Η επιφάνεια τοποθετεί Si-κρυσταλλικό PlanarTransistors BCP53
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Διασκεδασμός δύναμης – Verlustleistung 1.3 W
Πλαστική περίπτωση Μέθυσος-223
Kunststoffgehäuse
Βάρος περ. – Gewicht περίπου 0,04 γ
Το πλαστικό υλικό έχει την ταξινόμηση 94V-0 UL
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Τυποποιημένη συσκευασία που δένεται με ταινία και που τυλίγεται
Τυποποιημένο auf Rolle Lieferform gegurtet
Μέγιστες εκτιμήσεις (TA = 25; ℃) Grenzwerte (TA = 25; ℃)
| BCP 51 | BCP 52 | BCP 53 | ||
| Συλλέκτης-εκπομπός-τάση Β ανοικτό | - VCE0 | 45 Β | 60 Β | 80 Β |
| Συλλέκτης-βάση-τάση Ε ανοικτό | - VCB0 | 45 Β | 60 Β | 100 Β |
| Εκπομπός-βάση-τάση Γ ανοικτό | - 0 VEB | 5 Β | ||
| Διασκεδασμός δύναμης – Verlustleistung | Ptot | 1.3 W 1) | ||
| Ρεύμα συλλεκτών – Kollektorstrom (συνεχές ρεύμα) | - Ολοκληρωμένο κύκλωμα | 1 Α | ||
| Μέγιστο ρεύμα συλλεκτών – Koll. - Spitzenstrom | - ICM | 1.5 Α | ||
| Μέγιστο ρεύμα βάσεων – βάση-Spitzenstrom | - IBM | 200 μΑ | ||
| Θερμοκρασία συνδέσεων – Sperrschichttemperatur | Tj | 150; ℃ | ||
| Θερμοκρασία αποθήκευσης – Lagerungstemperatur | TS | - 65… + 150; ℃ | ||
1) τοποθετημένος στον πίνακα PC με 3 το μαξιλάρι χαλκού χιλ.2 σε κάθε τερματικό
Auf Leiterplatte mit 3 χιλ.2 Kupferbelag Montage (Lötpad) ένα jedem Anschluß
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485