 24LC512-I/SM | 4130 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16+ | Sop-8 |
| OZ8602GN | 4141 | ΜΙΚΡΟΫΠΟΛΟΓΙΣΤΗΣ | 15+ | Sop-16 |
| CNY70 | 4177 | VISHAY | 12+ | Εμβύθιση-4 |
| DS26LS32ACMX | 4177 | NS | 16+ | SOP16 |
| AD517JH | 4200 | ΑΓΓΕΛΙΑ | 12+ | -78 |
| ATMEGA169PV-8AU | 4200 | ATMEL | 16+ | Qfp-64 |
| CDRH2D18/HP-2R2NC | 4200 | SUMIDA | 16+ | SMD |
| IPD06N03LAG | 4200 | 16+ | -252 | |
| OP07CP | 4200 | Tj | 16+ | DIP8 |
| PIC18F2520-I/SO | 4200 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16+ | Sop-28 |
| SG6841DZ | 4200 | SG | 14+ | Εμβύθιση-8 |
| SN75HVD3082EP | 4200 | Tj | 16+ | ΕΜΒΥΘΙΣΗ |
| BSP450 | 4210 | 16+ | SOT223 | |
| Hd74ls14p-ε-q | 4210 | RENESAS | 15+ | DIP14 |
| TLZ5V1C | 4210 | VISHAY | 16+ | Ll-34 |
| PCF8593T | 4211 | 15+ | SOP8 | |
| BDW94C | 4250 | ST | 12+ | -220 |
| LQM21FN1R0N00D | 4250 | MURATA | 16+ | SMD |
| AT93C66-10SU-2.7 | 4252 | ATMEL | 12+ | Sop-8 |
| 2N3906 | 4287 | 16+ | -92 | |
| DS18B20 | 4444 | MAXIM | 16+ | -92 |
| 95SQ015 | 4456 | IR | 16+ | -204AD |
| PDTC143ET | 4477 | 16+ | Μέθυσος-23 | |
| BZX284-C12 | 4480 | PHI | 16+ | Γρασίδι-323 |
| 1SMB5920BT3G | 4500 | 14+ | -214AA | |
| 1SMB5922BT3G | 4500 | 16+ | -214AA | |
| 1SMB5929BT3G | 4500 | 16+ | -214AA | |
| 82C250T | 4500 | 15+ | SOP | |
| ADM202EAN | 4500 | ΑΓΓΕΛΙΑ | 16+ | ΕΜΒΥΘΙΣΗ |
IRF3205ZPBF
ΑΥΤΟΚΙΝΗΤΟ MOSFET mosfet δύναμης μετατροπής χαμηλής ισχύος mosfet
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
;► Προηγμένη τεχνολογική διαδικασία;
;► Υπερβολικά χαμηλή -αντίσταση
;► ; 175°C λειτουργούσα θερμοκρασία;
;► Γρήγορη μετατροπή;
;► Χιονοστιβάδα που επιτρέπεται επαναλαμβανόμενη μέχρι Tjmax
;► Αμόλυβδος
Περιγραφή
Συγκεκριμένα σχεδιασμένο για τις αυτοκίνητες εφαρμογές, ταυτότητα = 75A αυτό το MOSFET δύναμης HEXFETÆ χρησιμοποιεί τις πιό πρόσφατες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν εξαιρετικά - χαμηλό onresistance ανά περιοχή πυριτίου. Τα πρόσθετα χαρακτηριστικά γνωρίσματα αυτού του σχεδίου είναι μια λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων 175°C, μια γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και μια βελτιωμένη επαναλαμβανόμενη εκτίμηση χιονοστιβάδων. Αυτά τα χαρακτηριστικά γνωρίσματα συνδυάζουν να κάνουν αυτό το σχέδιο μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση στις αυτοκίνητες εφαρμογές και μια ευρεία ποικιλία άλλων εφαρμογών.

