200A Mosfet δύναμης γρήγορο MOSFET IRFP260NPBF δύναμης μετατροπής κρυσταλλολυχνιών
power mosfet ic
,silicon power transistors
MOSFET δύναμης IRFP260NPbF HEXFET®
• Προηγμένη τεχνολογική διαδικασία;
• Δυναμική εκτίμηση dv/dt;
• 175°C λειτουργούσα θερμοκρασία;
• Γρήγορη μετατροπή;
• Πλήρως χιονοστιβάδα που εκτιμάται;
• Ευκολία;
• Απλές απαιτήσεις Drive
• Αμόλυβδος
Περιγραφή
Η πέμπτη γενεά HEXFETs από το διεθνή διορθωτή χρησιμοποιεί τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, που συνδυάζεται με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και το δυναμωμένο σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης HEXFET είναι καλά - γνωστός για, παρέχει στο σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών.
Η συσκευασία -247 προτιμάται για τις εμπορικός-βιομηχανικές εφαρμογές όπου τα επίπεδα υψηλότερης δύναμης αποκλείουν τη χρήση -220 συσκευών. Τα -247 είναι παρόμοια αλλά ανώτερος με την προηγούμενη συσκευασία -218 λόγω της απομονωμένης τοποθετώντας τρύπας του.
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
| Παράμετρος | Μέγιστο. | Μονάδες | |
|---|---|---|---|
| Ταυτότητα @ TC = 25°C | Συνεχές ρεύμα αγωγών, VGS @ 10V | 50 | Α |
| Ταυτότητα @ TC = 100°C | Συνεχές ρεύμα αγωγών, VGS @ 10V | 35 | Α |
| IDM | Παλόμενο ρεύμα αγωγών | 200 | Α |
| PD @TC = 25°C | Διασκεδασμός δύναμης | 300 | Α |
| Γραμμικός παράγοντας Derating | 2.0 | W/°C | |
| VGS | Τάση πύλη--πηγής | ±20 | Β |
| EAS | Ενιαία ενέργεια χιονοστιβάδων σφυγμού | 560 | MJ |
| IAR | Ρεύμα χιονοστιβάδων; | 50 | Α |
| ΑΥΤΙ | Επαναλαμβανόμενη ενέργεια χιονοστιβάδων; | 30 | MJ |
| dv/dt | Μέγιστη αποκατάσταση dv/dt διόδων | 10 | V/ns |
| TJ, TSTG | Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης | -55 έως +175 | °C |
| Θερμοκρασία συγκόλλησης, για 10 δευτερόλεπτα | 300 (1.6mm από την περίπτωση) | °C | |
| Τοποθετώντας ροπή, 6-32 ή μ3 srew | lbfïin 10 (1.1Nïm) |
Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)
| Αριθμός μερών. | Ποσότητα | Εμπορικό σήμα | D/C | Συσκευασία |
| LM2662MX | 5344 | Tj | 16+ | Sop-8 |
| LM2663M | 6856 | NS | 16+ | Sop-8 |
| LM2675MX-5.0 | 5274 | Tj | 16+ | Sop-8 |
| Lm2675mx-adj | 5415 | Tj | 15+ | Sop-8 |
| LM2734YMK | 12799 | Tj | 16+ | Sot23-6 |
| LM2767M5X | 6927 | NSC | 16+ | Sot23-5 |
| Lm2825n-adj | 1525 | NSC | 06+ | Εμβύθιση-24 |
| Lm2842ymk-ADJL | 4655 | Tj | 16+ | Sot23-6 |
| LM285MX-1.2 | 5929 | NS | 16+ | Sop-8 |
| LM2901DR2G | 104000 | 13+ | SOP | |
| LM2902DR2G | 77000 | 15+ | SOP | |
| LM2903DR2G | 107000 | 15+ | SOP | |
| LM2903IMX | 13191 | FSC | 11+ | Sop-8 |
| LM2904DR2G | 82000 | 16+ | Sop-8 | |
| LM2904MX | 11700 | NS | 15+ | Sop-8 |
| LM2904P | 20000 | Tj | 16+ | Tssop-8 |
| LM2904QPWRQ1 | 6065 | Tj | 14+ | Tssop-8 |
| Lm2907n-8 | 8781 | NS | 97+ | Εμβύθιση-8 |
| Lm2917n-8 | 6580 | NS | 13+ | Εμβύθιση-8 |
| LM2931AD-5.0R2G | 19723 | 16+ | Sop-8 | |
| LM2931CDR2G | 14829 | 16+ | Sop-8 | |
| LM2931CDR2G | 10000 | 15+ | Sop-8 | |
| LM2936MPX-3.3 | 9351 | Tj | 14+ | Μέθυσος-223 |
| LM2936Z-5.0 | 3406 | NS | 05+ | -92 |
| LM2937ESX-3.3 | 9135 | NSC | 07+ | -263 |
| LM2937IMPX-3.3 | 1862 | Tj | 16+ | Μέθυσος-223 |
| LM2940CSX-5.0 | 8095 | NS | 14+ | -263 |
| LM2940S-5.0 | 10367 | NS | 16+ | -263 |
| LM2940SX-5.0 | 8852 | NS | 15+ | -263 |
| LM2941CT | 5900 | NS | 00+ | -220 |
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC