BC327-40 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία γενικού σκοπού κρυσταλλολυχνιών PNP
power mosfet ic
,silicon power transistors
Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)
Αριθμός μερών. | Ποσότητα | Εμπορικό σήμα | D/C | Συσκευασία |
ESP8266EX | 5982 | ESPRESSIF | 14+ | QFN32 |
Etc1.6-4-2-3TR | 4563 | M/a-COM | 15+ | SMD |
EX5418-EG11 | 7577 | EETI | 13+ | QFN |
EXC7900-SG11 | 4967 | EETI | 13+ | QFN |
EXCCET103U | 9515 | PANASONIC | 16+ | SMD |
EZ80190AZ050SG | 2645 | ZILOG | 05+ | QFP |
F2405S-1WR2 | 4629 | MORNSUN | 16+ | ΓΟΥΛΙΑ |
F65550B | 1918 | ΤΣΙΠ | 13+ | QFP |
FA5518N-A2-TE1 | 9586 | FUJITSU | 14+ | Sop-8 |
FAN1112DX | 20504 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 16+ | -252 |
FAN3225TMPX | 3081 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 16+ | Dfn-8 |
FAN3225TMX | 5365 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 13+ | Sop-8 |
FAN6862TY | 13420 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 16+ | Ssot-6 |
FAN9612MX | 7548 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 12+ | Sop-8 |
FC-135 32.7680KA | 4093 | EPSON | 13+ | SMD |
FCB11N60TM | 12339 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 15+ | -263 |
FCX495TA | 46000 | ZETEX | 14+ | Μέθυσος-89 |
FDB3632 | 8071 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 14+ | -263 |
FDC6330L | 7527 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 04+ | Μέθυσος-163 |
FDC6420C | 20575 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 14+ | Μέθυσος-163 |
FDD4141 | 9286 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 16+ | -252 |
FDD850N10L | 20646 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 11+ | -252 |
FDH055N15A | 7591 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 15+ | -247 |
FDL100N50F | 3233 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 13+ | -264 |
FDLL4148 | 25000 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 15+ | LL34 |
FDMS3604S | 5436 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 16+ | QFN |
FDMS86500L | 8142 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 13+ | Qfn-8 |
FDMS86520L | 7901 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 15+ | QFN |
FDMS8672S | 6190 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 16+ | Qfn-8 |
FDMS8692 | 20717 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 16+ | QFN |
Κρυσταλλολυχνία γενικού σκοπού BC327 PNP
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
• Υψηλής τάσης (μέγιστα 500 μΑ)
• Χαμηλή τάση (μέγιστα 45 Β).
ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ
• Μετατροπή γενικού σκοπού και ενίσχυση, π.χ. στάδια οδηγών και παραγωγής των ακουστικών ενισχυτών.
ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κρυσταλλολυχνία PNP -92 SOT54 πλαστική συσκευασία. Συμπλήρωμα NPN: BC337.
ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΙΚΕΣ ΤΙΜΕΣ
Σύμφωνα με το απόλυτο μέγιστο σύστημα εκτίμησης (IEC 134).
ΣΥΜΒΟΛΟ | ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ | ΟΡΟΙ | ΕΛΑΧΙΣΤΟΣ. | ΜΕΓΙΣΤΟ. | ΜΟΝΑΔΑ |
VCBO | συλλέκτη-βάσης τάση | ανοικτός εκπομπός | − | −50 | Β |
VCEO | τάση συλλέκτης-εκπομπών | ανοικτή βάση | − | −45 | Β |
VEBO | emitter-base τάση | ανοικτός συλλέκτης | − | −5 | Β |
Ολοκληρωμένο κύκλωμα | ρεύμα συλλεκτών (συνεχές ρεύμα) | − | −500 | μΑ | |
ICM | μέγιστο ρεύμα συλλεκτών | − | −1 | Α | |
IBM | μέγιστο ρεύμα βάσεων | − | −200 | μΑ | |
Ptot | συνολικός διασκεδασμός δύναμης | Tamb ≤ 25 °C σημείωση 1 | − | 625 | MW |
Tstg | θερμοκρασία αποθήκευσης | −65 | +150 | °C | |
Tj | θερμοκρασία συνδέσεων | − | 150 | °C | |
Tamb | λειτουργούσα περιβαλλοντική θερμοκρασία | −65 | +150 | °C |
Σημείωση 1. Κρυσταλλολυχνία που τοποθετείται σε έναν printed-circuit FR4 πίνακα.
Fig.1 απλουστευμένη περίληψη (-92 SOT54) και σύμβολο.