IRFBC30 διπλό mosfet δύναμης Mosfet δύναμης N-CHANNEL 600V 1,8 ωμ -220 κρυσταλλολυχνιών PowerMESH] ΙΙ MOSFET
npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRFBC30
N - ΚΑΝΑΛΙ 600V - 1,8 Ω - 3.6A - MOSFET -220 PowerMESHTM ΙΙ
| ΤΥΠΟΣ | VDSS | RDS (επάνω) | Ταυτότητα |
| IRFBC30 | 600 Β | < 2=""> | 3.6 Α |
-220
■ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ RDS (επάνω) = 1,8 Ω
■ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΑ ΥΨΗΛΗ ΙΚΑΝΌΤΗΤΑ DV/DT
■100% ΧΙΟΝΟΣΤΙΒΑΔΑ ΔΟΚΙΜΑΣΜΕΝΗ
■ΠΟΛΥ ΧΑΜΗΛΕΣ ΕΓΓΕΝΕΙΣ ΙΚΑΝΟΤΗΤΕΣ
■ΔΑΠΑΝΗ ΠΥΛΩΝ ΠΟΥ ΕΛΑΧΙΣΤΟΠΟΙΕΙΤΑΙ
ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Το PowerMESHTM ΙΙ είναι η εξέλιξη της πρώτης γενιάς του ΠΛΈΓΜΑΤΟΣ OVERLAYTM. Οι καθαρισμοί σχεδιαγράμματος που εισάγονται πολύ βελτιώνουν τον αριθμό Ron*area της αξίας κρατώντας τη συσκευή στην αιχμή για αυτό που αφορά την ταχύτητα μετατροπής, τη δαπάνη πυλών και την τραχύτητα.
ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ
■ΥΨΗΛΗΣ ΤΆΣΗΣ, ΜΕΤΑΤΡΟΠΗ ΥΨΗΛΉΣ ΤΑΧΎΤΗΤΑΣ
■ΠΑΡΟΧΈΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΎ ΡΕΎΜΑΤΟΣ ΤΡΌΠΟΥ SWITH (SMPS)
■ΡΕΎΜΑ-ΕΝΑΛΛΑΣΣΌΜΕΝΟ ΡΕΎΜΑ ΜΕΤΑΤΡΟΠΕΊΣ ΓΙΑ ΤΟΝ ΕΞΟΠΛΙΣΜΌ ΣΥΓΚΌΛΛΗΣΗΣ ΚΑΙ ΤΙΣ UNINTERRUPTIBLE ΠΑΡΟΧΈΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΎ ΡΕΎΜΑΤΟΣ ΚΑΙ ΤΟΝ ΟΔΗΓΌ ΜΗΧΑΝΏΝ
ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ
| Σύμβολο | Παράμετρος | Αξία | Μονάδα |
| VDS | Τάση αγωγός-πηγής (VGS = 0) | 600 | Β |
| VDGR | Τάση πυλών αγωγών (RGS = 20 kΩ) | 600 | Β |
| VGS | Τάση πύλη-πηγής | ± 20 | Β |
| Ταυτότητα | Ρεύμα αγωγών (συνεχές) TC = 25 ℃ | 3.6 | Α |
| Ταυτότητα | Ρεύμα αγωγών (συνεχές) TC = 100 ℃ | 2.3 | Α |
| IDM (•) | Ρεύμα αγωγών (παλόμενο) | 14 | Α |
| Ptot | Συνολικός διασκεδασμός TC = 25 ℃ | 75 | W |
| Παράγοντας Derating | 0,6 | W/℃ | |
| dv/dt (1) | Μέγιστη κλίση τάσης αποκατάστασης διόδων | 3 | V/ns |
| Tstg | Θερμοκρασία αποθήκευσης | -65 έως 150 | ℃ |
| Tj | Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων | 150 | ℃ |
(•) Πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από την ασφαλή λειτουργούσα περιοχή
(1) ISD ≤3.6 Α, DI/DT ≤ 60 A/ΜS, VDD ≤ Β (BR) DSS, TJ ≤ TJMAX
ΕΣΩΤΕΡΙΚΟ ΣΧΗΜΑΤΙΚΟ ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ
-220 ΜΗΧΑΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ

