Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος > STGW20NC60VD mosfet δύναμης N-CHANNEL πολύ γρήγορο PowerMESH IGBT ενότητας

STGW20NC60VD mosfet δύναμης N-CHANNEL πολύ γρήγορο PowerMESH IGBT ενότητας

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
IGBT 600 V 60 A 200 W Through Hole TO-247-3
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Collector-Emitter Voltage:
600 V
Reverse Battery Protection:
20 V
Gate-Emitter Voltage:
± 20 V
Collector Current (pulsed):
100 A
Derating Factor:
1.6 W/°C
Storage Temperature:
-55 to 150 °C
Κυριώτερο σημείο:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Εισαγωγή

STGW20NC60VD

N-CHANNEL 30A - 600V -247 πολύ γρήγορο PowerMESH™ IGBT

Γενικά χαρακτηριστικά γνωρίσματα

ΤΥΠΟΣ VCES VCE (που κάθεται) (Max) @25°C Ολοκληρωμένο κύκλωμα @100°C
STGW20NC60VD 600 Β < 2="">30 Α

ΑΠΟ ΤΙΣ ΑΠΩΛΕΙΕΣ ΠΕΡΙΛΑΒΕΤΕ ΤΟ ΡΕΥΜΑ ΟΥΡΩΝ

■ΟΙ ΑΠΩΛΕΙΕΣ ΠΕΡΙΛΑΜΒΑΝΟΥΝ ΤΗΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΔΙΟΔΩΝ

■ΥΨΗΛΗΣ ΤΆΣΗΣ ΙΚΑΝΟΤΗΤΑ

■ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΥΨΗΛΗΣ ΣΥΧΝΌΤΗΤΑΣ ΜΕΧΡΙ 50 KHz

■ΠΟΛΥ ΑΝΤΙΠΑΡΆΛΛΗΛΗ ΔΊΟΔΟΣ ΑΠΟΚΑΤΆΣΤΑΣΗΣ ΤΟΥ SOFT ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ ΓΡΉΓΟΡΗ

■ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΑΝΑΛΟΓΊΑ CRES ΤΟ /CIES

■ΠΡΟΪΟΝΤΑ ΝΈΑΣ ΓΕΝΙΆΣ ΜΕ ΤΗ ΣΦΙΧΤΟΤΕΡΗ ΔΙΑΝΟΜΗ ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΥ

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Χρησιμοποιώντας την πιό πρόσφατη τεχνολογία υψηλής τάσης βασισμένη σε ένα κατοχυρωμένο με δίπλωμα ευρεσιτεχνίας σχεδιάγραμμα λουρίδων, STMicroelectronics έχει σχεδιάσει μια προηγμένη οικογένεια IGBTs, το PowerMESH™ IGBTs, με τις σημαντικές αποδόσεις. Το επίθημα «Β» προσδιορίζει μια οικογένεια που βελτιστοποιείται για τις εφαρμογές υψηλής συχνότητας.

ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ

ΑΝΑΣΤΡΟΦΕΙΣ ΥΨΗΛΗΣ ΣΥΧΝΌΤΗΤΑΣ

■SMPS ΚΑΙ PFC ΚΑΙ ΣΤΟ ΣΚΛΗΡΌ ΔΙΑΚΌΠΤΗ ΚΑΙ ΣΤΙΣ ΗΧΗΡΈΣ ΤΟΠΟΛΟΓΊΕΣ

■UPS

■ΟΔΗΓΟΙ ΜΗΧΑΝΩΝ

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις

Σύμβολο Παράμετρος Αξία Σύμβολο
VCES Τάση συλλέκτης-εκπομπών (VGS = 0) 600 Β
VECR Αντίστροφη προστασία μπαταριών 20 Β
VGE Τάση πύλη-εκπομπών ± 20 Β
Ολοκληρωμένο κύκλωμα Ρεύμα συλλεκτών (συνεχές) σε 25°C (#) 60 Α
Ολοκληρωμένο κύκλωμα Ρεύμα συλλεκτών (συνεχές) σε 100°C (#) 30 Α
ICM (1) Ρεύμα συλλεκτών (παλόμενο) 100 Α
Εάν Μπροστινό ρεύμα διόδων RMS TC = 25°C 30 Α
PTOT Συνολικός διασκεδασμός TC = 25°C 200 W
Παράγοντας Derating 1.6 W/°C
Tstg Θερμοκρασία αποθήκευσης – 55 έως 150 °C
Tj Λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων – 55 έως 150 °C

(1) πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τη μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων.

Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)

Αριθμός μερών. Ποσότητα Εμπορικό σήμα D/C Συσκευασία
R2A15908SP 7631 RENESAS 16+ Sop-28
R4363 8626 HARRIS 16+ -263
R5F100LEAFA#V0 1933 RENESAS 12+ Lqfp-64
RA30H2127M 1228 MITSUBISH 12+ H2S
RA35H1516M 1255 MITSUBISH 15+ ΕΜΒΥΘΙΣΗ
RB160L-90 TE25 65000 ROHM 15+ Γρασίδι-106
RB160M-60 155000 ROHM 14+ Γρασίδι-123
RB450F 12000 ROHM 14+ Μέθυσος-323
RB551V-30 9000 ROHM 16+ Γρασίδι-323
RC4558DR 31000 Tj 16+ Sop-8
RCLAMP0504F.TCT 64000 SEMTECH 15+ Μέθυσος-363
RCLAMP0504S.TCT 65000 SEMTECH 15+ Sot23-6
RCLAMP0524P.TCT 158000 SEMTECH 13+ SLP2510P8
RD06HVF1 2253 MITSUBISH 14+ -220
REF03GS 5373 ADI 16+ Sop-8
REF192FSZ 4252 ΑΓΓΕΛΙΑ 13+ Sop-8
REF192GSZ 6359 ΑΓΓΕΛΙΑ 16+ Sop-8
REF195GSZ 3984 ΑΓΓΕΛΙΑ 16+ Sop-8
Ref198fs-ΕΞΕΛΙΚΤΡΟ 5545 ΑΓΓΕΛΙΑ 06+ Sop-8
REF3030AIDBZR 4334 Tj 15+ Μέθυσος-23
REF3040AIDBZR 4160 Tj 15+ Μέθυσος-23
REF5020AIDR 3759 Tj 16+ Sop-8
REF5025AIDGKR 7693 Tj 15+ Msop-8
REF5025AIDR 5866 Tj 16+ Sop-8
REG113NA-3/3K 6375 Tj 15+ Sot23-5
RFANT5220110A2T 48000 WALSIN 16+ SMD
RGP02-20E-E3/54 82000 VISHAY 16+ -41
RHRP3060 17467 FSC 14+ -220
RJH60F7DPQ 7148 RENESAS 13+ -247
RN1907FE 161000 TOSHIBA 15+ Μέθυσος-563

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123  εμποδίων PMEG6010ER 1A

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123  εμποδίων PMEG6010ER 1A

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs