PBSS4112PANP, Mosfet 115 δύναμης χαμηλή VCEsat (BISS) κρυσταλλολυχνία κρυσταλλολυχνιών NPN/NPN
multi emitter transistor
,silicon power transistors
PBSS4112PAN
120 Β, 1 χαμηλή VCEsat (BISS) κρυσταλλολυχνία Α NPN/NPN
Γενική περιγραφή
NPN/NPN χαμηλή σημαντική ανακάλυψη VCEsat στη μικρή κρυσταλλολυχνία σημάτων (BISS) σε μια χωρίς μόλυβδο μέσης ησχύος (SOT1118) επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστική συσκευασία συσκευών dfn2020-6 (SMD). Συμπλήρωμα NPN/PNP: PBSS4112PANP. Συμπλήρωμα PNP/PNP: PBSS5112PAP.
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα και οφέλη
• Πολύ χαμηλή τάση VCEsat κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών
• Υψηλό ολοκληρωμένο κύκλωμα ικανότητας συλλεκτών τρέχον και ICM
• Υψηλό τρέχον κέρδος συλλεκτών hFE στο υψηλό ολοκληρωμένο κύκλωμα
• Μειωμένες Printed-Circuit απαιτήσεις πινάκων (PCB)
• Υψηλής ενέργειας αποδοτικότητα λόγω της λιγότερης γενεάς θερμότητας
• AEC-Q101 κατάλληλος
Εφαρμογές
• Διακόπτης φορτίων
• Μπαταρία-οδηγημένες συσκευές
• Διαχείριση δύναμης
• Κυκλώματα χρέωσης
• Διακόπτες δύναμης (π.χ. μηχανές, ανεμιστήρες)
Περιοριστικές τιμές
Σύμφωνα με το απόλυτο μέγιστο σύστημα εκτίμησης (IEC 60134).
| Σύμβολο | Παράμετρος | Όροι | Λ. | Max | Μονάδα | |
| Ανά κρυσταλλολυχνία | ||||||
| VCBO | συλλέκτη-βάσης τάση | ανοικτός εκπομπός | - | 120 | Β | |
| VCEO | τάση συλλέκτης-εκπομπών | ανοικτή βάση | - | 120 | Β | |
| VEBO | emitter-base τάση | ανοικτός συλλέκτης | - | 7 | Β | |
| Ολοκληρωμένο κύκλωμα | ρεύμα συλλεκτών | - | 1 | Α | ||
| ICM | μέγιστο ρεύμα συλλεκτών | ενιαίος σφυγμός tp κα ≤ 1 | - | 1.5 | Α | |
| IB | ρεύμα βάσεων | - | 0,3 | Α | ||
| IBM | μέγιστο ρεύμα βάσεων | ενιαίος σφυγμός tp κα ≤ 1 | - | 1 | Α | |
| Ptot | συνολικός διασκεδασμός δύναμης | Tamb ≤ 25 °C |
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] |
- - - - - - - - |
370 570 530 700 450 760 700 1450 |
MW MW MW MW MW MW MW MW |
| Ανά συσκευή | ||||||
| Ptot | συνολικός διασκεδασμός δύναμης | Tamb ≤ 25 °C |
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] |
- - - - - - - - |
510 780 730 960 620 1040 960 2000 |
MW MW MW MW MW MW MW MW |
| Tj | θερμοκρασία συνδέσεων | - | 150 | °C | ||
| Tamb | περιβαλλοντική θερμοκρασία | -55 | 150 | °C | ||
| Tstg | θερμοκρασία αποθήκευσης | -65 | 150 | °C | ||
[1] συσκευή που τοποθετείται σε ένα PCB FR4, ένα ενιαίος-πλαισιωμένο ίχνος γραμμών λουρίδων χαλκού 35 µm κασσίτερος-καλυμμένη και τυποποιημένης.
[2] συσκευή που τοποθετείται σε ένα PCB FR4, ενιαίος-πλαισιωμένη γραμμή λουρίδων χαλκού 35 µm, κασσίτερος-που καλύπτεται, να τοποθετήσει μαξιλάρι για το συλλέκτη 1 τ.εκ.
[3] συσκευή που τοποθετείται 4 γραμμών λουρίδων χαλκού µm PCB 35 στρώματος στο κασσίτερος-καλυμμένη και τυποποιημένης ίχνος.
[4] συσκευή που τοποθετείται 4 στη γραμμή λουρίδων χαλκού µm PCB 35 στρώματος, κασσίτερος-που καλύπτεται, να τοποθετήσει μαξιλάρι για το συλλέκτη 1 τ.εκ.
[5] συσκευή που τοποθετείται σε ένα PCB FR4, ένα ενιαίος-πλαισιωμένο ίχνος γραμμών λουρίδων χαλκού 70 µm κασσίτερος-καλυμμένη και τυποποιημένης.
[6] συσκευή που τοποθετείται σε ένα PCB FR4, ενιαίος-πλαισιωμένη γραμμή λουρίδων χαλκού 70 µm, κασσίτερος-που καλύπτεται, να τοποθετήσει μαξιλάρι για το συλλέκτη 1 τ.εκ.
[7] συσκευή που τοποθετείται 4 γραμμών λουρίδων χαλκού µm PCB 70 στρώματος στο κασσίτερος-καλυμμένη και τυποποιημένης ίχνος.
[8] συσκευή που τοποθετείται 4 στη γραμμή λουρίδων χαλκού µm PCB 70 στρώματος, κασσίτερος-που καλύπτεται, να τοποθετήσει μαξιλάρι για το συλλέκτη 1 τ.εκ.
Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)
| Αριθμός μερών. | Ποσότητα | Εμπορικό σήμα | D/C | Συσκευασία |
| SGM8922AYS8 | 5140 | SGM | 10+ | Sop-8 |
| SGM9119YS8 | 17690 | SGMICRO | 16+ | Sop-8 |
| SLG505YC256CT | 2330 | SILEGO | 14+ | Sop-8 |
| Si4416dy-T1-E3 | 17708 | SILICONIX | 05+ | Sop-8 |
| SP3072EEN-L/TR | 38004 | SIPEX | 13+ | Sop-8 |
| Sp485rcn-λ | 14724 | SIPEX | 13+ | Sop-8 |
| Sp485ren-λ | 46500 | SIPEX | 16+ | Sop-8 |
| SP708SEN | 8240 | SIPEX | 16+ | Sop-8 |
| SM7523B | 47500 | SM | 16+ | Sop-8 |
| S25FL040A0LVFI003R | 38856 | SPANSION | 16+ | Sop-8 |
| S25FL164K0XMFI011 | 29532 | SPANSION | 15+ | Sop-8 |
| Sst25lf020a-33-4c-SAE | 39140 | 1$ΟΣ | 12+ | Sop-8 |
| Sst25vf016b-50-4c-S2AF | 7084 | 1$ΟΣ | 14+ | Sop-8 |
| Sst25vf016b-50-4i-S2AF | 12564 | 1$ΟΣ | 14+ | Sop-8 |
| Sst25vf020-20-4i-SAE | 8532 | 1$ΟΣ | 11+ | Sop-8 |
| Sst25vf032b-80-4i-S2AF | 10142 | 1$ΟΣ | 16+ | Sop-8 |
| Sst25vf080b-50-4c-S2AF | 19348 | 1$ΟΣ | 10+ | Sop-8 |
| Sst25vf080b-80-4i-S2AF | 12578 | 1$ΟΣ | 16+ | Sop-8 |
| SSRP130B1 | 39992 | ST | 13+ | Sop-8 |
| ST1S10PHR | 5256 | ST | 16+ | Sop-8 |
| ST3485EBDR | 14900 | ST | 10+ | Sop-8 |
| ST485EBDR | 31000 | ST | 16+ | Sop-8 |
| ST922I | 40276 | ST | 16+ | Sop-8 |
| STM704SM6F | 6004 | ST | 16+ | Sop-8 |
| STS8DNF3LL | 14592 | ST | 04+ | Sop-8 |
| STS8DNH3LL | 17320 | ST | 10+ | Sop-8 |
| TDA2822D013TR | 17298 | ST | 09+ | Sop-8 |
| TJM4558CDT | 111000 | ST | 16+ | Sop-8 |
| TL061CDR | 15170 | ST | 16+ | Sop-8 |
| TL072CDR | 17186 | ST | 16+ | Sop-8 |
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC