Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος > IRFB4229PBF Mosfet δύναμης N-Channel ΔΙΑΚΟΠΤΏΝ ενότητας PDP MOSFET κρυσταλλολυχνία

IRFB4229PBF Mosfet δύναμης N-Channel ΔΙΑΚΟΠΤΏΝ ενότητας PDP MOSFET κρυσταλλολυχνία

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Gate-to-Source Voltage:
±30 V
Pulsed Drain Current:
180 A
Repetitive Peak Current:
91 A
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Operating Junction and Storage Temperature:
-40 to + 175°C
Soldering Temperature for 10 seconds:
300°C
Κυριώτερο σημείο:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Εισαγωγή

ΔΙΑΚΌΠΤΗΣ IRFB4229PbF PDP

;;;;;;;

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα;

• Προηγμένη τεχνολογική διαδικασία;

• Οι βασικές παράμετροι που βελτιστοποιούνται για PDP στηρίζουν, ενεργειακή ανάκτηση και περνούν τις εφαρμογές διακοπτών;

• Η χαμηλή εκτίμηση EPULSE για να μειώσει το διασκεδασμό δύναμης σε PDP στηρίζει,

Εφαρμογές διακοπτών ενεργειακών ανάκτησης και περασμάτων;

• Χαμηλό QG για τη γρήγορη απάντηση;

• Υψηλή επαναλαμβανόμενη ικανότητα μέγιστων ρευμάτων για την αξιόπιστη λειτουργία;

• Σύντομη πτώση & χρόνοι ανόδου για τη γρήγορη μετατροπή;

• 175°C λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων για τη βελτιωμένη τραχύτητα;

• Επαναλαμβανόμενη ικανότητα χιονοστιβάδων για την ευρωστία και την αξιοπιστία

Βασικές παράμετροι

VDS λ. 250 Β
Τύπος VDS (χιονοστιβάδα). 300 Β
Τύπος RDS (ΕΠΆΝΩ). @ 10V 38
IRP ανώτατο @ TC = 100°C 91 Α
TJ ανώτατος 175 °C

Περιγραφή;;;

Αυτό το MOSFET δύναμης HEXFET® σχεδιάζεται συγκεκριμένα για Sustain Η ενεργειακά ανάκτηση & το πέρασμα μεταστρέφουν τις εφαρμογές στις επιτροπές επίδειξης πλάσματος. Αυτό το MOSFET χρησιμοποιεί τις πιό πρόσφατες τεχνικές επεξεργασίας για να επιτευχθεί η χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου και η χαμηλή εκτίμηση EPULSE. Τα πρόσθετα χαρακτηριστικά γνωρίσματα αυτό το MOSFET είναι λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων 175°C και υψηλή επαναλαμβανόμενη ικανότητα μέγιστων ρευμάτων. Αυτά τα χαρακτηριστικά γνωρίσματα συνδυάζουν να κάνουν αυτό το MOSFET μια ιδιαίτερα αποδοτική, γερή και αξιόπιστη συσκευή για τις οδηγώντας εφαρμογές PDP.

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις

Παράμετρος Μέγιστο. Μονάδες
VGS Τάση πύλη--πηγής ±30 Β
Ταυτότητα @ TC = 25°C Συνεχές ρεύμα αγωγών, VGS @ 10V 46 Α
Ταυτότητα @ TC = 100°C Συνεχές ρεύμα αγωγών, VGS @ 10V 33 Α
IDM Παλόμενο ρεύμα αγωγών 180 Α
IRP @ TC = 100°C Επαναλαμβανόμενο μέγιστο ρεύμα; 91 Α
PD @TC = 25°C Διασκεδασμός δύναμης 330 W
PD @TC = 100°C Διασκεδασμός δύναμης 190 W
Γραμμικός παράγοντας Derating 2.2 W/°C
TJ TSTG Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης -40 + σε 175 °C
Θερμοκρασία συγκόλλησης για 10 δευτερόλεπτα 300 °C
Τοποθετώντας ροπή, βίδα 6-32 ή μ3 10lbin (1.1Nm) Ν

Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)

Αριθμός μερών. Ποσότητα Εμπορικό σήμα D/C Συσκευασία
HIP4080AIBZT 3925 INTERSIL 15+ SOP
TNY266PN 3970 ΔΥΝΑΜΗ 16+ DIP7
LM7912CT 3990 NS 16+ -220
HCNW4503 3991 AVAGO 14+ SOP8DIP8
ICL7650SCBA 3996 INTERSIL 14+ Sop-8
Lm2575hvt-adj 3997 NS 14+ -220
MUR3020PT 3997 16+ -3P
IRFR5305 3998 IR 16+ -252
MJ802 3998 13+ -3
LBAT54XV2T1G 3999 15+ Γρασίδι-523
VN10LFTA 3999 ZETEX 16+ SOT23
1N5341B 4000 16+ CASE17
1N5343B 4000 14+ -02
2SC2383 4000 TOSHIBA 14+ -92
2SC3807 4000 SANYO 14+ -126
2SK170BL 4000 TOSHIBA 16+ -92
74HC174D 4000 16+ Sop-16
74LVC245AD 4000 13+ SOP
AD8572ARZ 4000 ΑΓΓΕΛΙΑ 15+ SOP8
At24c512c-sshd-τ 4000 ATEML 16+ SOP8
BCV48 4000 16+ Μέθυσος-89
BD137 4000 ST 14+ -126
BTS721L1 4000 14+ Sop-20
CD4027BE 4000 Tj 14+ ΕΜΒΥΘΙΣΗ
CPC1017N 4000 CLARE 16+ SOP4
IRF7307 4000 IR 16+ SOP8
IRFR210 4000 IR 13+ Μέθυσος-252
LT1963AEST-3.3 4000 Ο ΥΠΟΛΟΧΑΓΟΣ 15+ Μέθυσος-223
MIC4424BN 4000 MICREL 16+ DIP8
Microsmd050f-2 4000 TYCO 16+ SMD

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123  εμποδίων PMEG6010ER 1A

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123  εμποδίων PMEG6010ER 1A

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
20pcs