RJH60F7ADPK-00#T0 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία καναλιών IGBT πυριτίου Ν κρυσταλλολυχνιών
κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
IGBT Trench 600 V 90 A 328.9 W Through Hole TO-3P
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Collector to emitter voltage:
600 V
Gate to emitter voltage:
±30 V
Collector peak current:
180 A
Συλλέκτης στο μπροστινό μέγιστο ρεύμα διόδων εκπομπών:
100 Α
Collector dissipation:
328.9 W
Junction temperature:
150 °C
Κυριώτερο σημείο:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Εισαγωγή
RJH60F7ADPK
Μετατροπή δύναμης υψηλής ταχύτητας καναλιών IGBT πυριτίου Ν
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Χαμηλός συλλέκτης στην τάση VCE κορεσμού εκπομπών (που κάθεται) = τύπος 1,35 Β. (ολοκληρωμένος κύκλωμα = 50 Α, VGE = 15V, TA = 25°C)
- Χτισμένος στη γρήγορη δίοδο αποκατάστασης σε μια συσκευασία
- Πύλη τάφρων και λεπτή τεχνολογία γκοφρετών
- Μετατροπή υψηλής ταχύτητας TF = τύπος 95 NS. (ολοκληρωμένος κύκλωμα = 30 Α, ανθεκτικό φορτίο, VCC = 300 Β, VGE = 15 Β, Rg = 5 Ω, TA = 25°C)
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις (TC = 25°C)
| Στοιχείο | Σύμβολο | Εκτιμήσεις | Μονάδα | |
| Συλλέκτης στην τάση εκπομπών | VCES | 600 | Β | |
| Πύλη στην τάση εκπομπών | VGES | ±30 | Β | |
| Ρεύμα συλλεκτών | TC = 25°C | Ολοκληρωμένο κύκλωμα | 90 | Α |
| TC = 100°C | Ολοκληρωμένο κύκλωμα | 50 | Α | |
| Μέγιστο ρεύμα συλλεκτών | ολοκληρωμένο κύκλωμα (αιχμή) Note1 | 180 | Α | |
| Συλλέκτης στο μπροστινό μέγιστο ρεύμα διόδων εκπομπών | DF (αιχμή) Note2 | 100 | Α | |
| Διασκεδασμός συλλεκτών | PC | 328.9 | W | |
| Σύνδεση για να εγκιβωτίσει τη θερμική σύνθετη αντίσταση (IGBT) | θj-γ | 0,38 | °C/W | |
| Σύνδεση για να εγκιβωτίσει τη θερμική σύνθετη αντίσταση (δίοδος) | θj-γ | 2.0 | °C/W | |
| Θερμοκρασία συνδέσεων | Tj | 150 | °C | |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης | Tstg | – 55 έως +150 | °C | |
Σημειώσεις: 1. Πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από την ασφαλή λειτουργούσα περιοχή.
2. PW ≤ 5 μs, κύκλος καθήκοντος ≤ 1%
Περίληψη
Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)
| Αριθμός μερών. | Ποσότητα | Εμπορικό σήμα | D/C | Συσκευασία |
| U2010B-MFPG3 | 6996 | ATMEL | 16+ | Sop-16 |
| U2010B-MFPG3Y | 27516 | ATMEL | 14+ | Sop-16 |
| U211B | 4332 | ATMEL | 16+ | Sop-16 |
| S558-5999-u7-φ | 15230 | ΜΠΕΛ | 16+ | Sop-16 |
| S558-5999-z5-φ | 17540 | ΜΠΕΛ | 14+ | Sop-16 |
| S558-5500-25-φ | 14260 | BELFUSE | 16+ | Sop-16 |
| TG01-0756NTR | 12753 | ΦΩΤΟΣΤΕΦΑΝΟΣ | 04+ | Sop-16 |
| TG110-S050N2 | 12084 | ΦΩΤΟΣΤΕΦΑΝΟΣ | 15+ | Sop-16 |
| TG43-1406NTR | 6264 | ΦΩΤΟΣΤΕΦΑΝΟΣ | 13+ | Sop-16 |
| SG3846DW | 29768 | LINFINITY | 13+ | Sop-16 |
| TC500ACOE | 2656 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 13+ | Sop-16 |
| SN74LS157DR | 11842 | MOT | 16+ | Sop-16 |
| Ps2501-4 | 11798 | NEC | 16+ | Sop-16 |
| UPC1099GS-E2 | 17776 | NEC | 15+ | Sop-16 |
| SA604AD | 9976 | 16+ | Sop-16 | |
| TEA1062AT/C4 | 16528 | 08+ | Sop-16 | |
| TEA1610T | 14196 | 16+ | Sop-16 | |
| TEA1751LT | 33460 | 16+ | Sop-16 | |
| MC14551BDR2G | 2756 | 15+ | Sop-16 | |
| TEA1112AT/C1 | 5780 | PHILIPS | 03+ | Sop-16 |
| PT2260-R4S | 15836 | PTC | 16+ | Sop-16 |
| T1094NL | 8336 | ΣΦΥΓΜΟΣ | 16+ | Sop-16 |
| RDA5807SP | 13334 | RDA | 16+ | Sop-16 |
| Ps2801-4 | 15384 | RENESAS | 16+ | Sop-16 |
| Ps2801-4-F-3-α | 24660 | RENESAS | 14+ | Sop-16 |
| Ps2801c-4 | 12312 | RENESAS | 14+ | Sop-16 |
| PS2845 | 2183 | RENESAS | 16+ | Sop-16 |
| RT9206PS | 11424 | RICHTEK | 15+ | Sop-16 |
| RT9206 | 28860 | RTCHTEK | 16+ | Sop-16 |
| Si3000-γ-FSR | 4640 | ΠΥΡΙΤΙΟ | 12+ | Sop-16 |
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
20pcs