Να στείλετε μήνυμα
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Σπίτι
προϊόντα
κατασκευαστών
Περίπου εμείς
πόροι
Στείλετε το RFQ
μεταφορτώστε
Σπίτι > προϊόντα > ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος > STGB7NC60HDT4 Mosfet δύναμης ΠΛΈΓΜΑ IGBT δύναμης κρυσταλλολυχνιών πολύ γρήγορο

STGB7NC60HDT4 Mosfet δύναμης ΠΛΈΓΜΑ IGBT δύναμης κρυσταλλολυχνιών πολύ γρήγορο

STGB7NC60HDT4 Mosfet δύναμης ΠΛΈΓΜΑ IGBT δύναμης κρυσταλλολυχνιών πολύ γρήγορο
STGB7NC60HDT4 Mosfet δύναμης ΠΛΈΓΜΑ IGBT δύναμης κρυσταλλολυχνιών πολύ γρήγορο
STGB7NC60HDT4 Mosfet δύναμης ΠΛΈΓΜΑ IGBT δύναμης κρυσταλλολυχνιών πολύ γρήγορο
STGB7NC60HDT4 Mosfet δύναμης ΠΛΈΓΜΑ IGBT δύναμης κρυσταλλολυχνιών πολύ γρήγορο
κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
IGBT 600 V 25 A 80 W Επιφανειακή βάση D2PAK
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Τάση συλλέκτης-εκπομπών:
600 Β
Τάση εκπομπός-συλλεκτών:
20 Β
Τάση πύλη-εκπομπών:
±20 Β
Ρεύμα συλλεκτών (παλόμενο):
50 Α
Μπροστινό ρεύμα διόδων RMS TC = 25°C:
20 Α
Θερμοκρασία αποθήκευσης:
– 55 έως 150 °C
Λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων:
– 55 έως 150 °C
Συνολικός διασκεδασμός TC = 25°C:
80 W
Κυριώτερο σημείο:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Εισαγωγή

Προσφορά αποθεμάτων (καυτή πωλήστε)

Αριθμός μερών. Ποσότητα Εμπορικό σήμα D/C Συσκευασία
DS1245Y-100 1002 ΝΤΑΛΛΑΣ 15+ -92
DS1990A-F5 1002 MAXIM 16+ ΜΠΟΡΕΣΤΕ
ICL7135CPIZ 1002 INTERSIL 16+ ΕΜΒΥΘΙΣΗ
IRFP150NPBF 5000 IR 14+ -247
IRFP260NPBF 5000 IR 14+ -247
K847P 1002 VISHAY 14+ DIP16
LM301AN 1002 NS 16+ DIP8
LM35DT 1002 NS 16+ -220
MC34074AP 1002 13+ DIP14
TC962CPA 1002 ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ 15+ DIP8
VB125ASP 1002 STM 16+ Sop-10
LT1084CT-12 1005 Ο ΥΠΟΛΟΧΑΓΟΣ 16+ TO220
XC2C64A-7VQG44C 1005 XILINX 14+ QFP44
30344 560 BOSCH 14+ QFP
AT93C66A-10SQ-2.7 1008 ATMEL 14+ SOP8
NCP1200AP40 1008 16+ DIP8
PCA82C250T/N4,118 3000 16+ SOP8
Adm5120px-αβ-τ-2 1009 13+ QFP208
TDA8950J 1011 15+ ZIP23
HT8950 1012 HOLTEK 16+ ΕΜΒΥΘΙΣΗ
TDA7384 1012 ST 16+ ΦΕΡΜΟΥΑΡ
Cs5550-ISZ 1022 CIRRUS 14+ SSOP24
LF412CN 1022 NS 14+ DIP8
IR21141SSPBF 1031 IR 14+ SSOP24
XCF04SVOG20C 1034 XILINX 16+ SOP
MC34084P 1050 16+ Εμβύθιση-14
DAC1220E 1077 Tj 13+ SSOP16
At91sam7x256-Au 1088 ATMEL 15+ QFP
74LVX4245MTCX 1100 FSC 16+ TSSOP
ADM2582EBRWZ 1100 ΑΓΓΕΛΙΑ 16+ Sop-20

STGP7NC60HD

STGF7NC60HD - STGB7NC60HD

N-CHANNEL 14A - 600V - -220/to-220FP/D ² PAK

Πολύ γρήγορο PowerMESH™ IGBT

■ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΠΤΩΣΗ -ΤΑΣΗΣ (Vcesat)

■ΑΠΟ ΤΙΣ ΑΠΩΛΕΙΕΣ ΠΕΡΙΛΑΒΕΤΕ ΤΟ ΡΕΥΜΑ ΟΥΡΩΝ

■ΟΙ ΑΠΩΛΕΙΕΣ ΠΕΡΙΛΑΜΒΑΝΟΥΝ ΤΗΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ ΔΙΟΔΩΝ

■ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΑΝΑΛΟΓΊΑ CRES/CIES

■ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΥΨΗΛΗΣ ΣΥΧΝΌΤΗΤΑΣ ΜΕΧΡΙ 70 KHz

■ΠΟΛΥ ΑΝΤΙ ΠΑΡΆΛΛΗΛΗ ΔΊΟΔΟΣ ΑΠΟΚΑΤΆΣΤΑΣΗΣ ΤΟΥ SOFT ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ ΓΡΉΓΟΡΗ

■ΠΡΟΪΟΝΤΑ ΝΈΑΣ ΓΕΝΙΆΣ ΜΕ ΤΗ ΣΦΙΧΤΟΤΕΡΗ ΔΙΑΝΟΜΗ ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΥ

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Χρησιμοποιώντας την πιό πρόσφατη τεχνολογία υψηλής τάσης βασισμένη σε ένα κατοχυρωμένο με δίπλωμα ευρεσιτεχνίας σχεδιάγραμμα λουρίδων, STMicroelectronics έχει σχεδιάσει μια προηγμένη οικογένεια IGBTs, το PowerMESH™ IGBTs, με τις σημαντικές αποδόσεις. Το επίθημα «Χ» προσδιορίζει μια οικογένεια που βελτιστοποιείται για τις εφαρμογές υψηλής συχνότητας προκειμένου να επιτευχθούν οι πολύ υψηλές αποδόσεις μετατροπής (που μειώνονται tfall) που μια πτώση χαμηλής τάσης.

ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ

■ΑΝΑΣΤΡΟΦΕΙΣ ΥΨΗΛΗΣ ΣΥΧΝΌΤΗΤΑΣ

■SMPS ΚΑΙ PFC ΚΑΙ ΣΤΟ ΣΚΛΗΡΌ ΔΙΑΚΌΠΤΗ ΚΑΙ ΣΤΙΣ ΗΧΗΡΈΣ ΤΟΠΟΛΟΓΊΕΣ

■ΟΔΗΓΟΙ ΜΗΧΑΝΩΝ

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις

Σύμβολο Παράμετρος Αξία Μονάδα

STGP7NC60HD

STGB7NC60HD

 STGF7NC60HD
VCES Τάση συλλέκτης-εκπομπών (VGS = 0) 600 Β
VECR Τάση εκπομπός-συλλεκτών 20 Β
VGE Τάση πύλη-εκπομπών ±20 Β
Ολοκληρωμένο κύκλωμα Ρεύμα συλλεκτών (συνεχές) TC = 25°C (#) 25 10 Α
Ολοκληρωμένο κύκλωμα Ρεύμα συλλεκτών (συνεχές) TC = 100°C (#) 14 6 Α
ICM (; 1) Ρεύμα συλλεκτών (παλόμενο) 50 Α
ΕΑΝ Μπροστινό ρεύμα διόδων RMS TC = 25°C 20 Α
PTOT Συνολικός διασκεδασμός TC = 25°C 80 25 W
Παράγοντας Derating 0,64 0,20 W/°C
VISO

Η μόνωση αντιστέκεται το ΕΝΑΛΛΑΣΣΌΜΕΝΟ ΡΕΎΜΑ τάσης.

(τ = 1 SEC TC = 25°C)

 - 2500 Β
Tstg Θερμοκρασία αποθήκευσης – 55 έως 150 °C
Tj Λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων

(1;) πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τη μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων.

Σχήμα 1: Συσκευασία

Σχήμα 2: Εσωτερικό σχηματικό διάγραμμα

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT

0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603

χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402

αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών

Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης

IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A

Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV

SMBJ5.0A η επιφάνεια διόδων 600W χιονοστιβάδων πυριτίου τοποθετεί τις διόδους TV
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs
Επικοινωνήστε μαζί μας
Διεύθυνση: Room 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο: sales@cmhk-ic.com
Τηλέφωνο: 86-755-88367702
προϊόντα

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Προγραμματίσημο τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος υπολογιστών

Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών οδηγήσεων

Διοικητικά ολοκληρωμένα κυκλώματα δύναμης

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

Μονάδα μικροελεγκτή MCU

Ολοκληρωμένα κυκλώματα οδηγών επίδειξης

IGBT Power Module

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών
Περίπου εμείς
Περίπου εμείς Πιστοποιητικό του ISO Ελεγχος ποιότητας Πολιτική μυστικότητας Κέντρο βοήθειας
Πολιτική μυστικότητας | Καλή ποιότητα της Κίνας Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης Προμηθευτής. Πνευματικά δικαιώματα © 2023 icmemorychip.com . Διατηρούνται όλα τα πνευματικά δικαιώματα.