MOSFET δύναμης HEXFET κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου IRF3205PBF
npn smd transistor
,silicon power transistors
;
• Προηγμένη διαδικασία
• Τεχνολογία; Υπερβολικά χαμηλή -αντίσταση;
• Δυναμική εκτίμηση dv/dt;
• 175°C λειτουργούσα θερμοκρασία;
• Γρήγορη μετατροπή;
• Πλήρως χιονοστιβάδα που εκτιμάται;
• Αμόλυβδος
Περιγραφή
Προηγμένα MOSFETs δύναμης HEXFET® από διεθνή
Ο διορθωτής χρησιμοποιεί τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν
εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος,
συνδυασμένος με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και δυναμωμένος
σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης HEXFET είναι καλά - γνωστός
γιατί, παρέχει στο σχεδιαστή εξαιρετικά έναν αποδοτικό και
αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών.
Η συσκευασία -220 προτιμάται παγκοσμίως για όλους
εμπορικός-βιομηχανικές εφαρμογές σε επίπεδα διασκεδασμού δύναμης
σε περίπου 50 Watt. Η χαμηλή θερμική αντίσταση και
το χαμηλό κόστος συσκευασίας των -220 συμβάλλει σε ευρύ του
αποδοχή σε όλη τη βιομηχανία.
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC