30EPH03PBF Mosfet δύναμης κύκλωμα Integared προμηθευτών ολοκληρωμένου κυκλώματος Κίνα τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ηλεκτρονικής κρυσταλλολυχνιών
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Ultrafast διορθωτής, 30 ο FRED PtTM
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
• Ultrafast χρόνος αποκατάστασης
• Χαμηλή μπροστινή πτώση τάσης
• Χαμηλό ρεύμα διαρροής
• λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων 175 °C
• Μόλυβδος (PB) - ελεύθερο (επίθημα «PbF»)
• Σχεδιασμένος και κατάλληλος για το βιομηχανικό επίπεδο
DESCRIPTION/APPLICATIONS
300 σειρές Β είναι οι ultrafast διορθωτές αποκατάστασης κατάστασης προόδου που σχεδιάζονται με τη βελτιστοποιημένη απόδοση της μπροστινής πτώσης τάσης και του ultrafast χρόνου αποκατάστασης. Η επίπεδη δομή και ο λευκόχρυσος νάρκωσαν την εγγύηση χρονικού ελέγχου ζωής τα καλύτερα γενικά χαρακτηριστικά απόδοσης, τραχύτητας και αξιοπιστίας. Αυτές οι συσκευές προορίζονται για τη χρήση στο στάδιο διόρθωσης παραγωγής των μετατροπέων SMPS, UPS, ρεύμα--συνεχές ρεύμα καθώς επίσης και των ανεξάρτητων διόδων στους αναστροφείς χαμηλής τάσης και τις κινήσεις μηχανών μπαλτάδων. Η εξαιρετικά βελτιστοποιημένη αποθηκευμένη δαπάνη και το χαμηλό ρεύμα αποκατάστασής τους ελαχιστοποιούν τις απώλειες μετατροπής και μειώνουν πέρα από το διασκεδασμό στο στοιχείο και snubbers μετατροπής.
Ένα μέρος του καταλόγου αποθεμάτων
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | Sop-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16255C4 | Sop-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | ΑΙΧΜΗΡΟΣ | το 2016.08.10/H33 | Εμβύθιση-4 |
| ΔΙΑ 2SS52M | Honeywell | 2ssm/523-LF | -92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | Sop-24 | |
| C.I TP3057WM | Tj | XM33AF | Sop-16 |
| C.I CD14538BE | Tj | 33ADS8K | Εμβύθιση-16 |
| C.I CL2N8-Γ | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | CL2C | Μέθυσος-89 |
| C.I SN75179BP | Tj | 57C50DM | Εμβύθιση-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | Sop-24 |
| ΚΑΠ 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| ΚΑΠ ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | ΤΗΓΑΝΙ | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 1636M6G | Sop-8 |
| ΚΑΠ ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | Tj | 11/A75240 | Msop-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| ΚΑΠ CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-Τ | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| ΚΑΠ CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| ΥΠΌΘΕΣΗ 0805RC0805JR-073K3L RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | -3P |
| ΚΑΠ 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
Tj = 25C
| Παράμετρος | Σύμβολο | Αξία | Ένωση |
| Αγωγός-πηγή voltage3 | 300 | Β | |
| Τάση πύλη-πηγής | VGSS | ±30 | Β |
| Ρεύμα ΣΥΝΕΧΩΝ αγωγών | Ταυτότητα | 8 | Α |
| Διασκεδασμός δύναμης αγωγών | PD | 32 | Α |
| Θερμοκρασία συνδέσεων | Tch | 150 | °C |
| Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης | Tstg | -55 έως +150 | °C |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485