IRFI4020H-117P Mosfet δύναμης ΨΗΦΙΑΚΌ ΑΚΟΥΣΤΙΚΌ MOSFET 200 Β κρυσταλλολυχνιών
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
►; Ενσωματωμένη συσκευασία μισό-γεφυρών;
►; Μειώνει την αρίθμηση μερών από το μισό;
►; Διευκολύνει το καλύτερο σχεδιάγραμμα PCB;
►; Βασικές παράμετροι που βελτιστοποιούνται για τις ακουστικές εφαρμογές ενισχυτών κατηγορία-δ;
►; Χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ) για τη βελτιωμένη αποδοτικότητα;
►; Χαμηλά Qg και Qsw για καλύτερο THD και τη βελτιωμένη αποδοτικότητα; Χαμηλό Qrr για καλύτερο THD και τη χαμηλότερη EMI;
►; Μπορεί η παράδοση μέχρι 300W ανά κανάλι σε 8Ω να φορτώσει στον ενισχυτή διαμόρφωσης μισό-γεφυρών;
►; Αμόλυβδη συσκευασία
Περιγραφή
Αυτή η ψηφιακή ακουστική MosFET μισό-γέφυρα σχεδιάζεται συγκεκριμένα για τις ακουστικές εφαρμογές ενισχυτών Δ κατηγορίας. Αποτελείται από δύο MosFET δύναμης διακόπτες που συνδέονται στη διαμόρφωση μισό-γεφυρών. Η πιό πρόσφατη διαδικασία χρησιμοποιείται για να επιτύχει την χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Επιπλέον, η δαπάνη πυλών, η αντίστροφη αποκατάσταση σώμα-διόδων, και η εσωτερική αντίσταση πυλών βελτιστοποιούνται για να βελτιώσουν τους βασικούς κατηγορίας παράγοντες απόδοσης ενισχυτών Δ ακουστικούς όπως η αποδοτικότητα, THD και η EMI. Αυτοί συνδυάζουν να κάνουν αυτήν την μισό-γέφυρα μια ιδιαίτερα αποδοτική, γερή και αξιόπιστη συσκευή για τις ακουστικές εφαρμογές ενισχυτών Δ κατηγορίας.
| Παράμετρος | Max | Μονάδες | |
| VDS | Τάση αγωγός--πηγής | 200 | Β |
| VGS | Τάση πύλη--πηγής | ±20 | Β |
| Ταυτότητα @ TC = 25°C | Συνεχές ρεύμα αγωγών, VGS @ 10V | 9.1 |
Α |
| Ταυτότητα @ TC = 100°C | Συνεχές ρεύμα αγωγών, VGS @ 10V | 5.1 | Α |

