Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα δύναμης > IRFP044N Mosfet δύναμης συμπληρωματικό mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών

IRFP044N Mosfet δύναμης συμπληρωματικό mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC
Κατηγορία:
Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα δύναμης
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Pulsed Drain Current:
180 A
Power Dissipation:
120 W
Linear Derating Factor:
0.77 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
230 mJ
Avalanche Current:
28 A
Κυριώτερο σημείο:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Εισαγωγή

MOSFET δύναμης HEXFET® IRFP044N

• Προηγμένη τεχνολογική διαδικασία

• Δυναμική εκτίμηση dv/dt

• 175°C λειτουργούσα θερμοκρασία

• Γρήγορη μετατροπή

• Πλήρως χιονοστιβάδα που εκτιμάται

Περιγραφή

Η πέμπτη γενεά HEXFETs από το διεθνή διορθωτή χρησιμοποιεί τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, που συνδυάζεται με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και το δυναμωμένο σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης HEXFET είναι καλά - γνωστός για, παρέχει στο σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών.

Η συσκευασία -247 προτιμάται για τις εμπορικός-βιομηχανικές εφαρμογές όπου τα επίπεδα υψηλότερης δύναμης αποκλείουν τη χρήση -220 συσκευών. Τα -247 είναι παρόμοια αλλά ανώτερος με την προηγούμενη συσκευασία -218 λόγω της απομονωμένης τοποθετώντας τρύπας του.

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις

Παράμετρος Μέγιστο. Μονάδες
Ταυτότητα @ TC = 25°C Συνεχές ρεύμα αγωγών, VGS @ 10V 53 Α
Ταυτότητα @ TC = 100°C Συνεχές ρεύμα αγωγών, VGS @ 10V 37 Α
IDM Παλόμενο ρεύμα αγωγών 180 Α
PD @TC = 25°C Διασκεδασμός δύναμης 120 W
Γραμμικός παράγοντας Derating 0,77 W/°C
VGS Τάση πύλη--πηγής ± 20 Β
EAS Ενιαία ενέργεια ‚ … χιονοστιβάδων σφυγμού 230 MJ
IAR Χιονοστιβάδα τρέχον  28 Α
ΑΥΤΙ Επαναλαμβανόμενη ενέργεια  χιονοστιβάδων 12 MJ
dv/dt Μέγιστη αποκατάσταση dv/dt διόδων 5.0 V/ns
TJ, TSTG Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης -55 + σε 175 °C
Θερμοκρασία συγκόλλησης, για 10 δευτερόλεπτα 300 (1.6mm από την περίπτωση) °C
Τοποθετώντας ροπή, βίδα 6-32 ή μ3 10 lbf•μέσα (1.1N•μ)

Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)

Αριθμός μερών. Ποσότητα Εμπορικό σήμα D/C Συσκευασία
SLB9635TT1.2 27768 16+ TSSOP
SLB9635TT1.2FW3.19 27852 16+ TSSOP
UPD16510GR-8JG-E1 3074 NEC 04+ TSSOP
SC16IS740IPW 2963 10+ TSSOP
SC16IS762IPW 1565 13+ TSSOP
SC18IM700IPW 15672 07+ TSSOP
TDA8024TT/C1 17562 12+ TSSOP
R5F211B1SP#UO 3310 RENES 09+ TSSOP
S1a0071x01-RO/$L*RO 2774 SAMSUNG 07+ TSSOP
S-8253caa-T8T1G 11248 SEIKO 16+ TSSOP
SII9002CSUTR 14198 ΠΥΡΙΤΙΟ 07+ TSSOP
SIL1162CSU 4962 ΠΥΡΙΤΙΟ 16+ TSSOP
SP3232EEY-L/TR 17694 SIPEX 13+ TSSOP
S29AL032D70 2813 SPANSION 16+ TSSOP
Sst39vf1601-70-4c-EKE 8700 1$ΟΣ 10+ TSSOP
St3243ectr-ε 3824 ST 07+ TSSOP
TS922AIPT 13012 ST 13+ TSSOP
RT9284A-20GJ6E 15962 RICHTEK 16+ Tsot23-6
S29GL01GP13TFIV10 2339 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P10TFI010 15812 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P10TFI020 1832 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P90TFCR10 1961 SPANSION 13+ TSOP56
S29GL256P90TFIR20 1712 SPANSION 14+ TSOP56
S29GL512P11TFI010 1412 SPANSION 13+ TSOP56
S29GL512P11TFI020 1052 SPANSION 14+ TSOP56
Sst39vf3201b-70-4i-EKE 10093 1$ΟΣ 16+ TSOP48
Sst39vf6401b-70-4c-EKE 2246 1$ΟΣ 16+ TSOP48
TE28F800B5B90 1883 INTEL 16+ TSOP48
S29AL008J70TFI010 23520 SPANSION 12+ TSOP48
S29GL032A11TFIR4 13118 SPANSION 13+ TSOP48

Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs