IRFR9214 MOSFET δύναμης γραμμικό mosfet δύναμης mosfet γενικού σκοπού
multi emitter transistor
,silicon power transistors
ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΑΠΟΘΕΜΑΤΩΝ
| NC7SZ04M5X | 5000 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 15+ | Sot23-5 |
| PCA82C251 | 5000 | 12+ | Sop-8 | |
| PZTA42T1G | 5000 | 16+ | SOT223 | |
| RBV5006 | 5000 | EIC | 12+ | Rbv-4 |
| RUEF250 | 5000 | RAYCHEM | 16+ | ΕΜΒΥΘΙΣΗ |
| ST3232ECDR | 5000 | ST | 16+ | Sop-16 |
| Sw-289 | 5000 | MA/COM | 16+ | SOP14 |
| TL072CDR | 5000 | Tj | 16+ | SOP8 |
| TL7705BCP | 5000 | Tj | 16+ | SOP8 |
| TPS2041BDBVR | 5000 | Tj | 14+ | Sot23-5 |
| TPS5430DDAR | 5000 | Tj | 16+ | SOP8 |
| UCLAMP0511P TCT | 5000 | SEMTECH | 16+ | MICREL |
| ULN2003ADRG3 | 5000 | Tj | 15+ | SOP16 |
| SN75C1406N | 5002 | Tj | 16+ | Sop-16 |
| B340a-13-φ | 5008 | DOIDES | 15+ | SMA |
| REG1117-3.3 | 5008 | BB | 12+ | SOT223 |
| Sst25vf032b-80-4i-S2AF | 5010 | 1$ΟΣ | 16+ | SOP8 |
| TPS79730DCKR | 5018 | Tj | 12+ | Sc70-5 |
| 2SC3355 | 5100 | NEC | 16+ | -92 |
| DAC0808LCN | 5100 | NSC | 16+ | DIP16 |
| FDS4435 | 5100 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 16+ | Sop-8 |
| LT1963EST-2.5 | 5100 | Ο ΥΠΟΛΟΧΑΓΟΣ | 16+ | Μέθυσος-223 |
| X5045P | 5100 | XICOR | 16+ | DIP8 |
| DAC7554IDGS | 5110 | Tj | 14+ | Msop-10 |
| AM26LV32IDR | 5120 | Tj | 16+ | SOP16 |
| CS51412EDR8G | 5120 | 16+ | SOP8 | |
| LM2940T-12 | 5120 | NS | 15+ | -220 |
| LM6132BIMX | 5120 | NS | 16+ | SOP8 |
| RC5057M | 5120 | ΘΛΦΑΗΡΘΧΗΛΔ | 15+ | SOP16 |
| SN75ALS180DR | 5120 | Tj | 12+ | Sop-14 |
| UGN3503UA | 5120 | ΧΑΡΟΥΜΕΝΟΣ | 16+ | -92 |
| BD241C | 5123 | FSC | 12+ | -220 |
IRFR9214
MOSFET δύναμης γραμμικό mosfet δύναμης mosfet γενικού σκοπού
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
• P-Channel
• Η επιφάνεια τοποθετεί (IRFR9214/SiHFR9214)
• Ευθύς μόλυβδος (IRFU9214/SiHFU9214)
• Προηγμένη τεχνολογική διαδικασία
• Γρήγορη μετατροπή
• Πλήρως χιονοστιβάδα που εκτιμάται
• Μόλυβδος (PB) - ελεύθερος διαθέσιμος
ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
MOSFETs δύναμης τρίτης γενιάς από Vishay χρησιμοποιούν τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας για να επιτευχθεί η χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, που συνδυάζεται με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και το δυναμωμένο σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης είναι καλά - γνωστός για, παρέχει στο σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών. Το DPAK σχεδιάζεται για την επιφάνεια που τοποθετεί χρησιμοποιώντας τη φάση ατμού, τις υπέρυθρες ακτίνες, ή τις τεχνικές συγκόλλησης κυμάτων. Η ευθεία έκδοση μολύβδου (σειρά IRFU/SiHFU) είναι για το μοντάρισμα μέσω-τρυπών
εφαρμογές. Επίπεδα διασκεδασμού δύναμης μέχρι 1,5 W
είναι δυνατός στη χαρακτηριστική επιφάνεια τοποθετεί τις εφαρμογές.

